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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
TRS2E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS2E65H,S1Q 1.5500
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 ECAD 300 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-2 SiC(탄화규소) 쇼트키 TO-220-2L - ROHS3 준수 1(무제한) 264-TRS2E65H,S1Q EAR99 8541.10.0080 50 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 650V 1.35V @ 2A 0ns 650V에서 40μA 175°C 2A 135pF @ 1V, 1MHz
RN1118(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1118(TE85L,F) 0.3900
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1118 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 10kΩ
TPCA8051-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8051-H(T2L1,VM -
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 ECAD 9874 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVI-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8051 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 80V 28A(타) 4.5V, 10V 9.4m옴 @ 14A, 10V 2.3V @ 1mA 91nC @ 10V ±20V 7540pF @ 10V - 1.6W(Ta), 45W(Tc)
TK35A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK35A65W,S5X 6.5000
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 ECAD 8817 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK35A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 35A(타) 10V 80m옴 @ 17.5A, 10V 3.5V @ 2.1mA 100nC @ 10V ±30V 300V에서 4100pF - 50W(Tc)
TPH2R306NH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R306NH1,LQ 1.5700
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 8-SOP 고급(5x5.75) - 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 60V 136A(Tc) 6.5V, 10V 2.3m옴 @ 50A, 10V 4V @ 1mA 72nC @ 10V ±20V 30V에서 6100pF - 800mW(Ta), 170W(Tc)
TPCC8066-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8066-H, LQ(S -
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 ECAD 6818 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCC8066 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 11A(타) 4.5V, 10V 15m옴 @ 5.5A, 10V 100μA에서 2.3V 15nC @ 10V ±20V 1100pF @ 10V - 700mW(Ta), 17W(Tc)
TK4A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A53D(STA4,Q,M) -
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 ECAD 7821 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK4A53 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 525V 4A(타) 10V 1.7옴 @ 2A, 10V 4.4V @ 1mA 11nC @ 10V ±30V 490pF @ 25V - 35W(Tc)
RN1711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1711JE(TE85L,F) 0.4100
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-553 RN1711 100mW ESV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz 10k옴 -
TPH6R30ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R30ANL,L1Q 1.1500
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 ECAD 7068 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPH6R30 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 100V 66A(Ta), 45A(Tc) 4.5V, 10V 6.3m옴 @ 22.5A, 10V 500μA에서 2.5V 55nC @ 10V ±20V 50V에서 4300pF - 2.5W(Ta), 54W(Tc)
RN1105MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1105MFV,L3F -
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 ECAD 5453 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1105 150mW 베스엠 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 2.2kΩ 47kΩ
2SC2229-O(MITIF,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O(MITIF,M) -
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 ECAD 1047 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2229 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 70 @ 10mA, 5V 120MHz
RN4907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4907FE,LF(CT 0.2700
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 ECAD 6817 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4907 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 10k옴 47k옴
SSM6N7002CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002CFU,LF 0.2800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N7002 MOSFET(금속) 285mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 60V 170mA 3.9옴 @ 100mA, 10V 2.1V @ 250μA 0.35nC @ 4.5V 17pF @ 10V -
TPWR8503NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPWR8503NL,L1Q 2.7600
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN TPWR8503 MOSFET(금속) 8-DSOP 어드밴스 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 150A(Tc) 4.5V, 10V 0.85m옴 @ 50A, 10V 2.3V @ 1mA 74nC @ 10V ±20V 6900pF @ 15V - 800mW(Ta), 142W(Tc)
RN49A1(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN49A1(TE85L,F) -
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 ECAD 3359 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN49A1 200mW US6 - 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 2.2k옴, 22k옴 47k옴
HN4A56JU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4A56JU(TE85L,F) 0.0616
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 ECAD 4855 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 HN4A56 200mW USV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 PNP(이중) 300mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 60MHz
RN2403,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2403,LF 0.2200
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2403 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22kΩ 22kΩ
1SS383(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS383(TE85L,F) 0.4000
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 ECAD 31 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-82 1SS383 쇼트키 USQ 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 2개의 면 40V 100mA 600mV @ 100mA 40V에서 5μA 125°C(최대)
TK155E65Z,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK155E65Z,S1X 3.2600
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 ECAD 181 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 18A(타) 10V 155m옴 @ 9A, 10V 4V @ 730μA 29nC @ 10V ±30V 300V에서 1635pF - 150W(Tc)
TPC8A02-H(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A02-H(TE12L,Q) -
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 ECAD 8737 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) TPC8A02 MOSFET(금속) 8-SOP(5.5x6.0) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 16A(타) 4.5V, 10V 5.6m옴 @ 8A, 10V 2.3V @ 1mA 34nC @ 10V ±20V 1970pF @ 10V - 1W(타)
TW083N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW083N65C,S1F 12.7900
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 ECAD 175 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-247-3 SiCFET(탄화규소) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 30A(Tc) 18V 113m옴 @ 15A, 18V 600μA에서 5V 28nC @ 18V +25V, -10V 400V에서 873pF - 111W(Tc)
RN46A1(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN46A1(TE85L,F) -
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 ECAD 2335 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN46A1 300mW SM6 - 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V / 50 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 22k옴, 10k옴 22k옴, 10k옴
RN2906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2906(T5L,F,T) -
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 ECAD 4115 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2906 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 47k옴
RN2910(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2910(T5L,F,T) -
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 ECAD 8410 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2910 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 4.7kΩ -
RN2110,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2110,LF(CT 0.2000
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2110 100mW SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 4.7kΩ
TPC8129,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8129,LQ(S 0.5600
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) TPC8129 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 30V 9A(타) 4.5V, 10V 22m옴 @ 4.5A, 10V 2V @ 200μA 39nC @ 10V +20V, -25V 10V에서 1650pF - 1W(타)
2SD2206(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206(T6CANO,F,M -
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 ECAD 8223 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SD2206 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 100V 2A 10μA(ICBO) NPN 1.5V @ 1mA, 1A 2000 @ 1A, 2V 100MHz
RN1904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1904 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47k옴 47k옴
TK6P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6P60W,RVQ 1.7400
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 ECAD 4404 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK6P60 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 600V 6.2A(타) 10V 820m옴 @ 3.1A, 10V 3.7V @ 310μA 12nC @ 10V ±30V 300V에서 390pF - 60W(Tc)
TK6P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6P65W,RQ 1.4000
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK6P65 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 650V 5.8A(타) 10V 1.05옴 @ 2.9A, 10V 180μA에서 3.5V 11nC @ 10V ±30V 300V에서 390pF - 60W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

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    전세계 제조업체

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