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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZD27C27P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C27P RHG -
RFQ
 ECAD 8032 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 20 v 27 v 15 옴
HERAF806G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HERAF806G C0G -
RFQ
 ECAD 6567 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 HERAF806 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 8 a 80 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 60pf @ 4V, 1MHz
SR304 Taiwan Semiconductor Corporation SR304 0.1619
RFQ
 ECAD 2234 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR304 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
SR204HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR204HB0G -
RFQ
 ECAD 3147 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SR204 Schottky DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 2 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
TSM6502CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM6502CR RLG 2.3700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn TSM6502 MOSFET (금속 (() 40W 8-PDFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 60V 24A (TC), 18A (TC) 34mohm @ 5.4a, 10v, 68mohm @ 4a, 10v 2.5V @ 250µA 10.3nc @ 4.5v, 9.5nc @ 4.5v 1159pf @ 30v, 930pf @ 30v -
UDZS11B RRG Taiwan Semiconductor Corporation UDZS11B RRG -
RFQ
 ECAD 7917 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F UDZS11 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 90 na @ 8 v 11 v 20 옴
TSOD1F2HM RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSOD1F2HM RVG -
RFQ
 ECAD 4738 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F TSOD1 기준 SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 4pf @ 4V, 1MHz
BZT52B6V8-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B6V8-G RHG 0.0461
RFQ
 ECAD 2141 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52B 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
MBR1050HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1050HC0G -
RFQ
 ECAD 8851 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR1050 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 800 mV @ 10 a 100 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
ES1JLHRTG Taiwan Semiconductor Corporation es1jlhrtg -
RFQ
 ECAD 7175 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1J 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
UGF2007G C0G Taiwan Semiconductor Corporation UGF2007G C0G -
RFQ
 ECAD 7364 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 UGF2007 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 500 v 20A 1.7 V @ 10 a 25 ns 5 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C
SK510C Taiwan Semiconductor Corporation SK510C 0.1897
RFQ
 ECAD 4940 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC SK510 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 5 a 300 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
BZT52C24 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C24 RHG 0.0416
RFQ
 ECAD 8571 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52C 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 16.8 v 24 v 70 옴
HER105G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER105G B0G -
RFQ
 ECAD 4917 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 HER105 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BZD27C68P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C68P MTG -
RFQ
 ECAD 2116 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 51 v 68 v 80 옴
SR20100PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR20100PT C0G -
RFQ
 ECAD 4717 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SR20100 기준 TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 550 mV @ 10 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 125 ° C
SF2008GH Taiwan Semiconductor Corporation SF2008GH 0.7872
RFQ
 ECAD 4122 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SF2008 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SF2008GH 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 20A 1.7 V @ 10 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
BAS20 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAS20 RFG 0.0322
RFQ
 ECAD 6178 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS20 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 150 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 150 v -65 ° C ~ 150 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
SFT15G Taiwan Semiconductor Corporation sft15g 0.1095
RFQ
 ECAD 5971 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, SFT15 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
GP1602HC0G Taiwan Semiconductor Corporation GP1602HC0G -
RFQ
 ECAD 4505 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 GP1602 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 짐 1 음극 음극 공통 100 v 16A 1.1 v @ 8 a 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
2M47Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M47Z A0G -
RFQ
 ECAD 6114 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M47 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 500 NA @ 35.8 v 47 v 40
BZD27C33P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C33P RTG -
RFQ
 ECAD 2925 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.06% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 24 v 33 v 15 옴
1SMA5949 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5949 R3G -
RFQ
 ECAD 4702 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5949 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 500 NA @ 76 v 100 v 250 옴
MBRS20200CT-Y MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS20200CT-Y MNG -
RFQ
 ECAD 7215 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS20200 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 20A 990 MV @ 10 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C7V5PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C7V5PHMHG -
RFQ
 ECAD 7471 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 50 µa @ 3 v 7.45 v 2 옴
1SMA4753H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4753H 0.0995
RFQ
 ECAD 2833 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4753 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1 µa @ 27.4 v 36 v 50 옴
1N4755AHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4755AHA0G -
RFQ
 ECAD 3990 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4755 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 32.7 v 43 v 70 옴
S8GC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S8GC R7G -
RFQ
 ECAD 6577 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S8GC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 985 MV @ 8 a 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 48pf @ 4V, 1MHz
TSM340N06CH X0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM340N06CH X0G 1.8500
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 ECAD 15 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK TSM340 MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 30A (TC) 4.5V, 10V 34mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 16.6 NC @ 10 v ± 20V 1180 pf @ 30 v - 66W (TC)
TSM4N80CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4N80CZ C0G -
RFQ
 ECAD 3483 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TSM4N80 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 800 v 4A (TC) 10V 3ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 955 pf @ 25 v - 38.7W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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