SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
CMS05(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS05 (TE12L, Q, M) 0.7800
RFQ
ECAD 192 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 CMS05 Schottky M-FLAT (2.4x3.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 450 mV @ 5 a 800 µa @ 30 v -40 ° C ~ 150 ° C 5a 330pf @ 10V, 1MHz
CMH01(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH01 (TE12L, Q, M) 0.7300
RFQ
ECAD 4215 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 CMH01 기준 M-FLAT (2.4x3.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 980 MV @ 3 a 100 ns 10 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C 3A -
RN2404,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2404, LF 0.0289
RFQ
ECAD 6844 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2404 200 MW S- 미니 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 47 Kohms 47 Kohms
CUS10F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10F30, H3F 0.3400
RFQ
ECAD 43 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 CUS10F30 Schottky USC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 1 a 50 µa @ 30 v 125 ° C (°) 1A 170pf @ 0V, 1MHz
2SA1020-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O, F (J. -
RFQ
ECAD 1486 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1020 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
1SS250(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS250 (TE85L, F) 0.0964
RFQ
ECAD 9531 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS250 기준 SC-59 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 200 v 1.2 v @ 100 ma 60 ns 1 µa @ 200 v 125 ° C (°) 100ma 3pf @ 0V, 1MHz
2SC2235-Y,T6ASHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-y, T6ASHF (j -
RFQ
ECAD 1248 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2235 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 80 @ 100MA, 5V 120MHz
RN4903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4903, LF (Ct 0.2800
RFQ
ECAD 3539 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4903 200MW US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 200MHz, 250MHz 22kohms 22kohms
XPQR3004PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPQR3004PB, LXHQ 6.7900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSIX-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powerbsfn XPQR3004 MOSFET (금속 (() L-TOGL ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 400A (TA) 6V, 10V 0.3mohm @ 200a, 10V 3V @ 1mA 295 NC @ 10 v ± 20V 26910 pf @ 10 v - 750W (TC)
SSM3J117TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J117TU, LF 0.3700
RFQ
ECAD 366 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosii 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 3-smd,, 리드 SSM3J117 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 2A (TA) 4V, 10V 117mohm @ 1a, 10V 2.6v @ 1ma ± 20V 280 pf @ 15 v - 500MW (TA)
2SA965-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-O, F (J. -
RFQ
ECAD 9399 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA965 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA (ICBO) PNP 1V @ 50MA, 500MA 80 @ 100MA, 5V 120MHz
RN4904,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4904, LF 0.2800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4904 200MW US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 47kohms 47kohms
RN1111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1111MFV, L3F 0.1800
RFQ
ECAD 1755 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN1111 150 MW VESM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 10 KOHMS
RN2112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2112CT (TPL3) -
RFQ
ECAD 9368 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN2112 50 MW CST3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 150mv @ 250µa, 5mA 300 @ 1ma, 5V 22 KOHMS
TRS4E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS4E65F, S1Q 2.3700
RFQ
ECAD 174 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 TRS4E65 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2L - 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.6 V @ 4 a 0 ns 20 µa @ 650 v 175 ° C (°) 4a 16pf @ 650V, 1MHz
TPC8036-H(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8036-H (TE12L, QM -
RFQ
ECAD 8992 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u-mosvi-h 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TPC8036 MOSFET (금속 (() 8-SOP (5.5x6.0) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 18A (TA) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 9a, 10V 2.3v @ 1ma 49 NC @ 10 v ± 20V 4600 pf @ 10 v - 1W (TA)
TRS12N65FB,S1F(S Toshiba Semiconductor and Storage TRS12N65FB, S1F (s -
RFQ
ECAD 3099 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 TRS12N65 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247 - rohs 준수 1 (무제한) Trs12n65fbs1f (s 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 650 v 6A (DC) 1.7 V @ 6 a 0 ns 90 µa @ 650 v 175 ° C (°)
RN2413TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2413TE85LF 0.2900
RFQ
ECAD 4597 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2413 200 MW S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 47 Kohms
SSM6J412TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J412TU, LF 0.3700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 SSM6J412 MOSFET (금속 (() UF6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TA) 1.5V, 4.5V 42.7mohm @ 3a, 4.5v 1V @ 1mA 12.8 nc @ 4.5 v ± 8V 840 pf @ 10 v - 1W (TA)
CMS20I40A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS20I40A (TE12L, QM 0.2123
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 CMS20 Schottky M-FLAT (2.4x3.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 520 MV @ 2 a 100 µa @ 40 v 150 ° C (°) 2A 62pf @ 10V, 1MHz
RN1305,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1305, LXHF 0.3900
RFQ
ECAD 6080 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN1305 100MW SC-70 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
RN4981FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4981FE, LF (Ct 0.2600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN4981 100MW ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz, 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
2SA1931(NOMARK,A,Q Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931 (nomark, a, q -
RFQ
ECAD 9650 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SA1931 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 50 v 5 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 200ma, 2a 100 @ 1a, 1v 60MHz
RN2968FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2968FE (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 8211 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN2968 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 22kohms 47kohms
2SA1972,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1972, T6WNLF (J. -
RFQ
ECAD 9783 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1972 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 400 v 500 MA 10µA (ICBO) PNP 1V @ 10MA, 100MA 140 @ 20MA, 5V 35MHz
2SA1761,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1761, T6f (m -
RFQ
ECAD 8519 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1761 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 75ma, 1.5a 120 @ 100MA, 2V 100MHz
SSM6N57NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N57NU, LF 0.4900
RFQ
ECAD 106 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 SSM6N57 MOSFET (금속 (() 1W 6-µdfn (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 4a 46mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 1mA 4NC @ 4.5V 310pf @ 10V -
CUHS15S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15S30, H3F 0.3700
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 Cuhs15 Schottky US2H 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 430 MV @ 1.5 a 500 µa @ 30 v 150 ° C 1.5A 200pf @ 0V, 1MHz
RN4908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908FE, LXHF (Ct 0.3800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN4908 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz, 250MHz 22kohms 47kohms
1SS294,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS294, LF 0.3300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS294 Schottky S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 600 mv @ 100 ma 5 µa @ 40 v 125 ° C (°) 100ma 25pf @ 0V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고