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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 속도 FET 종류 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
TTC004B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTC004B,Q 0.5300
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-225AA, TO-126-3 TTC004 10W TO-126N 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 250 160V 1.5A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 500mA 140 @ 100mA, 5V 100MHz
2SB1457(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457(T6CNO,A,F) -
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 ECAD 2426 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SB1457 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 100V 2A 10μA(ICBO) PNP 1.5V @ 1mA, 1A 2000 @ 1A, 2V 50MHz
TK4R3A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4R3A06PL,S4X 1.3300
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK4R3A06 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 68A(Tc) 4.5V, 10V 7.2m옴 @ 15A, 4.5V 500μA에서 2.5V 48.2nC @ 10V ±20V 3280pF @ 30V - 36W(Tc)
XPH4R10ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH4R10ANB,L1XHQ 2.2600
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 ECAD 34 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-SOIC(0.197", 5.00mm 폭) XPH4R10 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) - 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 100V 70A(타) 6V, 10V 4.1m옴 @ 35A, 10V 3.5V @ 1mA 75nC @ 10V ±20V 4970pF @ 10V - 960mW(Ta), 170W(Tc)
RN4902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902FE,LF(CT 0.2700
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4902 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 10kΩ 10kΩ
TPN2R703NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R703NL,L1Q 1.2100
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPN2R703 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 45A(Tc) 4.5V, 10V 2.7m옴 @ 22.5A, 10V 300μA에서 2.3V 21nC @ 10V ±20V 15V에서 2100pF - 700mW(Ta), 42W(Tc)
CLS01(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS01(TE16R,Q) -
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 ECAD 4086 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 L-플랫™ CLS01 쇼트키 L-FLAT™(4x5.5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 470mV @ 10A 30V에서 1mA -40°C ~ 125°C 10A 530pF @ 10V, 1MHz
2SD1407A-Y(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1407A-Y(F) -
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 ECAD 9090 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SD1407 30W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 100V 5A 100μA(ICBO) NPN 2V @ 400mA, 4A 120 @ 1A, 5V 12MHz
2SA1832-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-GR,LXHF 0.3900
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 표면 실장 SC-75, SOT-416 120mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
TK19A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK19A50W,S5X 2.7800
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 ECAD 9378 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 500V 18.5A(타) 10V 190m옴 @ 7.9A, 10V 790μA에서 3.7V 38nC @ 10V ±30V 300V에서 1350pF - 40W(Tc)
RN1106ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1106ACT(TPL3) -
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 ECAD 1344 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN1106 100mW CST3 - 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 80mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 4.7kΩ 47kΩ
RN2906FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2906 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 47k옴
TK5P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P60W,RVQ 1.8600
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 ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK5P60 MOSFET(금속) DPAK - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 600V 5.4A(타) 10V 900m옴 @ 2.7A, 10V 270μA에서 3.7V 10.5nC @ 10V ±30V 300V에서 380pF - 60W(Tc)
CRZ18(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ18(TE85L,Q) -
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 ECAD 4043 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±10% -40°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-123F CRZ18 700mW S플랫(1.6x3.5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.10.0050 3,000 1V @ 200mA 13V에서 10μA 18V 30옴
RN2967FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2967FE(TE85L,F) -
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 ECAD 6068 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2967 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10kΩ 47k옴
TPH9R506PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R506PL,LQ 0.8300
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 ECAD 112 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPH9R506 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 60V 34A(티씨) 4.5V, 10V 9.5m옴 @ 17A, 10V 2.5V @ 200μA 21nC @ 10V ±20V 30V에서 1910pF - 830mW(Ta), 81W(Tc)
HN4D01JU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4D01JU(TE85L,F) 0.4100
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 HN4D01 기준 5-SSOP 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍 구역 80V 100mA 1.2V @ 100mA 1.6ns 500nA @ 80V 150°C(최대)
SSM3J66MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J66MFV,L3F 0.3800
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 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-723 SSM3J66 MOSFET(금속) 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 P채널 20V 800mA(타) 1.2V, 4.5V 390m옴 @ 800mA, 4.5V 1V @ 1mA 1.6nC @ 4.5V +6V, -8V 10V에서 100pF - 150mW(타)
RN4911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4911FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4911 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz, 250MHz 10kΩ -
1SS361FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS361FV,L3F 0.2000
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 ECAD 6067 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 1SS361 기준 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 8,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍의 세션이 시작됩니다 80V 100mA 1.2V @ 100mA 4ns 500nA @ 80V 150°C(최대)
2SA1931(NOMARK,A,Q Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931(노마크,A,Q -
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 ECAD 9650 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1931 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 50V 5A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 200mA, 2A 100 @ 1A, 1V 60MHz
TK7R7P10PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7R7P10PL,RQ 1.0700
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 ECAD 27 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK7R7P10 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 55A(Tc) 4.5V, 10V 7.7m옴 @ 27.5A, 10V 500μA에서 2.5V 44nC @ 10V ±20V 50V에서 2800pF - 93W(Tc)
RN2417,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2417,LXHF 0.3400
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2417 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200MHz 10kΩ 4.7kΩ
RN4904(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4904(T5L,F,T) -
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 ECAD 1192 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4904 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47k옴 47k옴
1SS413CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS413CT,L3F 0.3000
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 ECAD 32 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-882 1SS413 쇼트키 SOD-882 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 10,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 20V 550mV @ 50mA 500nA @ 20V -55°C ~ 125°C 50mA 3.9pF @ 0V, 1MHz
GT60N321(Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT60N321(Q) -
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 ECAD 5273 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3PL GT60N321 기준 170W TO-3P(LH) - 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 100 - 2.5μs - 1000V 60A 120A 2.8V @ 15V, 60A - 330ns/700ns
TPCA8052-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8052-H(T2L1,VM 1.1300
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 ECAD 19 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVI-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8052 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) 264-TPCA8052-H(T2L1VMTR EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 40V 20A(타) 4.5V, 10V 11.3m옴 @ 10A, 10V 2.3V @ 200μA 25nC @ 10V ±20V 10V에서 2110pF - 1.6W(Ta), 30W(Tc)
2SK2866(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2866(F) -
보상요청
 ECAD 3399 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2SK2866 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 10A(타) 10V 750m옴 @ 5A, 10V 4V @ 1mA 45nC @ 10V ±30V 2040pF @ 10V - 125W(Tc)
1SS401(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS401(TE85L,F) 0.2700
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 ECAD 635 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 1SS401 쇼트키 SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 20V 450mV @ 300mA 20V에서 50μA 125°C(최대) 300mA 46pF @ 0V, 1MHz
TK9A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK9A60D(STA4,Q,M) 2.0200
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 ECAD 49 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK9A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 9A(타) 10V 830m옴 @ 4.5A, 10V 4V @ 1mA 24nC @ 10V ±30V 25V에서 1200pF - 45W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

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