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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 현재 - 역방향 위치 @ Vr 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RN1701,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1701,LF 0.3000
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1701 200mW USV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
SSM3J328R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J328R,LF 0.4100
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 SSM3J328 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 6A(타) 1.5V, 4.5V 29.8m옴 @ 3A, 4.5V 1V @ 1mA 12.8nC @ 4.5V ±8V 10V에서 840pF - 1W(타)
RN1113,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1113,LXHF(CT 0.0618
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 ECAD 7774 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1113 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz 47kΩ
SSM3K17FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K17FU,LF 0.3300
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 ECAD 62 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 SSM3K17 MOSFET(금속) USM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 50V 100mA(타) 2.5V, 4V 20옴 @ 10mA, 4V 1.5V @ 1μA ±7V 7pF @ 3V - 150mW(타)
SSM6J424TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J424TU,LF 0.4700
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6J424 MOSFET(금속) UF6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 6A(타) 1.5V, 4.5V 22.5m옴 @ 6A, 4.5V 1V @ 1mA 23.1nC @ 4.5V +6V, -8V 10V에서 1650pF - 1W(타)
2SC2235-O(FA1,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O(FA1,F,M) -
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 ECAD 9631 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2235 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
CRZ20(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ20(TE85L,Q,M) 0.4900
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±10% -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-123F CRZ20 700mW S플랫(1.6x3.5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0050 3,000 1V @ 200mA 10μA @ 14V 20V 30옴
TK10V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10V60W,LVQ 1.6898
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 ECAD 2422 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 4-VSFN 옆형 패드 TK10V60 MOSFET(금속) 4-DFN-EP(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 9.7A(타) 10V 380m옴 @ 4.9A, 10V 500μA에서 3.7V 20nC @ 10V ±30V 300V에서 700pF - 88.3W(Tc)
RN2115,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2115,LF(CT 0.2000
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2115 100mW SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 2.2kΩ 10kΩ
RN4602TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4602TE85LF 0.3800
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 ECAD 1144 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN4602 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 10k옴 10k옴
2SA1930,ONKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930,ONKQ(J -
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 ECAD 7793 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1930 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 180V 2A 5μA(ICBO) PNP 1V @ 100mA, 1A 100 @ 100mA, 5V 200MHz
TPN6R303NC,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN6R303NC, LQ 0.8300
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 ECAD 1735년 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPN6R303 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 20A(타) 4.5V, 10V 6.3m옴 @ 10A, 10V 2.3V @ 200μA 24nC @ 10V ±20V 1370pF @ 15V - 700mW(Ta), 19W(Tc)
2SC4944-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4944-Y(TE85L,F) 0.3500
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 ECAD 557 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 2SC4944 200mW USV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 일치쌍, 예비 이미터 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 80MHz
TK4P60DA(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60DA(T6RSS-Q) -
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 ECAD 2953 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK4P60 MOSFET(금속) D-박 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TK4P60DAT6RSSQ EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 600V 3.5A(타) 10V 2.2옴 @ 1.8A, 10V 4.4V @ 1mA 11nC @ 10V ±30V 490pF @ 25V - 80W(Tc)
RN1417,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1417,LF 0.1800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1417 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 4.7kΩ
SSM3J378R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J378R,LF 0.3800
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 ECAD 46 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 SSM3J378 MOSFET(금속) SOT-23F - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 6A(타) 1.5V, 4.5V 29.8m옴 @ 3A, 4.5V 1V @ 1mA 12.8nC @ 4.5V +6V, -8V 10V에서 840pF - 1W(타)
TTC0002(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTC0002(Q) 3.3400
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 ECAD 6091 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3PL TTC0002 180W TO-3P(L) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TTC0002Q EAR99 8541.29.0075 100 160V 18A 1μA(ICBO) NPN 2V @ 900mA, 9A 80 @ 1A, 5V 30MHz
2SC2705-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2705-Y(TE6,F,M) -
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 ECAD 4824 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2705 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 150V 50mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 1mA, 10mA 120 @ 10mA, 5V 200MHz
TK110N65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK110N65Z,S1F 5.8800
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 ECAD 6715 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSVI 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 24A(타) 10V 110m옴 @ 12A, 10V 4V @ 1.02mA 40nC @ 10V ±30V 300V에서 2250pF - 190W(Tc)
RN1109,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1109,LXHF(CT 0.3300
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1109 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 22kΩ
SSM3K16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16FU,LF 0.3000
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 ECAD 23 0.00000000 도시바 및 저장 π-모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 SSM3K16 MOSFET(금속) USM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 100mA(타) 1.5V, 4V 3옴 @ 10mA, 4V 1.1V @ 100μA ±10V 9.3pF @ 3V - 150mW(타)
HN1B01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-Y,LXHF 0.3700
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1B01 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN, PNP 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 120MHz, 150MHz
TTA006B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTA006B,Q 0.6200
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 ECAD 103 0.00000000 도시바 및 저장 - 쟁반 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-225AA, TO-126-3 1.5W TO-126N 다운로드 1(무제한) 264-TTA006BQ EAR99 8541.29.0095 250 230V 1A 200nA(ICBO) PNP 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 70MHz
TPH2R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R003PL,LQ 0.9100
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 ECAD 12 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPH2R003 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 100A(Tc) 4.5V, 10V 2m옴 @ 50A, 10V 500μA에서 2.1V 86nC @ 10V ±20V 6410pF @ 15V - 830mW(Ta), 116W(Tc)
2SC5359-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5359-O(Q) 3.4000
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 ECAD 74 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3PL 2SC5359 180W TO-3P(L) 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0075 100 230V 15A 5μA(ICBO) NPN 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1A, 5V 30MHz
RN4907,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4907,LXHF(CT 0.4400
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4907 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 10k옴 47k옴
TPH4R008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R008QM,LQ 1.5600
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 8-SOP 고급(5x5.75) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 80V 86A(티씨) 6V, 10V 4m옴 @ 43A, 10V 600μA에서 3.5V 57nC @ 10V ±20V 40V에서 5300pF - 960mW(Ta), 170W(Tc)
RN2706,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2706,LF 0.3000
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2706 200mW USV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 47k옴
TPN19008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN19008QM,LQ 0.6800
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 ECAD 3445 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPN19008 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 80V 34A(티씨) 6V, 10V 19m옴 @ 17A, 10V 200μA에서 3.5V 16nC @ 10V ±20V 40V에서 1400pF - 630mW(Ta), 57W(Tc)
TK20S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20S06K3L(T6L1,NQ -
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 ECAD 3491 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK20S06 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 60V 20A(타) 6V, 10V 29m옴 @ 10A, 10V 3V @ 1mA 18nC @ 10V ±20V 10V에서 780pF - 38W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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