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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1SMA5938 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5938 R3G -
RFQ
ECAD 6142 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5938 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 500 NA @ 27.4 v 36 v 38 옴
ESH2B Taiwan Semiconductor Corporation ESH2B 0.1380
RFQ
ECAD 4951 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ESH2 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 900 mV @ 2 a 20 ns 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
MUR310SHM6G Taiwan Semiconductor Corporation MUR310SHM6G -
RFQ
ECAD 9354 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC MUR310 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 875 mv @ 3 a 25 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
SFT12G R0G Taiwan Semiconductor Corporation SFT12G R0G -
RFQ
ECAD 2095 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 T-18, 축, SFT12 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
PU4DBH Taiwan Semiconductor Corporation pu4dbh 0.6300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 930 MV @ 4 a 25 ns 2 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 4a 78pf @ 4V, 1MHz
S1MLS RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1MLS RVG 0.4100
RFQ
ECAD 60 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H S1ML 기준 SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 V @ 1.2 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.2A -
FR155G B0G Taiwan Semiconductor Corporation FR155G B0G -
RFQ
ECAD 6843 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 FR155 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 V @ 1.5 a 250 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
BZD27C150P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C150P RQG -
RFQ
ECAD 1772 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 110 v 147 v 300 옴
1PGSMB5931 Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5931 0.1689
RFQ
ECAD 9752 0.00000000 대만 대만 회사 1pgsmb59 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 3 w DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 13.7 v 18 v 12 옴
SS26L MHG Taiwan Semiconductor Corporation SS26L MHG -
RFQ
ECAD 1141 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS26 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 2 a 400 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
RSFBLHMHG Taiwan Semiconductor Corporation RSFBLHMHG -
RFQ
ECAD 7105 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFBL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
1N4763AHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4763AHR1G -
RFQ
ECAD 1853 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4763 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 69.2 v 91 v 250 옴
BZT52B3V6S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B3V6 0.0340
RFQ
ECAD 8226 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52B 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52B3V6STR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 4.5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
1N5239B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5239B 0.0271
RFQ
ECAD 8581 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5239 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1n5239Btr 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 3 µa @ 7 v 9.1 v 10 옴
2M120ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M120ZHB0G -
RFQ
ECAD 4584 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M120 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 500 NA @ 91.2 v 120 v 325 옴
HS2DAH Taiwan Semiconductor Corporation HS2DAH 0.0948
RFQ
ECAD 9480 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-hs2dahtr 귀 99 8541.10.0080 15,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1.5 a 50 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 50pf @ 4V, 1MHz
BZT52C6V8 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C6V8 0.0412
RFQ
ECAD 3603 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52C 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C6V8tr 귀 99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 ma 1.8 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
HS1GL Taiwan Semiconductor Corporation HS1GL 0.2228
RFQ
ECAD 4035 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-HS1GLTR 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
GBPC3506M Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3506M 3.7238
RFQ
ECAD 8655 0.00000000 대만 대만 회사 GBPC35 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, GBPC-M GBPC3506 기준 GBPC-M 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-GBPC3506M 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 600 v 35 a 단일 단일 600 v
SK53C M6G Taiwan Semiconductor Corporation SK53C M6G -
RFQ
ECAD 5799 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SK53 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
SF18GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation SF18GHR1G -
RFQ
ECAD 7262 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SF18 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
UF1G Taiwan Semiconductor Corporation UF1G 0.0981
RFQ
ECAD 1203 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF1G 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
TSM055N03PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM055N03PQ56 RLG 1.5100
RFQ
ECAD 110 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn TSM055 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 11.1 NC @ 4.5 v ± 20V 1160 pf @ 25 v - 74W (TC)
SS35 V6G Taiwan Semiconductor Corporation SS35 V6G -
RFQ
ECAD 7303 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SS35 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
TSM085P03CV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM085P03CV RGG 2.0100
RFQ
ECAD 82 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn TSM085 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (3.1x3.1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 30 v 64A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 14a, 10V 2.5V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 3234 pf @ 15 v - 50W (TC)
UGF1008GH Taiwan Semiconductor Corporation UGF1008GH 0.4932
RFQ
ECAD 3539 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 UGF1008 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-GUF1008GH 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 10A 1.7 V @ 5 a 25 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
SS34L MHG Taiwan Semiconductor Corporation SS34L MHG -
RFQ
ECAD 7034 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS34 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
BZD27C130P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130P 0.2888
RFQ
ECAD 5856 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 100 v 132.5 v 300 옴
BZX79B3V3 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B3V3 A0G -
RFQ
ECAD 8794 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 1 ma @ 25 v 3.3 v 95 옴
BZD27C200PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C200PHM2G -
RFQ
ECAD 3408 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 150 v 200 v 750 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고