SIC
close

디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 속도 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 냄비에 냄비를 조건으로 Q@VR, F
CUHS15S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15S40,H3F 0.4800
보상요청
 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 CUHS15 쇼트키 US2H 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 510mV @ 1.5A 40V에서 200μA 150°C(최대) 1.5A 170pF @ 0V, 1MHz
XPH6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH6R30ANB,L1XHQ 1.8400
보상요청
 ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-SOIC(0.197", 5.00mm 폭) XPH6R30 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) - 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 100V 45A(타) 6V, 10V 6.3m옴 @ 22.5A, 10V 500μA에서 3.5V 52nC @ 10V ±20V 10V에서 3240pF - 960mW(Ta), 132W(Tc)
RN2106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106MFV,L3XHF(CT 0.3400
보상요청
 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2106 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 47kΩ
CMZ20(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ20(TE12L,Q,M) 0.5400
보상요청
 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±10% -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-128 CMZ20 2W M플랫(2.4x3.8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0050 3,000 1.2V @ 200mA 10μA @ 14V 20V 30옴
RN1909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909,LXHF(CT 0.3500
보상요청
 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1909 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 47k옴 22kΩ
2SA1832-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-Y,LXHF 0.3900
보상요청
 ECAD 690 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 표면 실장 SC-75, SOT-416 120mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 80MHz
SSM3J35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35CTC,L3F 0.3400
보상요청
 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-101, SOT-883 SSM3J35 MOSFET(금속) CST3C 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 P채널 20V 250mA(타) 1.2V, 4.5V 1.4옴 @ 150mA, 4.5V 1V @ 100μA ±10V 10V에서 42pF - 500mW(타)
TPCC8002-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8002-H(TE12LQM -
보상요청
 ECAD 2576 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSV-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-VDFN 옆 패드 TPCC8002 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.3x3.3) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 22A(타) 4.5V, 10V 8.3m옴 @ 11A, 10V 2.5V @ 1mA 27nC @ 10V ±20V 10V에서 2500pF - 700mW(Ta), 30W(Tc)
TPH7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R006PL,L1Q 0.8500
보상요청
 ECAD 22 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPH7R006 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 60V 60A(Tc) 4.5V, 10V 13.5m옴 @ 10A, 4.5V 2.5V @ 200μA 22nC @ 10V ±20V 30V에서 1875pF - 81W(Tc)
TTC5460B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTC5460B,Q(S -
보상요청
 ECAD 9144 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 활동적인 TTC5460 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 250
HN1A01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE-GR,LXHF 0.4500
보상요청
 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 HN1A01 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 PNP(이중) 300mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
TPC6011(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6011(TE85L,F,M) -
보상요청
 ECAD 5591 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 TPC6011 MOSFET(금속) VS-6(2.9x2.8) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 6A(타) 4.5V, 10V 20m옴 @ 3A, 10V 2.5V @ 1mA 14nC @ 10V ±20V 10V에서 640pF - 700mW(타)
CRG01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG01(TE85L,Q,M) -
보상요청
 ECAD 9551 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOD-123F CRG01 기준 S플랫(1.6x3.5) - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 100V 1.1V @ 700mA 100V에서 10μA -40°C ~ 150°C 700mA -
RN2104MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2104MFV,L3XHF(CT 0.3400
보상요청
 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2104 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 47kΩ
TK4A60DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A60DA(STA4,Q,M) -
보상요청
 ECAD 8479 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK4A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 3.5A(타) 10V 2.2옴 @ 1.8A, 10V 4.4V @ 1mA 11nC @ 10V ±30V 490pF @ 25V - -
HN1B04F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04F(TE85L,F) -
보상요청
 ECAD 3334 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 HN1B04 300mW SM6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 500mA 100nA(ICBO) NPN, PNP 250mV @ 10mA, 100mA 70 @ 100mA, 1V 200MHz
TW083Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW083Z65C,S1F 11.4500
보상요청
 ECAD 120 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-247-4 SiC(실리콘 카바이드 및 반도체) TO-247-4L(X) - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 30A(Tc) 18V 118m옴 @ 15A, 18V 600μA에서 5V 28nC @ 18V +25V, -10V 400V에서 873pF - 111W(Tc)
CRY75(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY75(TE85L,Q,M) -
보상요청
 ECAD 7359 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±10% -40°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-123F CRY75 700mW S플랫(1.6x3.5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.10.0050 3,000 1V @ 200mA 4.5V에서 10μA 7.5V 30옴
2SC5459(TOJS,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5459(TOJS,Q,M) -
보상요청
 ECAD 5031 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC5459 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 400V 3A 100μA(ICBO) NPN 1V @ 150mA, 1.2A 20 @ 300mA, 5V -
TPC6008-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage TPC6008-H(TE85L,FM -
보상요청
 ECAD 7556 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVI-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 TPC6008 MOSFET(금속) VS-6(2.9x2.8) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 5.9A(타) 4.5V, 10V 60m옴 @ 3A, 10V 100μA에서 2.3V 4.8nC @ 10V ±20V 10V에서 300pF - 700mW(타)
2SA1954-A(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1954-A(TE85L,F) -
보상요청
 ECAD 8074 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SA1954 100mW SC-70 - 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 12V 500mA 100nA(ICBO) PNP 250mV @ 10mA, 200mA 300 @ 10mA, 2V 130MHz
RN4901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4901FE,LXHF(CT 0.3800
보상요청
 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4901 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 4.7k옴 4.7k옴
1SV323,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV323,H3F 0.3800
보상요청
 ECAD 19 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-79, SOD-523 1SV323 ESC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 4,000 7.1pF @ 4V, 1MHz 하나의 10V 4.3 C1/C4 -
2SC6042,T2WNLQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6042,T2WNLQ(J -
보상요청
 ECAD 6294 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-71 2SC6042 1W MSTM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 375V 1A 100μA(ICBO) NPN 1V @ 100mA, 800mA 100 @ 100mA, 5V -
2SK2962,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962,T6F(M -
보상요청
 ECAD 4332 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SK2962 TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 1A(티제이)
RN4904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4904,LXHF(CT 0.4400
보상요청
 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4904 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 47k옴 47k옴
RN2408,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2408,LXHF 0.3400
보상요청
 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2408 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22kΩ 47kΩ
RN1108,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1108,LXHF(CT 0.3300
보상요청
 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1108 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22kΩ 47kΩ
CUS10I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CUS10I30A(TE85L,QM -
보상요청
 ECAD 5115 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-76, SOD-323 CUS10I30 쇼트키 US-FLAT(1.25x2.5) 다운로드 RoHS 준수 CUS10I30A(TE85LQM EAR99 8541.10.0080 4,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 390mV @ 700mA 30V에서 60μA 150°C(최대) 1A 50pF @ 10V, 1MHz
TK170V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK170V65Z,LQ 3.6700
보상요청
 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSVI 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 4-VSFN 옆형 패드 TK170V65 MOSFET(금속) 4-DFN-EP(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 650V 18A(타) 10V 170m옴 @ 9A, 10V 4V @ 730μA 29nC @ 10V ±30V 300V에서 1635pF - 150W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

견적요청 목록 (0개 항목)
장바구니 목록 (0개 품목)
Wishlist위시리스트(0개 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량: 1

비교 목록(0개 항목)
Enter 키를 눌러 검색하거나 ESC를 눌러 닫으세요.