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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 속도 FET 종류 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
SSM3K16CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16CT,L3F 0.3200
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ECAD 16 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SC-101, SOT-883 SSM3K16 MOSFET(금속) CST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 20V 100mA(타) 1.5V, 4V 3옴 @ 10mA, 4V 1.1V @ 100μA ±10V 9.3pF @ 3V - 100mW(타)
RN1311,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1311,LXHF 0.3900
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1311 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 250MHz 10kΩ
TPN7R504PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN7R504PL,LQ 0.6100
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ECAD 521 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPN7R504 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 40V 38A(Tc) 4.5V, 10V 7.5m옴 @ 19A, 10V 2.4V @ 200μA 24nC @ 10V ±20V 2040pF @ 20V - 610mW(Ta), 61W(Tc)
2SJ438,Q(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438,Q(M -
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ECAD 8401 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SJ438 TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 5A(티제이)
1SS352,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS352,H3F 0.1800
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ECAD 236 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-76A 1SS352 기준 SC-76-2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 80V 1.2V @ 100mA 4ns 80V에서 500nA 125°C(최대) 100mA 3pF @ 0V, 1MHz
RN1508(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1508(TE85L,F) 0.4700
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74A, SOT-753 RN1508 300mW SMV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22k옴 47k옴
RN2104ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2104ACT(TPL3) -
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ECAD 9312 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN2104 100mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 80mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 47kΩ 47kΩ
RN1903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903,LF(CT 0.2700
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ECAD 55 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1903 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22k옴 22k옴
RN2426(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2426(TE85L,F) 0.4000
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ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2426 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 800mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250mV @ 1mA, 50mA 90 @ 100mA, 1V 200MHz 1kΩ 10kΩ
SSM3K15ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACT(TPL3) 0.0672
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ECAD 1826년 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-101, SOT-883 SSM3K15 MOSFET(금속) CST3 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 30V 100mA(타) 2.5V, 4V 3.6옴 @ 10mA, 4V 1.5V @ 100μA ±20V 13.5pF @ 3V - 100mW(타)
2SA1837(PAIO,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837(파이오,F,M) -
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ECAD 8587 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1837 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 230V 1A 1μA(ICBO) PNP 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 70MHz
TK560P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK560P60Y,RQ 1.4700
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK560P60 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 600V 7A(TC) 10V 560m옴 @ 3.5A, 10V 4V @ 240μA 14.5nC @ 10V ±30V 300V에서 380pF - 60W(Tc)
TK17E65W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK17E65W,S1X 3.2100
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ECAD 3783 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK17E65 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 17.3A(타) 10V 200m옴 @ 8.7A, 10V 900μA에서 3.5V 45nC @ 10V ±30V 300V에서 1800pF - 165W(Tc)
RN1608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1608(TE85L,F) 0.4800
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN1608 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22k옴 47k옴
TK18E10K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK18E10K3,S1X(S -
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ECAD 1444 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK18E10 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 18A(타) 42m옴 @ 9A, 10V - 33nC @ 10V - -
2SA1721RTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1721RTE85LF -
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ECAD 7347 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1721 150mW S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 300V 100mA 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 2mA, 20mA 30 @ 20mA, 10V 50MHz
RN2407,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2407,LXHF 0.3400
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ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2407 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10kΩ 47kΩ
2SC5201(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201(TE6,F,M) -
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ECAD 1063 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC5201 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 600V 50mA 1μA(ICBO) NPN 1V @ 500mA, 20mA 100 @ 20mA, 5V -
TPC8014(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8014(TE12L,Q,M) -
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ECAD 2019 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) TPC8014 MOSFET(금속) 8-SOP(5.5x6.0) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 11A(타) 4.5V, 10V 14m옴 @ 5.5A, 10V 2.5V @ 1mA 39nC @ 10V ±20V 10V에서 1860pF - 1W(타)
CMC02(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMC02(TE12L,Q,M) -
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ECAD 9346 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOD-128 CMC02 기준 M플랫(2.4x3.8) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) CMC02(TE12LQM) EAR99 8541.10.0080 3,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 400V 1V @ 1A 400V에서 10μA -40°C ~ 150°C 1A -
TK5A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK5A60W5,S5VX 1.5900
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ECAD 7625 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220SIS - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 4.5A(타) 10V 950m옴 @ 2.3A, 10V 4.5V @ 230μA 11.5nC @ 10V ±30V 370pF @ 300V - 30W(Tc)
TRS6E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS6E65F,S1Q 2.7600
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ECAD 40 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-2 TRS6E65 SiC(탄화규소) 쇼트키 TO-220-2L 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 50 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 650V 1.6V @ 6A 0ns 650V에서 30μA 175°C(최대) 6A 22pF @ 650V, 1MHz
TPC8111(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8111(TE12L,Q,M) -
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ECAD 7612 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) TPC8111 MOSFET(금속) 8-SOP(5.5x6.0) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 11A(타) 4V, 10V 12m옴 @ 5.5A, 10V 2V @ 1mA 107nC @ 10V ±20V 5710pF @ 10V - 1W(타)
CMF03(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF03(TE12L,Q,M) 0.5300
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 CMF03 기준 M플랫(2.4x3.8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 900V 2.5V @ 500mA 100ns 900V에서 50μA -40°C ~ 125°C 500mA -
1SS416CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS416CT,L3F 0.3000
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ECAD 69 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-882 1SS416 쇼트키 중부표준시2 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 10,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 30V 500mV @ 100mA 30V에서 50μA 125°C(최대) 100mA 15pF @ 0V, 1MHz
TK35E10K3(S1SS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK35E10K3(S1SS-Q) -
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ECAD 8927 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 - 스루홀 TO-220-3 TK35E10 - TO-220 - RoHS 준수 1(무제한) TK35E10K3S1SSQ EAR99 8541.29.0095 50 - - - - - -
TJ9A10M3,S4Q Toshiba Semiconductor and Storage TJ9A10M3,S4Q -
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ECAD 3753 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 TJ9A10 MOSFET(금속) TO-220SIS - 264-TJ9A10M3S4Q EAR99 8541.29.0095 50 P채널 100V 9A(타) 10V 170m옴 @ 4.5A, 10V 4V @ 1mA 47nC @ 10V ±20V 2900pF @ 10V - 19W(Tc)
2SA1182-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1182-Y,LF 0.3300
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ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1182 150mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 500mA 100nA(ICBO) PNP 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 100mA, 1V 200MHz
2SC5065-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5065-O(TE85L,F) -
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ECAD 8403 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SC5065 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 - 12V 30mA NPN 80 @ 10mA, 5V 7GHz 1dB @ 500MHz
TPWR7904PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPWR7904PB,L1XHQ 2.9900
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ECAD 40 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPWR7904 MOSFET(금속) 8-DSOP 어드밴스 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 40V 150A(타) 6V, 10V 0.79m옴 @ 75A, 10V 3V @ 1mA 85nC @ 10V ±20V 10V에서 6650pF - 960mW(Ta), 170W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고