SIC
close
영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
TK11S10N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK11S10N1L,LQ 0.9400
보상요청
ECAD 6545 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK11S10 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 100V 11A(타) 4.5V, 10V 28m옴 @ 5.5A, 10V 100μA에서 2.5V 15nC @ 10V ±20V 10V에서 850pF - 65W(Tc)
TPN4R303NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R303NL,L1Q 0.8900
보상요청
ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPN4R303 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 40A(Tc) 4.5V, 10V 4.3m옴 @ 20A, 10V 2.3V @ 200μA 14.8nC @ 10V ±20V 15V에서 1400pF - 700mW(Ta), 34W(Tc)
CLH01(TE16L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH01(TE16L,Q) -
보상요청
ECAD 6230 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 L-플랫™ CLH01 기준 L-FLAT™(4x5.5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 200V 980mV @ 3A 35ns 200V에서 10μA -40°C ~ 150°C 3A -
RN1507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1507(TE85L,F) 0.3500
보상요청
ECAD 17 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74A, SOT-753 RN1507 300mW SMV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 10k옴 47k옴
SSM6L40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L40TU,LF 0.4900
보상요청
ECAD 62 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6L40 MOSFET(금속) 500mW(타) UF6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N 및 P 채널 30V 1.6A(타), 1.4A(타) 122m옴 @ 1A, 10V, 226m옴 @ 1A, 10V 2.6V @ 1mA, 2V @ 1mA 5.1nC @ 10V, 2.9nC @ 10V 180pF @ 15V, 120pF @ 15V 레벨 레벨 컨트롤러, 4V 구동
TK4P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P50D(T6RSS-Q) -
보상요청
ECAD 2672 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK4P50 MOSFET(금속) D-박 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TK4P50DT6RSSQ EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 500V 4A(타) 10V 2옴 @ 2A, 10V 4.4V @ 1mA 9nC @ 10V ±30V 380pF @ 25V - 80W(Tc)
TK35S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK35S04K3L(T6L1,NQ 1.4100
보상요청
ECAD 5894 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK35S04 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 40V 35A(타) 6V, 10V 10.3m옴 @ 17.5A, 10V 3V @ 1mA 28nC @ 10V ±20V 1370pF @ 10V - 58W(Tc)
TK3R1E04PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R1E04PL,S1X 1.4400
보상요청
ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK3R1E04 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 40V 100A(Tc) 4.5V, 10V 3.8m옴 @ 30A, 4.5V 500μA에서 2.4V 63.4nC @ 10V ±20V 20V에서 4670pF - 87W(Tc)
TK31N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60W,S1VF 9.2900
보상요청
ECAD 1508 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 TK31N60 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 30.8A(타) 10V 88m옴 @ 15.4A, 10V 3.7V @ 1.5mA 86nC @ 10V ±30V 300V에서 3000pF - 230W(Tc)
RN1706JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1706JE(TE85L,F) -
보상요청
ECAD 8712 0.00000000 도시바 및 저장 - 컷테이프(CT) 활동적인 표면 실장 SOT-553 RN1706 100mW ESV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 47k옴
RN4908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908FE,LXHF(CT 0.3800
보상요청
ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4908 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 22k옴 47k옴
TPH1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R005PL,L1Q 2.0000
보상요청
ECAD 6103 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPH1R005 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 45V 150A(Tc) 4.5V, 10V 1.04m옴 @ 50A, 10V 2.4V @ 1mA 99nC @ 10V ±20V 22.5V에서 9600pF - 960mW(Ta), 170W(Tc)
2SA1837,YHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837,YHF(M -
보상요청
ECAD 1662년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1837 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 230V 1A 1μA(ICBO) PNP 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 70MHz
TPC8036-H(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8036-H(TE12L,QM -
보상요청
ECAD 8992 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVI-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) TPC8036 MOSFET(금속) 8-SOP(5.5x6.0) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 18A(타) 4.5V, 10V 4.5m옴 @ 9A, 10V 2.3V @ 1mA 49nC @ 10V ±20V 10V에서 4600pF - 1W(타)
TK20N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK20N60W5,S1VF 3.9200
보상요청
ECAD 4257 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 TK20N60 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 20A(타) 10V 175m옴 @ 10A, 10V 4.5V @ 1mA 55nC @ 10V ±30V 300V에서 1800pF - 165W(Tc)
TPCA8064-H,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8064-H, LQ(CM -
보상요청
ECAD 1484 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8064 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 20A(타) 4.5V, 10V 8.2m옴 @ 10A, 10V 2.3V @ 200μA 23nC @ 10V ±20V 1900pF @ 10V - 1.6W(Ta), 32W(Tc)
TK10Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10Q60W,S1VQ 3.0600
보상요청
ECAD 75 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 스텁 레코드, IPak TK10Q60 MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0095 75 N채널 600V 9.7A(타) 10V 430m옴 @ 4.9A, 10V 500μA에서 3.7V 20nC @ 10V ±30V 300V에서 700pF - 80W(Tc)
CRF03(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRF03(TE85L,Q,M) -
보상요청
ECAD 5105 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOD-123F CRF03 기준 S플랫(1.6x3.5) - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 600V 2V @ 700mA 100ns 600V에서 50μA -40°C ~ 150°C 700mA -
2SA1930,LBS2DIAQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930,LBS2DIAQ(J -
보상요청
ECAD 1334 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1930 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 180V 2A 5μA(ICBO) PNP 1V @ 100mA, 1A 100 @ 100mA, 5V 200MHz
1SS378(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS378(TE85L,F) 0.3400
보상요청
ECAD 55 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 1SS378 쇼트키 SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍씩 시작됩니다 10V 100mA 500mV @ 100mA 10V에서 20μA 125°C(최대)
CRS05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS05(TE85L,Q,M) 0.1326
보상요청
ECAD 9706 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-123F CRS05 쇼트키 S플랫(1.6x3.5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 450mV @ 1A 30V에서 200μA -40°C ~ 150°C 1A -
SSM3J15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15F,LF 0.2300
보상요청
ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J15 MOSFET(금속) S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 30V 100mA(타) 2.5V, 4V 12옴 @ 10mA, 4V 1.7V @ 100μA ±20V 9.1pF @ 3V - 200mW(타)
2SC3074-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3074-Y(Q) -
보상요청
ECAD 5361 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA 2SC3074 1W PW-MOLD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 200 50V 5A 1μA(ICBO) NPN 400mV @ 150mA, 3A 120 @ 1A, 1V 120MHz
RN2117(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2117(T5L,F,T) -
보상요청
ECAD 9782 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2117 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200MHz 10kΩ 4.7kΩ
TK8R2A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK8R2A06PL,S4X 1.0200
보상요청
ECAD 1381 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK8R2A06 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 50A(Tc) 4.5V, 10V 11.4m옴 @ 8A, 4.5V 300μA에서 2.5V 28.4nC @ 10V ±20V 1990pF @ 25V - 36W(Tc)
TK39A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK39A60W,S4VX 9.7500
보상요청
ECAD 100 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK39A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 38.8A(타) 10V 65m옴 @ 19.4A, 10V 3.7V @ 1.9mA 110nC @ 10V ±30V 300V에서 4100pF - 50W(Tc)
TK7A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A65D(STA4,Q,M) 2.2100
보상요청
ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK7A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 7A(타) 10V 980m옴 @ 3.5A, 10V 4V @ 1mA 24nC @ 10V ±30V 25V에서 1200pF - 45W(Tc)
TK65S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK65S04N1L,LXHQ 1.2300
보상요청
ECAD 5169 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK65S04 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 40V 65A(타) 4.5V, 10V 4.3m옴 @ 32.5A, 10V 300μA에서 2.5V 39nC @ 10V ±20V 10V에서 2550pF - 107W(Tc)
2SK2962(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962(T6CANO,A,F -
보상요청
ECAD 8525 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SK2962 TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 1A(티제이)
2SA1586-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-GR,LXHF 0.3300
보상요청
ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 표면 실장 SC-70, SOT-323 200mW USM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고