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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
SRT15HR0G Taiwan Semiconductor Corporation srt15hr0g -
RFQ
ECAD 6799 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 T-18, 축, SRT15 Schottky TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SS26LW Taiwan Semiconductor Corporation SS26LW 0.4000
RFQ
ECAD 18 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W SS26 Schottky SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 2 a 200 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
1SMA4762 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4762 0.0935
RFQ
ECAD 3797 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4762 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1 µa @ 62.2 v 82 v 200 옴
1N4747A R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4747A r1g -
RFQ
ECAD 9265 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4747 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 15.2 v 20 v 70 옴
SS210FSH Taiwan Semiconductor Corporation ss210fsh 0.1035
RFQ
ECAD 5837 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 SS210 Schottky SOD-128 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SS210FSHTR 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 2 a 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 61pf @ 4v, 1MHz
HER605G Taiwan Semiconductor Corporation HER605G 0.5136
RFQ
ECAD 1162 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 R-6, 축, HER605 기준 R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 6 a 50 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 80pf @ 4V, 1MHz
S2K Taiwan Semiconductor Corporation S2K 0.0851
RFQ
ECAD 5717 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S2K 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 800 v 1.15 V @ 2 a 1.5 µs 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
BZD27C68PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C68PHR3G 0.2933
RFQ
ECAD 2119 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 51 v 68 v 80 옴
1N5393G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5393G A0G -
RFQ
ECAD 2504 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N5393 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 200 v 1 V @ 1.5 a 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
S1KFS MWG Taiwan Semiconductor Corporation S1KFS MWG 0.4300
RFQ
ECAD 15 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 S1K 기준 SOD-128 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 800 v 1.1 v @ 1 a 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
SR1503 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1503 B0G -
RFQ
ECAD 2106 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 R-6, 축, SR1503 Schottky R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 15 a 500 µa @ 30 v -50 ° C ~ 150 ° C 15a -
BZT52C22-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C22-G 0.0445
RFQ
ECAD 8728 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C22-GTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 15.4 v 22 v 55 옴
RS2A M4G Taiwan Semiconductor Corporation RS2A M4G -
RFQ
ECAD 9813 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB RS2A 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 50pf @ 4V, 1MHz
MBR2090PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR2090PTHC0G -
RFQ
ECAD 4946 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR2090 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 20A 950 MV @ 20 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C
SF33GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF33GHA0G -
RFQ
ECAD 9530 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF33 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 3 a 35 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1MHz
AZ23C4V7 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C4V7 0.0786
RFQ
ECAD 2022 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-AZ23C4V7TR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 4.7 v 78 옴
1T3G Taiwan Semiconductor Corporation 1T3G -
RFQ
ECAD 5546 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, 기준 TS-1 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-1T3GTR 귀 99 8541.10.0080 5,000 200 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
BZD17C12P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C12P RHG -
RFQ
ECAD 5478 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 9.1 v 12 v 7 옴
HERF1607G Taiwan Semiconductor Corporation HERF1607G -
RFQ
ECAD 4544 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 HERF1607 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 800 v 16A 1.7 V @ 8 a 80 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C
SRT13HA0G Taiwan Semiconductor Corporation srt13ha0g -
RFQ
ECAD 5026 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, SRT13 Schottky TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 1 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
BZX55B30 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B30 A0G -
RFQ
ECAD 2199 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 22 v 30 v 80 옴
BC850CW RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC850CW RFG 0.0368
RFQ
ECAD 3245 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC850 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
TSC873CT B0G Taiwan Semiconductor Corporation TSC873CT B0G -
RFQ
ECAD 5899 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 W. To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TSC873CTB0G 귀 99 8541.29.0095 2,000 400 v 1 a 1MA NPN 1V @ 250MA, 1A 80 @ 250ma, 10V -
1N4752AHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4752AHA0G -
RFQ
ECAD 5120 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4752 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 25.1 v 33 v 45 옴
SF43GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF43GHB0G -
RFQ
ECAD 5780 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF43 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1 V @ 4 a 35 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 100pf @ 4V, 1MHz
SK12H60 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SK12H60 A0G -
RFQ
ECAD 8397 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SK12 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mV @ 12 a 120 µa @ 60 v 200 ° C (() 12a -
RSFMLH Taiwan Semiconductor Corporation RSFMLH 0.1680
RFQ
ECAD 8676 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-rsfmlhtr 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 500 ma 500 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
SK310B Taiwan Semiconductor Corporation SK310B 0.1121
RFQ
ECAD 4239 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SK310 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 3 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
UGF1606G Taiwan Semiconductor Corporation UGF1606G 0.5920
RFQ
ECAD 2823 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 UGF1606 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 16A 1.25 V @ 8 a 25 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C
TSM300NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM300NB06DCR RLG 2.2400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn TSM300 MOSFET (금속 (() 2W (TA), 40W (TC) 8-PDFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 6A (TA), 25A (TC) 30mohm @ 6a, 10V 4.5V @ 250µA 17nc @ 10V 1079pf @ 30v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고