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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RN1102CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1102CT(TPL3) -
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 ECAD 2266 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN1102 50mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 60 @ 10mA, 5V 10kΩ 10kΩ
RN1908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1908 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22k옴 47k옴
CUS15I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CUS15I30A(TE85L,QM -
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 ECAD 3931 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-76, SOD-323 CUS15I30 쇼트키 US-FLAT(1.25x2.5) 다운로드 RoHS 준수 CUS15I30A(TE85LQM EAR99 8541.10.0080 4,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 460mV @ 1.5A 30V에서 60μA 150°C(최대) 1.5A 50pF @ 10V, 1MHz
TJ40S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ40S04M3L(T6L1,NQ 1.7200
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 ECAD 1939년 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TJ40S04 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 P채널 40V 40A(타) 6V, 10V 9.1m옴 @ 20A, 10V 3V @ 1mA 83nC @ 10V +10V, -20V 10V에서 4140pF - 68W(Tc)
1SS302TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS302TE85LF -
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 ECAD 9514 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-70, SOT-323 1SS302 기준 SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍 직렬 연결 80V 100mA 1.2V @ 100mA 4ns 80V에서 500nA 125°C(최대)
TTA1713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTA1713-GR,LF 0.3100
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TTA1713 200mW S-미니 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 45V 500mA 100nA(ICBO) PNP 400mV @ 50mA, 500mA 180 @ 100mA, 1V 80MHz
S1PA7[UD] Toshiba Semiconductor and Storage S1PA7[UD] -
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 ECAD 1361 0.00000000 도시바 및 저장 - 쟁반 활동적인 - 1(무제한) 190-S1PA7[UD] EAR99 8541.29.0095 100
2SA1586-Y(T5LND,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-Y(T5LND,F) -
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 ECAD 5318 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) 264-2SA1586-Y(T5LNDF)TR EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 80MHz
RN1901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901,LF(CT 0.2600
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1901 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7k옴 1k옴
GT60N321(Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT60N321(Q) -
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 ECAD 5273 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3PL GT60N321 기준 170W TO-3P(LH) - 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 100 - 2.5μs - 1000V 60A 120A 2.8V @ 15V, 60A - 330ns/700ns
2SA2056(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2056(TE85L,F) 0.1275
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 ECAD 9013 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA2056 625mW TSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 2A 100nA(ICBO) PNP 200mV @ 33mA, 1A 200 @ 300mA, 2V -
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TJ8S06M3L(T6L1,NQ) 1.2600
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 ECAD 9068 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TJ8S06 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 P채널 60V 8A(타) 6V, 10V 104m옴 @ 4A, 10V 3V @ 1mA 19nC @ 10V +10V, -20V 10V에서 890pF - 27W(Tc)
2SJ377(TE16R1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ377(TE16R1,NQ) -
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 ECAD 5182 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SJ377 MOSFET(금속) PW-MOLD 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 P채널 60V 5A(타) 4V, 10V 190m옴 @ 2.5A, 10V 2V @ 1mA 22nC @ 10V ±20V 10V에서 630pF - 20W(Tc)
RN4608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4608(TE85L,F) 0.4800
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN4608 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22k옴 47k옴
2SC4793(PAIO,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793(파이오,F,M) -
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 ECAD 2353 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC4793 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 230V 1A 1μA(ICBO) NPN 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 100MHz
2SK2963(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2963(TE12L,F) -
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 ECAD 5608 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SK2963 MOSFET(금속) PW-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1,000 N채널 100V 1A(타) 4V, 10V 700m옴 @ 500mA, 10V 2V @ 1mA 6.3nC @ 10V ±20V 10V에서 140pF - 500mW(타)
RN1318(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1318(TE85L,F) 0.2800
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 ECAD 470 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1318 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 10kΩ
SSM6P39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P39TU,LF 0.4800
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6P39 MOSFET(금속) 500mW(타) UF6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 20V 1.5A(타) 213m옴 @ 1A, 4V 1V @ 1mA 6.4nC @ 4V 250pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.8V 드라이브
RN1901FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1901FETE85LF 0.3900
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 ECAD 5438 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1901 100mW ES6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7k옴 4.7k옴
TPN13008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN13008NH,L1Q 1.0600
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 ECAD 656 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPN13008 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 80V 18A(TC) 10V 13.3m옴 @ 9A, 10V 4V @ 200μA 18nC @ 10V ±20V 40V에서 1600pF - 700mW(Ta), 42W(Tc)
SSM3J35AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35AFS,LF 0.2600
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 ECAD 15 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SC-75, SOT-416 SSM3J35 MOSFET(금속) SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 250mA(타) 1.2V, 4.5V 1.4옴 @ 150mA, 4.5V 1V @ 100μA ±10V 10V에서 42pF - 150mW(타)
TK25E60X5,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK25E60X5,S1X 4.5900
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK25E60 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 25A(타) 10V 140m옴 @ 7.5A, 10V 4.5V @ 1.2mA 60nC @ 10V ±30V 300V에서 2400pF - 180W(Tc)
TK13A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A60D(STA4,Q,M) -
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 ECAD 6841 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK13A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 13A(타) 10V 430m옴 @ 6.5A, 10V 4V @ 1mA 40nC @ 10V ±30V 2300pF @ 25V - 50W(Tc)
RN1303,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1303,LXHF 0.3900
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1303 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22kΩ 22kΩ
TDTC123J,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC123J,LM 0.1800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTC123 320mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ
RN2311,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2311,LXHF 0.3900
보상요청
 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2311 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 10kΩ
SSM3K303T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K303T(TE85L,F) -
보상요청
 ECAD 5500 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K303 MOSFET(금속) TSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 2.9A(타) 4V, 10V 83m옴 @ 1.5A, 10V 2.6V @ 1mA 3.3nC @ 4V ±20V 10V에서 180pF - 700mW(타)
RN1404S,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1404S,LF -
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 ECAD 8748 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1404 200mW S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 47kΩ
CRZ47(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ47(TE85L,Q) -
보상요청
 ECAD 3679 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±10% -40°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-123F CRZ47 700mW S플랫(1.6x3.5) 다운로드 1(무제한) CRZ47TR-NDR EAR99 8541.10.0050 3,000 1V @ 200mA 37.6V에서 10μA 47V 65옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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