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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
TPN8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN8R903NL,LQ 0.7400
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPN8R903 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 20A(TC) 4.5V, 10V 8.9m옴 @ 10A, 10V 100μA에서 2.3V 9.8nC @ 4.5V ±20V 15V에서 820pF - 700mW(Ta), 22W(Tc)
TK39J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK39J60W,S1VQ 10.7200
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 TK39J60 MOSFET(금속) TO-3P(엔) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 25 N채널 600V 38.8A(타) 10V 65m옴 @ 19.4A, 10V 3.7V @ 1.9mA 110nC @ 10V ±30V 300V에서 4100pF - 270W(Tc)
SSM3K116TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K116TU,LF 0.5400
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 ECAD 41 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 SSM3K116 MOSFET(금속) UFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 2.2A(타) 2.5V, 4.5V 100m옴 @ 500mA, 4.5V 1.1V @ 100μA ±12V 10V에서 245pF - 500mW(타)
2SA1313-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1313-O(TE85L,F) 0.0592
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 ECAD 6639 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1313 200mW S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 500mA 100nA(ICBO) PNP 250mV @ 10mA, 100mA 70 @ 100mA, 1V 200MHz
SSM3J15CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15CT(TPL3) -
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 ECAD 1272 0.00000000 도시바 및 저장 π-모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-101, SOT-883 SSM3J15 MOSFET(금속) CST3 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 P채널 30V 100mA(타) 2.5V, 4V 12옴 @ 10mA, 4V - ±20V 9.1pF @ 3V - 100mW(타)
RN2108MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2108MFV,L3F 0.2000
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 ECAD 3075 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2108 150mW 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 22kΩ 47kΩ
TK6A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A60D(STA4,Q,M) -
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 ECAD 7254 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK6A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TK6A60DSTA4QM EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 6A(타) 10V 1.25옴 @ 3A, 10V 4V @ 1mA 16nC @ 10V ±30V 25V에서 800pF - 40W(Tc)
TK42E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK42E12N1,S1X 1.3700
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 ECAD 5104 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK42E12 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) TK42E12N1S1X EAR99 8541.29.0095 50 N채널 120V 88A(Tc) 10V 9.4m옴 @ 21A, 10V 4V @ 1mA 52nC @ 10V ±20V 60V에서 3100pF - 140W(Tc)
2SA1586-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-GR,LF 0.1800
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 ECAD 18 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SA1586 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
TPCF8A01(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8A01(TE85L) -
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 ECAD 1987년 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TPCF8A01 MOSFET(금속) VS-8(2.9x1.5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 N채널 20V 3A(타) 2V, 4.5V 49m옴 @ 1.5A, 4.5V 200μA에서 1.2V 7.5nC @ 5V ±12V 10V에서 590pF 쇼트키 다이오드(절연) 330mW(타)
SSM3K324R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K324R,LF 0.4500
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 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 SSM3K324 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 4A(타) 1.8V, 4.5V 55m옴 @ 4A, 4.5V - ±12V 30V에서 190pF - 1W(타)
TK10A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A80E,S4X 2.4200
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 ECAD 117 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVIII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK10A80 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 800V 10A(타) 10V 1옴 @ 5A, 10V 4V @ 1mA 46nC @ 10V ±30V 2000pF @ 25V - 50W(Tc)
TK7A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK7A80W,S4X 2.8900
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 800V 6.5A(타) 10V 950m옴 @ 3.3A, 10V 4V @ 280μA 13nC @ 10V ±20V 300V에서 700pF - 35W(Tc)
SSM6N16FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FUTE85LF 0.5000
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 ECAD 600 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N16 MOSFET(금속) 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 20V 100mA 3옴 @ 10mA, 4V 1.1V @ 100μA - 9.3pF @ 3V -
RN2904FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE,LF 0.2600
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 ECAD 4593 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2904 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47k옴 47k옴
RN2310,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2310,LXHF 0.3900
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2310 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 4.7kΩ
RN1104,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104,LF(CT 0.2000
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1104 100mW SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 47kΩ
CMS04(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage CMS04(TE12L) -
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 ECAD 1186 0.00000000 도시바 및 저장 - 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOD-128 CMS04 쇼트키 M플랫(2.4x3.8) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 370mV @ 5A 30V에서 8mA -40°C ~ 125°C 5A -
TK6P53D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK6P53D(T6RSS-Q) 1.4300
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK6P53 MOSFET(금속) D-박 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 525V 6A(타) 10V 1.3옴 @ 3A, 10V 4.4V @ 1mA 12nC @ 10V ±30V 25V에서 600pF - 100W(Tc)
RN1111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1111ACT(TPL3) -
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 ECAD 3758 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN1111 100mW CST3 - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 80mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 120@1mA, 5V 10kΩ
RN2903,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2903,LF -
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 ECAD 1909년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2903 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22k옴 22k옴
TK5A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK5A60W,S4VX 2.1100
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 ECAD 7138 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK5A60 MOSFET(금속) TO-220SIS - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 5.4A(타) 10V 900m옴 @ 2.7A, 10V 270μA에서 3.7V 10.5nC @ 10V ±30V 300V에서 380pF - 30W(Tc)
RN1904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904,LXHF(CT 0.3600
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1904 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47k옴 47k옴
TRS24N65FB,S1F(S Toshiba Semiconductor and Storage TRS24N65FB,S1F(S -
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 ECAD 9125 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-247-3 TRS24N65 SiC(탄화규소) 쇼트키 TO-247 - RoHS 준수 1(무제한) TRS24N65FBS1F(S EAR99 8541.10.0080 30 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 1쌍의 세션이 시작됩니다 650V 12A(DC) 1.7V @ 12A 0ns 650V에서 90μA 175°C(최대)
RN1117(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1117(TE85L,F) 0.3900
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1117 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 4.7kΩ
CMH08A(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH08A(TE12L,Q,M) -
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 ECAD 7466 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOD-128 CMH08A 기준 M플랫(2.4x3.8) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 400V 1.8V @ 2A 35ns 400V에서 10μA -40°C ~ 150°C 2A -
RN2111,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2111,LXHF(CT 0.3300
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2111 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 10kΩ
TTA1713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTA1713-GR,LF 0.3100
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TTA1713 200mW S-미니 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 45V 500mA 100nA(ICBO) PNP 400mV @ 50mA, 500mA 180 @ 100mA, 1V 80MHz
CUS15I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CUS15I30A(TE85L,QM -
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 ECAD 3931 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-76, SOD-323 CUS15I30 쇼트키 US-FLAT(1.25x2.5) 다운로드 RoHS 준수 CUS15I30A(TE85LQM EAR99 8541.10.0080 4,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 460mV @ 1.5A 30V에서 60μA 150°C(최대) 1.5A 50pF @ 10V, 1MHz
RN1908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1908 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22k옴 47k옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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