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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 속도 FET 종류 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
SSM6J512NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J512NU,LF 0.4800
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 ECAD 31 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-WDFN옆패드 SSM6J512 MOSFET(금속) 6-UDFNB(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 12V 10A(타) 1.8V, 8V 16.2m옴 @ 4A, 8V 1V @ 1mA 19.5nC @ 4.5V ±10V 6V에서 1400pF - 1.25W(타)
2SC2655-Y(T6STL,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y(T6STL,FM -
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 ECAD 1155 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2655 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN2606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2606(TE85L,F) 0.4800
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 ECAD 910 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN2606 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7k옴 47k옴
RN1105MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1105MFV,L3XHF(CT 0.3400
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 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1105 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 2.2kΩ 47kΩ
MT3S111P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111P(TE12L,F) 0.3863
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 ECAD 3458 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA MT3S111 1W PW-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1,000 10.5dB 6V 100mA NPN 200 @ 30mA, 5V 8GHz 1.25dB @ 1GHz
2SC3265-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3265-Y,LF 0.4400
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3265 200mW TO-236 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 25V 800mA 100nA(ICBO) NPN 400mV @ 20mA, 500mA 160 @ 100mA, 1V 120MHz
1SS294,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS294,LF 0.3300
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS294 쇼트키 S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 40V 600mV @ 100mA 40V에서 5μA 125°C(최대) 100mA 25pF @ 0V, 1MHz
RN2105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2105CT(TPL3) -
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 ECAD 2702 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN2105 50mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 120 @ 10mA, 5V 2.2kΩ 47kΩ
2SA1761,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1761,T6F(M -
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 ECAD 8519 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1761 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 3A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 75mA, 1.5A 120 @ 100mA, 2V 100MHz
TRS6E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS6E65F,S1Q 2.7600
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 ECAD 40 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-2 TRS6E65 SiC(탄화규소) 쇼트키 TO-220-2L 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 50 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 650V 1.6V @ 6A 0ns 650V에서 30μA 175°C(최대) 6A 22pF @ 650V, 1MHz
TJ9A10M3,S4Q Toshiba Semiconductor and Storage TJ9A10M3,S4Q -
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 ECAD 3753 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 TJ9A10 MOSFET(금속) TO-220SIS - 264-TJ9A10M3S4Q EAR99 8541.29.0095 50 P채널 100V 9A(타) 10V 170m옴 @ 4.5A, 10V 4V @ 1mA 47nC @ 10V ±20V 2900pF @ 10V - 19W(Tc)
2SC2229-Y(MIT1,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y(MIT1,F,M -
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 ECAD 1503 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2229 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 70 @ 10mA, 5V 120MHz
TK90S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK90S06N1L,LXHQ 1.7200
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 ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK90S06 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 60V 90A(타) 4.5V, 10V 3.3m옴 @ 45A, 10V 500μA에서 2.5V 81nC @ 10V ±20V 10V에서 5400pF - 157W(Tc)
2SK4016(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4016(Q) -
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 ECAD 1323 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SK4016 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 13A(타) 10V 500m옴 @ 6.5A, 10V 4V @ 1mA 62nC @ 10V ±30V 3100pF @ 25V - 50W(Tc)
SSM6J50TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J50TU,LF 0.3900
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6J50 MOSFET(금속) UF6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 2.5A(타) 2V, 4.5V 64m옴 @ 1.5A, 4.5V 200μA에서 1.2V ±10V 10V에서 800pF - 500mW(타)
TPN8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN8R903NL,LQ 0.7400
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPN8R903 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 20A(TC) 4.5V, 10V 8.9m옴 @ 10A, 10V 100μA에서 2.3V 9.8nC @ 4.5V ±20V 15V에서 820pF - 700mW(Ta), 22W(Tc)
2SC4116-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116-GR,LF 0.1800
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 ECAD 39 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SC4116 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 10mA, 100mA 70 @ 2mA, 6V 80MHz
TK39J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK39J60W,S1VQ 10.7200
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 TK39J60 MOSFET(금속) TO-3P(엔) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 25 N채널 600V 38.8A(타) 10V 65m옴 @ 19.4A, 10V 3.7V @ 1.9mA 110nC @ 10V ±30V 300V에서 4100pF - 270W(Tc)
SSM3K116TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K116TU,LF 0.5400
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 ECAD 41 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 SSM3K116 MOSFET(금속) UFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 2.2A(타) 2.5V, 4.5V 100m옴 @ 500mA, 4.5V 1.1V @ 100μA ±12V 10V에서 245pF - 500mW(타)
2SA1313-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1313-O(TE85L,F) 0.0592
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 ECAD 6639 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1313 200mW S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 500mA 100nA(ICBO) PNP 250mV @ 10mA, 100mA 70 @ 100mA, 1V 200MHz
SSM3J15CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15CT(TPL3) -
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 ECAD 1272 0.00000000 도시바 및 저장 π-모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-101, SOT-883 SSM3J15 MOSFET(금속) CST3 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 P채널 30V 100mA(타) 2.5V, 4V 12옴 @ 10mA, 4V - ±20V 9.1pF @ 3V - 100mW(타)
RN1905(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1905(T5L,F,T) 0.3400
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 ECAD 51 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1905 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2k옴 47k옴
RN2108MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2108MFV,L3F 0.2000
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 ECAD 3075 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2108 150mW 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 22kΩ 47kΩ
TK6A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A60D(STA4,Q,M) -
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 ECAD 7254 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK6A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TK6A60DSTA4QM EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 6A(타) 10V 1.25옴 @ 3A, 10V 4V @ 1mA 16nC @ 10V ±30V 25V에서 800pF - 40W(Tc)
TK42E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK42E12N1,S1X 1.3700
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 ECAD 5104 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK42E12 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) TK42E12N1S1X EAR99 8541.29.0095 50 N채널 120V 88A(Tc) 10V 9.4m옴 @ 21A, 10V 4V @ 1mA 52nC @ 10V ±20V 60V에서 3100pF - 140W(Tc)
2SA1586-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-GR,LF 0.1800
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 ECAD 18 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SA1586 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
TPCF8A01(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8A01(TE85L) -
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 ECAD 1987년 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TPCF8A01 MOSFET(금속) VS-8(2.9x1.5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 N채널 20V 3A(타) 2V, 4.5V 49m옴 @ 1.5A, 4.5V 200μA에서 1.2V 7.5nC @ 5V ±12V 10V에서 590pF 쇼트키 다이오드(절연) 330mW(타)
RN1115,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1115,LXHF(CT 0.3300
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1115 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 10kΩ
SSM3K324R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K324R,LF 0.4500
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 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 SSM3K324 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 4A(타) 1.8V, 4.5V 55m옴 @ 4A, 4.5V - ±12V 30V에서 190pF - 1W(타)
2SC2229(TE6SAN1F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229(TE6SAN1F,M -
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 ECAD 3354 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2229 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 70 @ 10mA, 5V 120MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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