SIC
close

불연속 불연속 제품 (2909)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 조건 Q @ vr, f
SSM6N35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35AFE, LF 0.4000
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SSM6N35 MOSFET (금속 (() 250MW ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 250MA (TA) 1.1ohm @ 150ma, 4.5v 1V @ 100µA 0.34NC @ 4.5V 36pf @ 10V 로직 로직 게이트, 1.2v 드라이브
RN1114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1114MFV, L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN1114 150 MW VESM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
1SV280,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV280, H3F 0.4400
RFQ
 ECAD 7027 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 1SV280 ESC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 4,000 2pf @ 10V, 1MHz 하나의 15 v 2.4 C2/C10 -
SSM3J356R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J356R, LF 0.4100
RFQ
 ECAD 318 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 SSM3J356 MOSFET (금속 (() SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 2A (TA) 4V, 10V 300mohm @ 1a, 10V 2V @ 1mA 8.3 NC @ 10 v +10V, -20V 330 pf @ 10 v - 1W (TA)
RN4910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4910FE, LXHF (Ct 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN4910 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz, 250MHz 4.7kohms -
TTA1713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTA1713-GR, LF 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TTA1713 200 MW S- 미니 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 50ma, 500ma 180 @ 100MA, 1V 80MHz
HN2A01FE-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage Hn2a01fe-y (Te85L, f -
RFQ
 ECAD 4533 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 HN2A01 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 PNP (() 300mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 80MHz
2SJ377(TE16R1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ377 (TE16R1, NQ) -
RFQ
 ECAD 5182 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SJ377 MOSFET (금속 (() PW-Mold 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 5A (TA) 4V, 10V 190mohm @ 2.5a, 10V 2V @ 1mA 22 nc @ 10 v ± 20V 630 pf @ 10 v - 20W (TC)
TK33S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1L, LXHQ 1.3200
RFQ
 ECAD 2353 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK33S10 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 33A (TA) 4.5V, 10V 9.7mohm @ 16.5a, 10V 2.5V @ 500µA 33 NC @ 10 v ± 20V 2250 pf @ 10 v - 125W (TC)
TPC8014(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8014 (TE12L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 2019 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TPC8014 MOSFET (금속 (() 8-SOP (5.5x6.0) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 14mohm @ 5.5a, 10V 2.5V @ 1mA 39 NC @ 10 v ± 20V 1860 pf @ 10 v - 1W (TA)
TPN8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN8R903NL, LQ 0.7400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPN8R903 MOSFET (금속 (() 8 1 3. (3.1x3.1) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 20A (TC) 4.5V, 10V 8.9mohm @ 10a, 10V 2.3v @ 100µa 9.8 nc @ 4.5 v ± 20V 820 pf @ 15 v - 700MW (TA), 22W (TC)
SSM3J356R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J356R, LXHF 0.4900
RFQ
 ECAD 7563 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 MOSFET (금속 (() SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 264-SSM3J356R, LXHFCT 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 2A (TA) 4V, 10V 300mohm @ 1a, 10V 2V @ 1mA 8.3 NC @ 10 v +10V, -20V 330 pf @ 10 v - 1W (TA)
2SC5201(T6MURATAFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201 (T6MURATAFM -
RFQ
 ECAD 5065 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC5201 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 2SC5201T6MURATAFM 귀 99 8541.21.0095 1 600 v 50 MA 1µA (ICBO) NPN 1V @ 500MA, 20MA 100 @ 20ma, 5V -
HN1C01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU-GR, LF 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C01 200MW US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 250mv @ 10ma, 100ma 200 @ 2ma, 6v 80MHz
TK6P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6P65W, RQ 1.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Tk6p65 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 650 v 5.8A (TA) 10V 1.05ohm @ 2.9a, 10V 3.5V @ 180µA 11 NC @ 10 v ± 30V 390 pf @ 300 v - 60W (TC)
TPC8036-H(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8036-H (TE12L, QM -
RFQ
 ECAD 8992 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u-mosvi-h 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TPC8036 MOSFET (금속 (() 8-SOP (5.5x6.0) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 18A (TA) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 9a, 10V 2.3v @ 1ma 49 NC @ 10 v ± 20V 4600 pf @ 10 v - 1W (TA)
RN4985FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985FE, LXHF (Ct 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN4985 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz, 200MHz 2.2kohms 47kohms
TK4A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk4a53d (sta4, q, m) -
RFQ
 ECAD 7821 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK4A53 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 525 v 4A (TA) 10V 1.7ohm @ 2a, 10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 v ± 30V 490 pf @ 25 v - 35W (TC)
TK10P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10P60W, RVQ 3.0400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Tk10p60 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 9.7A (TA) 10V 430mohm @ 4.9a, 10V 3.7V @ 500µA 20 nc @ 10 v ± 30V 700 pf @ 300 v - 80W (TC)
CLS02(TE16L,HIT,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02 (TE16L, HIT, Q) -
RFQ
 ECAD 7549 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 L-FLAT ™ CLS02 Schottky L-FLAT ™ (4x5.5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 10 a 1 ma @ 40 v -40 ° C ~ 125 ° C 10A 420pf @ 10V, 1MHz
RN1102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102MFV, L3XHF (CT 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN1102 150 MW VESM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 10 KOHMS 10 KOHMS
CBS10S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS10S30, L3F 0.4300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 없음 CBS10S30 Schottky CST2B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 450 mV @ 1 a 500 µa @ 30 v 125 ° C (°) 1A 135pf @ 0V, 1MHz
SSM6P35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35FE, LM -
RFQ
 ECAD 2051 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SSM6P35 MOSFET (금속 (() 150MW ES6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 20V 100ma 8ohm @ 50ma, 4v 1V @ 1mA - 12.2pf @ 3v -
TK90S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK90S06N1L, LXHQ 1.7200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK90S06 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 90A (TA) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 45a, 10V 2.5V @ 500µA 81 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 10 v - 157W (TC)
TBAW56,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAW56, LM 0.2100
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 tbaw56 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 짐 1 양극 양극 공통 80 v 215MA -
1SS193S,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage 1SS193S, LF (d -
RFQ
 ECAD 7822 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS193 기준 S- 미니 다운로드 1 (무제한) 1SS193SLF (d 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 80 v 1.2 v @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 v 125 ° C (°) 100ma 3pf @ 0V, 1MHz
CLS10F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CLS10F40, L3F 0.4800
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0402 (1006 메트릭) CLS10F40 Schottky cl2e - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 570 mV @ 1 a 25 µa @ 40 v 150 ° C 1A 130pf @ 0V, 1MHz
RN1412TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1412TE85LF 0.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1412 200 MW S- 미니 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 22 KOHMS
RN1408,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1408, LF 0.1900
RFQ
 ECAD 3234 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1408 200 MW S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 22 KOHMS 47 Kohms
TPCC8006-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8006-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 1620 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u-mosvi-h 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 TPCC8006 MOSFET (금속 (() 8 3 3. (3.3x3.3) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 22A (TA) 4.5V, 10V 8mohm @ 11a, 10V 2.3V @ 200µA 27 NC @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 10 v - 700MW (TA), 27W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다