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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
1SMA5933 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5933 0.0935
RFQ
ECAD 7151 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5933 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 500 NA @ 16.7 v 22 v 17.5 옴
MBR2545CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR2545CT -
RFQ
ECAD 4263 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR2545 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 25A 850 mV @ 25 a 200 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
HERAF804G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HERAF804G C0G -
RFQ
ECAD 5628 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 HERAF804 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1 V @ 8 a 50 ns 10 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 80pf @ 4V, 1MHz
SF14GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF14GHA0G -
RFQ
ECAD 6940 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SF14 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
SS22LHMTG Taiwan Semiconductor Corporation SS22LHMTG -
RFQ
ECAD 1714 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS22 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
HS3J Taiwan Semiconductor Corporation HS3J 0.2021
RFQ
ECAD 7487 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC HS3J 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 75 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
MBRS20H150CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS20H150CT MNG -
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ECAD 1500 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS20 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 20A 970 MV @ 2 a 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
HS1GL MQG Taiwan Semiconductor Corporation HS1GL MQG -
RFQ
ECAD 7257 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab HS1G 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
SK83CHR7G Taiwan Semiconductor Corporation SK83CHR7G -
RFQ
ECAD 4809 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SK83 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 8 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 8a -
RYBS30M M2G Taiwan Semiconductor Corporation RYBS30M M2G 0.9700
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ECAD 1 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 리드 RYBS30 기준 YBS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1.3 v @ 3 a 5 µa @ 1000 v 3 a 단일 단일 1kv
SS22LH Taiwan Semiconductor Corporation SS22LH 0.3210
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ECAD 8147 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 SS22 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SS22LHTR 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
1N4936G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4936G 0.0577
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ECAD 4387 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4936 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
BC338-40-B0 A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC338-40-B0 A1 -
RFQ
ECAD 4614 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92 - 영향을받지 영향을받지 1801-BC338-40-B0A1TB 쓸모없는 1 25 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 5V 100MHz
RS2A Taiwan Semiconductor Corporation RS2A -
RFQ
ECAD 7959 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-rs2atr 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 50pf @ 4V, 1MHz
2M39Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M39Z A0G -
RFQ
ECAD 8793 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M39 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 500 NA @ 29.7 v 39 v 30 옴
HER202G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER202G B0G -
RFQ
ECAD 1835 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 HER202 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 35pf @ 4V, 1MHz
SS36L R3G Taiwan Semiconductor Corporation SS36L R3G -
RFQ
ECAD 5303 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS36 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 3 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SRS10150H Taiwan Semiconductor Corporation SRS10150H 0.7126
RFQ
ECAD 8039 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRS10150 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 1 V @ 5 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
UGF10L08G C0G Taiwan Semiconductor Corporation UGF10L08G C0G -
RFQ
ECAD 1910 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 UGF10 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 10A 1.7 V @ 5 a 25 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
HER308G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER308G B0G -
RFQ
ECAD 2741 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 HER308 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 35pf @ 4V, 1MHz
SR805HA0G Taiwan Semiconductor Corporation sr805ha0g -
RFQ
ECAD 5381 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR805 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 8 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
SK34AH Taiwan Semiconductor Corporation SK34AH 0.4700
RFQ
ECAD 15 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SK34 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
TSS40L RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSS40L RWG -
RFQ
ECAD 8138 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 1005 (2512 25) TSS40 Schottky 1005 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 1 v @ 40 ma 5 ns 200 na @ 30 v -65 ° C ~ 125 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
SFT16GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SFT16GHA0G -
RFQ
ECAD 2553 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, SFT16 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
MTZJ30SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ30SA R0G 0.0305
RFQ
ECAD 7172 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj30 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 23 v 27.69 v 55 옴
BZT52B18 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B18 0.0412
RFQ
ECAD 6752 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52B 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52B18TR 귀 99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 12.6 v 18 v 45 옴
SR106HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR106HB0G -
RFQ
ECAD 2831 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR106 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
S12GC M6G Taiwan Semiconductor Corporation S12GC M6G -
RFQ
ECAD 5736 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S12G 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1.1 v @ 12 a 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a 78pf @ 4V, 1MHz
BZV55C39 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C39 L1G -
RFQ
ECAD 5875 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 V @ 10 ma 100 na @ 28 v 39 v 90 옴
SS1H4LSH Taiwan Semiconductor Corporation ss1h4lsh 0.1224
RFQ
ECAD 2387 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H SS1H4 Schottky SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SS1H4LSHTR 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 650 mV @ 1 a 1 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고