SIC
close

디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
CRS20I40B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I40B(TE85L,QM 0.5000
보상요청
 ECAD 8276 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-123F CRS20I40 쇼트키 S플랫(1.6x3.5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 520mV @ 2A 40V에서 100μA 150°C(최대) 2A 62pF @ 10V, 1MHz
1SS383(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS383(TE85L,F) 0.4000
보상요청
 ECAD 31 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-82 1SS383 쇼트키 USQ 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 2개의 면 40V 100mA 600mV @ 100mA 40V에서 5μA 125°C(최대)
TK155E65Z,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK155E65Z,S1X 3.2600
보상요청
 ECAD 181 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 18A(타) 10V 155m옴 @ 9A, 10V 4V @ 730μA 29nC @ 10V ±30V 300V에서 1635pF - 150W(Tc)
TPC8A02-H(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A02-H(TE12L,Q) -
보상요청
 ECAD 8737 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) TPC8A02 MOSFET(금속) 8-SOP(5.5x6.0) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 16A(타) 4.5V, 10V 5.6m옴 @ 8A, 10V 2.3V @ 1mA 34nC @ 10V ±20V 1970pF @ 10V - 1W(타)
CUS08F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS08F30,H3F 0.3300
보상요청
 ECAD 362 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-76, SOD-323 CUS08F30 쇼트키 USC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 10mA에서 220mV 30V에서 50μA 125°C(최대) 800mA 170pF @ 0V, 1MHz
TW083N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW083N65C,S1F 12.7900
보상요청
 ECAD 175 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-247-3 SiCFET(탄화규소) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 30A(Tc) 18V 113m옴 @ 15A, 18V 600μA에서 5V 28nC @ 18V +25V, -10V 400V에서 873pF - 111W(Tc)
RN46A1(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN46A1(TE85L,F) -
보상요청
 ECAD 2335 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN46A1 300mW SM6 - 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V / 50 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 22k옴, 10k옴 22k옴, 10k옴
RN2906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2906(T5L,F,T) -
보상요청
 ECAD 4115 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2906 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 47kΩ
RN2910(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2910(T5L,F,T) -
보상요청
 ECAD 8410 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2910 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 4.7kΩ -
RN2110,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2110,LF(CT 0.2000
보상요청
 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2110 100mW SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 4.7kΩ
TPC8129,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8129,LQ(S 0.5600
보상요청
 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) TPC8129 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 30V 9A(타) 4.5V, 10V 22m옴 @ 4.5A, 10V 2V @ 200μA 39nC @ 10V +20V, -25V 10V에서 1650pF - 1W(타)
2SD2695,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695,T6F(M -
보상요청
 ECAD 9931 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SD2695 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 60V 2A 10μA(ICBO) NPN 1.5V @ 1mA, 1A 2000 @ 1A, 2V 100MHz
2SD2206(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206(T6CANO,F,M -
보상요청
 ECAD 8223 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SD2206 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 100V 2A 10μA(ICBO) NPN 1.5V @ 1mA, 1A 2000 @ 1A, 2V 100MHz
RN1904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904FE,LXHF(CT 0.3800
보상요청
 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1904 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 47kΩ
TK6P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6P60W,RVQ 1.7400
보상요청
 ECAD 4404 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK6P60 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 600V 6.2A(타) 10V 820m옴 @ 3.1A, 10V 3.7V @ 310μA 12nC @ 10V ±30V 300V에서 390pF - 60W(Tc)
TK6P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6P65W,RQ 1.4000
보상요청
 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK6P65 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 650V 5.8A(타) 10V 1.05옴 @ 2.9A, 10V 180μA에서 3.5V 11nC @ 10V ±30V 300V에서 390pF - 60W(Tc)
2SC2235-O(T6ASN,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O(T6ASN,FM -
보상요청
 ECAD 2868 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2235 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
SSM6P35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35FE,LM -
보상요청
 ECAD 2051년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6P35 MOSFET(금속) 150mW ES6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 2 P채널(듀얼) 20V 100mA 8옴 @ 50mA, 4V 1V @ 1mA - 12.2pF @ 3V -
RN4981FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4981FE,LF(CT 0.2600
보상요청
 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4981 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
2SA1837,YHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837,YHF(J -
보상요청
 ECAD 3098 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1837 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 230V 1A 1μA(ICBO) PNP 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 70MHz
TPC8115(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8115(TE12L,Q,M) -
보상요청
 ECAD 7961 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) TPC8115 MOSFET(금속) 8-SOP(5.5x6.0) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 10A(타) 1.8V, 4.5V 10m옴 @ 5A, 4.5V 200μA에서 1.2V 115nC @ 5V ±8V 9130pF @ 10V - 1W(타)
2SA1837,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837,WNLF(J -
보상요청
 ECAD 5431 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1837 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 230V 1A 1μA(ICBO) PNP 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 70MHz
TK40S10K3Z(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK40S10K3Z(T6L1,NQ -
보상요청
 ECAD 6132 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK40S10 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 100V 40A(타) 10V 18m옴 @ 20A, 10V 4V @ 1mA 61nC @ 10V ±20V 10V에서 3110pF - 93W(Tc)
CUHS15S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15S30,H3F 0.3700
보상요청
 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 CUHS15 쇼트키 US2H 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 430mV @ 1.5A 30V에서 500μA 150°C 1.5A 200pF @ 0V, 1MHz
CRZ15(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ15(TE85L,Q,M) 0.4800
보상요청
 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±10% -40°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-123F CRZ15 700mW S플랫(1.6x3.5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0050 3,000 1V @ 200mA 10V에서 10μA 15V 30옴
RN2102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2102,LXHF(CT 0.3300
보상요청
 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2102 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 10kΩ 10kΩ
RN2303,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2303,LXHF 0.3900
보상요청
 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2303 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22kΩ 22kΩ
TK155A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK155A65Z,S4X 3.1400
보상요청
 ECAD 7428 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSVI 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK155A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 18A(타) 10V 155m옴 @ 9A, 10V 4V @ 730μA 29nC @ 10V ±30V 300V에서 1635pF - 40W(Tc)
HN1D01FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1D01FE(TE85L,F) 0.4500
보상요청
 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 HN1D01 기준 ES6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 4,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 2쌍 구역 80V 100mA 1.2V @ 100mA 1.6ns 80V에서 500nA 150°C(최대)
RN2908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2908(T5L,F,T) -
보상요청
 ECAD 3244 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2908 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47kΩ 22k옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

견적요청 목록 (0개 항목)
장바구니 목록 (0개 품목)
Wishlist위시리스트(0개 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량: 1

비교 목록(0개 항목)
검색하려면 Enter 키를 누르고 닫으려면 ESC 키를 누르세요.