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불연속 불연속 제품 (2909)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 소음 소음 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
TRS8V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS8V65H, LQ 2.7700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 4-vSfn s 패드 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky 4-DFN-EP (8x8) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,500 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.35 V @ 8 a 0 ns 90 µa @ 650 v 175 ° C 8a 520pf @ 1v, 1MHz
RN1104MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV, L3XHF (CT 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN1104 150 MW VESM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 47 Kohms 47 Kohms
RN2103MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103MFV, L3XHF (CT 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN2103 150 MW VESM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
CRS10I30C(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I30C (TE85L, QM 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F CRS10I30 Schottky S-FLAT (1.6x3.5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 360 MV @ 1 a 100 µa @ 30 v 150 ° C (°) 1A 82pf @ 10V, 1MHz
2SC2655-Y,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y, T6WNLF (J. -
RFQ
 ECAD 2036 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2655 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
2SA949-Y(T6SHRP,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y (T6SHRP, FM -
RFQ
 ECAD 5283 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA949 800MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 150 v 50 MA 100NA (ICBO) PNP 800mv @ 1ma, 10a 70 @ 10ma, 5V 120MHz
1SS383(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS383 (TE85L, F) 0.4000
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-82 1SS383 Schottky USQ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 40 v 100ma 600 mv @ 100 ma 5 µa @ 40 v 125 ° C (°)
2SC2655-Y(T6ND1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y (T6nd1, AF -
RFQ
 ECAD 5882 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2655 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
2SA965-Y,T6KOJPF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-Y, T6KOJPF (J. -
RFQ
 ECAD 5039 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA965 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA (ICBO) PNP 1V @ 50MA, 500MA 80 @ 100MA, 5V 120MHz
RFM01U7P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM01U7P (TE12L, F) 1.2713
RFQ
 ECAD 3591 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 20 v 표면 표면 TO-243AA RFM01U7 520MHz MOSFET PW- 미니 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 1A 100 MA 1.2W 10.8dB - 7.2 v
TPN4R806PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R806PL, L1Q 0.9000
RFQ
 ECAD 4178 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powervdfn TPN4R806 MOSFET (금속 (() 8 1 3. (3.1x3.1) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 72A (TC) 4.5V, 10V 36a, 36a, 10V 2.5V @ 300µA 29 NC @ 10 v ± 20V 2770 pf @ 30 v - 630MW (TA), 104W (TC)
2SC5930(TPF2,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5930 (TPF2, F, M) -
RFQ
 ECAD 9534 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-71 2SC5930 1 W. MSTM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 600 v 1 a 100µA (ICBO) NPN 1V @ 75MA, 600MA 40 @ 200ma, 5V -
HN2D01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2D01JE (TE85L, F) 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-553 HN2D01 기준 ESV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 1.6 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°)
2SK3466(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3466 (TE24L, Q) -
RFQ
 ECAD 2985 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-97 2SK3466 MOSFET (금속 (() 4-TFP (9.2x9.2) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 500 v 5A (TA) 10V 1.5ohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 17 nc @ 10 v ± 30V 780 pf @ 10 v - 50W (TC)
RN1418,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1418, LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 9319 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1418 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 47 Kohms 10 KOHMS
RN2102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2102, LXHF (Ct 0.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN2102 100MW SSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 200MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
RN2703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2703JE (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-553 RN2703 100MW ESV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (이중 이중) (이미 터 커플 링) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 200MHz 22kohms 22kohms
TBAT54A,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAT54A, LM 0.2100
RFQ
 ECAD 5743 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TBAT54 Schottky SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 30 v 100ma 580 mV @ 100 ma 1.5 ns 2 µa @ 25 v 150 ° C (°)
2SC2235-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-y, F (J. -
RFQ
 ECAD 8296 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2235 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 80 @ 100MA, 5V 120MHz
TBAW56,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAW56, LM 0.2100
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 tbaw56 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 짐 1 양극 양극 공통 80 v 215MA -
2SA1313-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1313-O (TE85L, F) 0.0592
RFQ
 ECAD 6639 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1313 200 MW S- 미니 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 10ma, 100ma 70 @ 100MA, 1V 200MHz
TK31A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK31A60W, S4VX 7.4700
RFQ
 ECAD 7047 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK31A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 30.8A (TA) 10V 88mohm @ 15.4a, 10V 3.7v @ 1.5ma 86 NC @ 10 v ± 30V 3000 pf @ 300 v - 45W (TC)
2SA1586-Y(T5LND,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-y (T5lnd, F) -
RFQ
 ECAD 5318 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 100MW SC-70 다운로드 1 (무제한) 264-2SA1586-Y (T5LNDF) TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 80MHz
RN4602TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4602TE85LF 0.3800
RFQ
 ECAD 1144 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 RN4602 300MW sm6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
RN1104,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104, LXHF (Ct 0.3300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN1104 100MW SSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
1SS181,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS181, LF 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS181 기준 S- 미니 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 v 125 ° C (°)
2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326-B, LF 0.4000
RFQ
 ECAD 205 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3326 150 MW TO-236 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 20 v 300 MA 100NA (ICBO) NPN 100mv @ 3ma, 30ma 350 @ 4ma, 2v 30MHz
SSM10N954L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage SSM10N954L, EFF 1.3600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 10-smd,, 없음 MOSFET (금속 (() TCSPAC-153001 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 12 v 13.5A (TA) 2.5V, 4.5V 2.75mohm @ 6a, 4.5v 1.4V @ 1.11ma 25 nc @ 4 v ± 8V - 800MW (TA)
RN1507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1507 (TE85L, F) 0.3500
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RN1507 300MW SMV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 10kohms 47kohms
CMF02A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CMF02A, LQ (m -
RFQ
 ECAD 5343 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 상자 활동적인 표면 표면 SOD-128 기준 M-FLAT (2.4x3.8) 다운로드 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2 v @ 1 a 100 ns 50 µa @ 600 v 150 ° C 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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