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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
RN2112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2112CT(TPL3) -
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 ECAD 9368 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN2112 50mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 300@1mA, 5V 22kΩ
RN2304(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2304(TE85L,F) -
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 ECAD 1220 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2304 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47kΩ 47kΩ
CMS15(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS15(TE12L,Q,M) 0.6800
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 CMS15 쇼트키 M플랫(2.4x3.8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 60V 580mV @ 3A 60V에서 300μA -40°C ~ 150°C 3A 102pF @ 10V, 1MHz
2SC5087YTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5087YTE85LF -
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 ECAD 9624 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 SC-61AA 2SC5087 150mW SMQ - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 13dB 12V 80mA NPN 120 @ 20mA, 10V 7GHz 1.1dB @ 1GHz
HN1C01FYTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FYTE85LF 0.3300
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 ECAD 3827 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 HN1C01 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 80MHz
2SC3138-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3138-Y(TE85L,F) -
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 ECAD 5873 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3138 150mW TO-236 - 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 200V 50mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 120 @ 10mA, 3V 100MHz
TK6P53D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK6P53D(T6RSS-Q) 1.4300
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK6P53 MOSFET(금속) D-박 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 525V 6A(타) 10V 1.3옴 @ 3A, 10V 4.4V @ 1mA 12nC @ 10V ±30V 25V에서 600pF - 100W(Tc)
SSM3K116TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K116TU,LF 0.5400
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 ECAD 41 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 SSM3K116 MOSFET(금속) UFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 2.2A(타) 2.5V, 4.5V 100m옴 @ 500mA, 4.5V 1.1V @ 100μA ±12V 10V에서 245pF - 500mW(타)
SSM6N16FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FUTE85LF 0.5000
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 ECAD 600 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N16 MOSFET(금속) 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 20V 100mA 3옴 @ 10mA, 4V 1.1V @ 100μA - 9.3pF @ 3V -
2SA1761,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1761,T6F(M -
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 ECAD 8519 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1761 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 3A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 75mA, 1.5A 120 @ 100mA, 2V 100MHz
RN2904FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE,LF 0.2600
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 ECAD 4593 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2904 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47k옴 47k옴
1SS309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS309(TE85L,F) 0.4100
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 ECAD 385 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74A, SOT-753 1SS309 기준 SMV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 4분기쯤 80V 100mA 1.2V @ 100mA 4ns 80V에서 500nA 125°C(최대)
RN2903,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2903,LF -
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 ECAD 1909년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2903 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22k옴 22k옴
RN2105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2105CT(TPL3) -
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 ECAD 2702 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN2105 50mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 120 @ 10mA, 5V 2.2kΩ 47kΩ
SSM3J15CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15CT(TPL3) -
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 ECAD 1272 0.00000000 도시바 및 저장 π-모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-101, SOT-883 SSM3J15 MOSFET(금속) CST3 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 P채널 30V 100mA(타) 2.5V, 4V 12옴 @ 10mA, 4V - ±20V 9.1pF @ 3V - 100mW(타)
RN1111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1111ACT(TPL3) -
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 ECAD 3758 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN1111 100mW CST3 - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 80mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 120@1mA, 5V 10kΩ
TPN8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN8R903NL,LQ 0.7400
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPN8R903 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 20A(TC) 4.5V, 10V 8.9m옴 @ 10A, 10V 100μA에서 2.3V 9.8nC @ 4.5V ±20V 15V에서 820pF - 700mW(Ta), 22W(Tc)
TK39J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK39J60W,S1VQ 10.7200
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 TK39J60 MOSFET(금속) TO-3P(엔) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 25 N채널 600V 38.8A(타) 10V 65m옴 @ 19.4A, 10V 3.7V @ 1.9mA 110nC @ 10V ±30V 300V에서 4100pF - 270W(Tc)
2SA1588-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1588-GR,LF 0.2700
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SA1588 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 500mA 100nA(ICBO) PNP 250mV @ 10mA, 100mA 200 @ 100mA, 1V 200MHz
TK42E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK42E12N1,S1X 1.3700
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 ECAD 5104 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK42E12 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) TK42E12N1S1X EAR99 8541.29.0095 50 N채널 120V 88A(Tc) 10V 9.4m옴 @ 21A, 10V 4V @ 1mA 52nC @ 10V ±20V 60V에서 3100pF - 140W(Tc)
2SA1586-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-GR,LF 0.1800
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 ECAD 18 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SA1586 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
CMS04(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage CMS04(TE12L) -
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 ECAD 1186 0.00000000 도시바 및 저장 - 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOD-128 CMS04 쇼트키 M플랫(2.4x3.8) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 370mV @ 5A 30V에서 8mA -40°C ~ 125°C 5A -
RN2310,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2310,LXHF 0.3900
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2310 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 4.7kΩ
RN4985,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985,LXHF(CT 0.4400
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4985 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 2.2kΩ 47k옴
TK6A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A60D(STA4,Q,M) -
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 ECAD 7254 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK6A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TK6A60DSTA4QM EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 6A(타) 10V 1.25옴 @ 3A, 10V 4V @ 1mA 16nC @ 10V ±30V 25V에서 800pF - 40W(Tc)
2SA1680,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680,T6F(J -
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 ECAD 4464 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1680 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 120 @ 100mA, 2V 100MHz
1SS387,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS387,L3F 0.2300
보상요청
 ECAD 107 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-79, SOD-523 1SS387 기준 ESC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 8,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 80V 1.2V @ 100mA 4ns 80V에서 500nA 125°C(최대) 100mA 0.5pF @ 0V, 1MHz
RN2108MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2108MFV,L3F 0.2000
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 ECAD 3075 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2108 150mW 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 22kΩ 47kΩ
TK7A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK7A80W,S4X 2.8900
보상요청
 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 800V 6.5A(타) 10V 950m옴 @ 3.3A, 10V 4V @ 280μA 13nC @ 10V ±20V 300V에서 700pF - 35W(Tc)
SSM6J50TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J50TU,LF 0.3900
보상요청
 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6J50 MOSFET(금속) UF6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 2.5A(타) 2V, 4.5V 64m옴 @ 1.5A, 4.5V 200μA에서 1.2V ±10V 10V에서 800pF - 500mW(타)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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