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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RN2417,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2417,LXHF 0.3400
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2417 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200MHz 10kΩ 4.7kΩ
CRZ47(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ47(TE85L,Q) -
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 ECAD 3679 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±10% -40°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-123F CRZ47 700mW S플랫(1.6x3.5) 다운로드 1(무제한) CRZ47TR-NDR EAR99 8541.10.0050 3,000 1V @ 200mA 37.6V에서 10μA 47V 65옴
RN2105ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2105ACT(TPL3) 0.0527
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 ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN2105 100mW CST3 - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 80mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 2.2kΩ 47kΩ
TK49N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK49N65W5,S1F 11.8200
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 ECAD 45 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-247-3 TK49N65 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 49.2A(타) 10V 57m옴 @ 24.6A, 10V 4.5V @ 2.5mA 185nC @ 10V ±30V 300V에서 6500pF - 400W(Tc)
TDTC123J,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC123J,LM 0.1800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTC123 320mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ
RN2311,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2311,LXHF 0.3900
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2311 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 10kΩ
SSM3K303T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K303T(TE85L,F) -
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 ECAD 5500 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K303 MOSFET(금속) TSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 2.9A(타) 4V, 10V 83m옴 @ 1.5A, 10V 2.6V @ 1mA 3.3nC @ 4V ±20V 10V에서 180pF - 700mW(타)
RN2602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2602(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 3213 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN2602 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 10k옴 10k옴
TK10S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10S04K3L(T6L1,NQ -
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 ECAD 6481 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK10S04 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 40V 10A(타) 6V, 10V 28m옴 @ 5A, 10V 3V @ 1mA 10nC @ 10V ±20V 10V에서 410pF - 25W(Tc)
RN1117(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1117(TE85L,F) 0.3900
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1117 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 4.7kΩ
RN1904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904,LXHF(CT 0.3600
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1904 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 47kΩ
RN2111,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2111,LXHF(CT 0.3300
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2111 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 10kΩ
SSM6K406TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K406TU,LF 0.5200
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6K406 MOSFET(금속) UF6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 4.4A(타) 4.5V, 10V 25m옴 @ 2A, 10V 2.5V @ 1mA 12.4nC @ 10V ±20V 490pF @ 15V - 500mW(타)
2SC3668-Y,T2WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3668-Y,T2WNLF(J -
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 ECAD 8244 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-71 2SC3668 1W MSTM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TK190A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK190A65Z,S4X 3.0000
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 ECAD 12 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSVI 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK190A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 15A(타) 10V 190m옴 @ 7.5A, 10V 4V @ 610μA 25nC @ 10V ±30V 300V에서 1370pF - 40W(Tc)
TW060N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW060N120C,S1F 19.8400
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 ECAD 4984 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-247-3 SiCFET(탄화규소) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 1200V 36A(티씨) 18V 78m옴 @ 18A, 18V 5V @ 4.2mA 46nC @ 18V +25V, -10V 800V에서 1530pF - 170W(Tc)
RN1967FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1967FE(TE85L,F) -
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 ECAD 7266 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1967 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 10k옴 47kΩ
2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK879-GR(TE85L,F) 0.4200
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SK879 100mW USM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 8.2pF @ 10V 10V에서 2.6mA 400mV @ 100nA
TK25S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25S06N1L,LQ 1.0300
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 ECAD 5833 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK25S06 MOSFET(금속) DPAK+ - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 60V 25A(타) 4.5V, 10V 18.5m옴 @ 12.5A, 10V 100μA에서 2.5V 15nC @ 10V ±20V 10V에서 855pF - 57W(Tc)
RN2305,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2305,LXHF 0.3900
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2305 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 2.2kΩ 47kΩ
1SS306TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS306TE85LF 0.4400
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-61AA 1SS306 기준 SC-61B 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 2개의 면 200V 100mA 1.2V @ 100mA 60ns 200V에서 1μA 125°C(최대)
TK8A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A45DA(STA4,Q,M) 1.6400
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 ECAD 6704 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 - 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK8A45 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 450V 7.5A(Tc) - - - -
HN1C01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU-GR,LF 0.3400
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C01 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 250mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
RN1502(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1502(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74A, SOT-753 RN1502 300mW SMV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 10k옴 10k옴
SSM5H08TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H08TU,LF 0.4800
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD(5리드), 플랫 리드 SSM5H08 MOSFET(금속) UFV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 1.5A(타) 2.5V, 4V 160m옴 @ 750mA, 4V 1.1V @ 100μA ±12V 10V에서 125pF 쇼트키 다이오드(절연) 500mW(타)
TK750A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK750A60F,S4X 1.7600
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 ECAD 968 0.00000000 도시바 및 저장 유모식스 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK750A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 10A(타) 10V 750m옴 @ 5A, 10V 4V @ 1mA 30nC @ 10V ±30V 300V에서 1130pF - 40W(Tc)
TPCP8401(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCPP8401(TE85L,F) -
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 ECAD 5604 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TCPP8401 MOSFET(금속) 1W PS-8(2.9x2.4) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N 및 P 채널 20V, 12V 100mA, 5.5A 3옴 @ 10mA, 4V 1.1V @ 100μA - 9.3pF @ 3V 게임 레벨 레벨
RN4981FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4981FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4981 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
2SC3672-O(T2ASH,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3672-O(T2ASH,FM -
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 ECAD 7881 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-71 2SC3672 1W MSTM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 300V 100mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 2mA, 20mA 30 @ 20mA, 10V 80MHz
SSM3K15AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15AFS,LF 0.2800
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 ECAD 107 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 SSM3K15 MOSFET(금속) SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 100mA(타) 2.5V, 4V 3.6옴 @ 10mA, 4V 1.5V @ 100μA ±20V 13.5pF @ 3V - 100mW(타)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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