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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
SSM3J168F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J168F,LF 0.3700
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J168 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 60V 400mA(타) 4V, 10V 1.9옴 @ 100mA, 4.5V 2V @ 1mA 3nC @ 10V +20V, -16V 10V에서 82pF - 1.2W(타)
2SK2967(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2967(F) -
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 ECAD 8942 0.00000000 도시바 및 저장 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 2SK2967 MOSFET(금속) TO-3P(엔) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 250V 30A(타) 10V 68m옴 @ 15A, 10V 3.5V @ 1mA 132nC @ 10V ±20V 10V에서 5400pF - 150W(Tc)
SSM3J356R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J356R,LXHF 0.4900
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 ECAD 7563 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 264-SSM3J356R,LXHFCT EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 60V 2A(타) 4V, 10V 300m옴 @ 1A, 10V 2V @ 1mA 8.3nC @ 10V +10V, -20V 10V에서 330pF - 1W(타)
RN2703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2703JE(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 31 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-553 RN2703 100mW ESV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22kΩ 22kΩ
RN2110MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2110MFV,L3F 0.2000
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2110 150mW 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 4.7kΩ
RN2910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2910FE,LF(CT 0.2600
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2910 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 4.7k옴 -
TK3A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3A90E,S4X 1.2300
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 264-TK3A90ES4X EAR99 8541.29.0095 50 N채널 900V 2.5A(타) 10V 4.6옴 @ 1.3A, 10V 4V @ 250μA 15nC @ 10V ±30V 25V에서 650pF - 35W(Tc)
SSM6N35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35AFE,LF 0.4000
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 ECAD 43 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6N35 MOSFET(금속) 250mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 2 N채널(듀얼) 20V 250mA(타) 1.1옴 @ 150mA, 4.5V 1V @ 100μA 0.34nC @ 4.5V 36pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.2V 드라이브
SSM14N956L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage SSM14N956L, EFF 1.3700
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 ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 14-SMD, 무연 SSM14 MOSFET(금속) 1.33W(타) TCSPED-302701 - ROHS3 준수 1(무제한) 10,000 2 N채널 12V 20A(타) 1.35m옴 @ 10A, 4.5V 1.4V @ 1.57mA 76nC @ 4V - -
RN4604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4604(TE85L,F) 0.4800
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN4604 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47k옴 47k옴
HN1C01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE-Y,LF 0.3000
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 ECAD 9838 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 HN1C01 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 80MHz
2SC2229-O(T6SHP1FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O(T6SHP1FM -
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 ECAD 4278 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2229 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) 2SC2229OT6SHP1FM EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 70 @ 10mA, 5V 120MHz
2SC4881,LS1SUMIF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4881,LS1SUMIF(M -
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 ECAD 5712 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC4881 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 50V 5A 1μA(ICBO) NPN 400mV @ 125mA, 2.5A 100 @ 1A, 1V 100MHz
CMG06(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMG06(TE12L,Q,M) -
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 ECAD 6508 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOD-128 CMG06 기준 M플랫(2.4x3.8) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) CMG06(TE12LQM) EAR99 8541.10.0080 3,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 600V 1.1V @ 1A 600V에서 10μA -40°C ~ 150°C 1A -
1SS184,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS184,LF 0.2400
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 ECAD 26 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS184 기준 S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍의 세션이 시작됩니다 80V 100mA 1.2V @ 100mA 4ns 500nA @ 80V 125°C(최대)
2SC4915-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4915-O,LF 0.5000
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 ECAD 9220 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 2SC4915 100mW SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 17dB ~ 23dB 30V 20mA NPN 70 @ 1mA, 6V 550MHz 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz
2SC3665-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3665-Y,T2F(J -
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 ECAD 2388 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-71 2SC3665 1W MSTM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
2SC2383-Y(T6DNS,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2383-Y(T6DNS,FM -
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 ECAD 8306 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2383 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 160V 1A 1μA(ICBO) NPN 1.5V @ 50mA, 500mA 60 @ 200mA, 5V 100MHz
RN2910,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2910,LXHF(CT 0.4400
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2910 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 4.7k옴 -
RN1102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102,LXHF(CT 0.3300
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1102 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
RN1909FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1909FE(TE85L,F) 0.3500
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1909 100mW ES6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 47k옴 22kΩ
RN4606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4606(TE85L,F) 0.3800
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 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN4606 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100μA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 4.7k옴 47k옴
RN2111CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2111CT(TPL3) -
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 ECAD 9861 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN2111 50mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 300@1mA, 5V 10kΩ
2SA1162-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-O,LF 0.1700
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1162 150mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
2SC4881(CANO,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4881(카노,F,M) -
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 ECAD 8922 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC4881 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 50V 5A 1μA(ICBO) NPN 400mV @ 125mA, 2.5A 100 @ 1A, 1V 100MHz
2SC2235-Y,T6USNF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y,T6USNF(M -
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 ECAD 4600 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2235 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
TPCA8120,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8120,LQ(CM -
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 ECAD 9207 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8120 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 45A(타) 4.5V, 10V 3m옴 @ 22.5A, 10V 2V @ 1mA 190nC @ 10V +20V, -25V 7420pF @ 10V - 1.6W(Ta), 45W(Tc)
TK31E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK31E60W,S1VX 8.2200
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 ECAD 3779 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK31E60 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 30.8A(타) 10V 88m옴 @ 15.4A, 10V 3.7V @ 1.5mA 86nC @ 10V ±30V 300V에서 3000pF - 230W(Tc)
U20DL2C48A(TE24L,Q Toshiba Semiconductor and Storage U20DL2C48A(TE24L,Q -
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 ECAD 3820 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB U20DL2 기준 TO-220SM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 1,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 200V 20A 980mV @ 10A 35ns 200V에서 50μA -
RN2902FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2902FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2902 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 10k옴 10k옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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