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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RN49A1(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN49A1(TE85L,F) -
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 ECAD 3359 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN49A1 200mW US6 - 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 2.2k옴, 22k옴 47k옴
1SS383(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS383(TE85L,F) 0.4000
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 ECAD 31 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-82 1SS383 쇼트키 USQ 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 2개의 면 40V 100mA 600mV @ 100mA 40V에서 5μA 125°C(최대)
RN2910(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2910(T5L,F,T) -
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 ECAD 8410 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2910 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 200MHz 4.7k옴 -
RN46A1(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN46A1(TE85L,F) -
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 ECAD 2335 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN46A1 300mW SM6 - 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V / 50 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 22k옴, 10k옴 22k옴, 10k옴
2SC2229-Y(SAN2,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y(SAN2,F,M -
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 ECAD 8049 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2229 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 70 @ 10mA, 5V 120MHz
TJ15S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ15S06M3L(T6L1,NQ 1.3300
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 ECAD 2224 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TJ15S06 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 P채널 60V 15A(타) 6V, 10V 50m옴 @ 7.5A, 10V 3V @ 1mA 36nC @ 10V +10V, -20V 1770pF @ 10V - 41W(Tc)
2SK4021(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4021(Q) -
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 ECAD 5729 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 스텁 레코드, IPak 2SK4021 MOSFET(금속) PW-MOLD2 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 200 N채널 250V 4.5A(타) 10V 1옴 @ 2.5A, 10V 3.5V @ 1mA 10nC @ 10V ±20V 10V에서 440pF - 20W(Tc)
U20DL2C48A(TE24L,Q Toshiba Semiconductor and Storage U20DL2C48A(TE24L,Q -
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 ECAD 3820 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB U20DL2 기준 TO-220SM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 1,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 200V 20A 980mV @ 10A 35ns 200V에서 50μA -
TK31E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK31E60W,S1VX 8.2200
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 ECAD 3779 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK31E60 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 30.8A(타) 10V 88m옴 @ 15.4A, 10V 3.7V @ 1.5mA 86nC @ 10V ±30V 300V에서 3000pF - 230W(Tc)
TPC8129,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8129,LQ(S 0.5600
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) TPC8129 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 30V 9A(타) 4.5V, 10V 22m옴 @ 4.5A, 10V 2V @ 200μA 39nC @ 10V +20V, -25V 10V에서 1650pF - 1W(타)
RN1904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1904 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47k옴 47k옴
2SA1837,YHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837,YHF(J -
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 ECAD 3098 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1837 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 230V 1A 1μA(ICBO) PNP 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 70MHz
SSM6P35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35FE,LM -
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 ECAD 2051년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6P35 MOSFET(금속) 150mW ES6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 2 P채널(듀얼) 20V 100mA 8옴 @ 50mA, 4V 1V @ 1mA - 12.2pF @ 3V -
RN4981FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4981FE,LF(CT 0.2600
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4981 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7k옴 4.7k옴
SSM3K15CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15CT(TPL3) -
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 ECAD 8514 0.00000000 도시바 및 저장 π-모스비 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-101, SOT-883 SSM3K15 MOSFET(금속) CST3 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 30V 100mA(타) 2.5V, 4V 4옴 @ 10mA, 4V 1.5V @ 100μA ±20V 7.8pF @ 3V - 100mW(타)
2SC2235-Y(T6FJT,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y(T6FJT,FM -
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 ECAD 6913 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2235 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
SSM6K810R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K810R,LXHF 0.7000
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6K810 MOSFET(금속) 6-TSOP-F 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 100V 3.5A(타) 4.5V, 10V 69m옴 @ 2A, 10V 100μA에서 2.5V 3.2nC @ 4.5V ±20V 15V에서 430pF - 1.5W(타)
RN2103MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103MFV,L3XHF(CT 0.3400
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2103 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22kΩ 22kΩ
CUS01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CUS01(TE85L,Q,M) -
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 ECAD 8070 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-76, SOD-323 CUS01 쇼트키 US-FLAT(1.25x2.5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 4,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 390mV @ 1A 30V에서 1.5mA -40°C ~ 125°C 1A -
2SC2655-O(ND1,AF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-O(ND1,AF) -
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 ECAD 1084 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2655 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN2106ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2106ACT(TPL3) 0.0527
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 ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN2106 100mW CST3 - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 80mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 4.7kΩ 47kΩ
TK6P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6P65W,RQ 1.4000
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK6P65 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 650V 5.8A(타) 10V 1.05옴 @ 2.9A, 10V 180μA에서 3.5V 11nC @ 10V ±30V 300V에서 390pF - 60W(Tc)
RN4901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4901,LF(CT 0.2800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4901 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7k옴 4.7k옴
RN2116MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2116MFV,L3F 0.1800
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 ECAD 15 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2116 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 4.7kΩ 10kΩ
RN2603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2603(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 3159 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN2603 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22k옴 22k옴
2SC5233BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5233BTE85LF -
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 ECAD 8582 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SC5233 100mW USM - 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 12V 500mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 10mA, 200mA 500 @ 10mA, 2V 130MHz
TPCA8120,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8120,LQ(CM -
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 ECAD 9207 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8120 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 45A(타) 4.5V, 10V 3m옴 @ 22.5A, 10V 2V @ 1mA 190nC @ 10V +20V, -25V 7420pF @ 10V - 1.6W(Ta), 45W(Tc)
RN1102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102,LXHF(CT 0.3300
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1102 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 50 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
RN1909FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1909FE(TE85L,F) 0.3500
보상요청
 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1909 100mW ES6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 250MHz 47k옴 22k옴
RN1305,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1305,LF 0.2700
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1305 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 47kΩ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

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