SIC
close

디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 속도 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
TK33S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1L,LXHQ 1.3200
보상요청
 ECAD 2353 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK33S10 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 100V 33A(타) 4.5V, 10V 9.7m옴 @ 16.5A, 10V 500μA에서 2.5V 33nC @ 10V ±20V 2250pF @ 10V - 125W(Tc)
CMS05(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS05(TE12L,Q,M) 0.7800
보상요청
 ECAD 192 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 CMS05 쇼트키 M플랫(2.4x3.8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 450mV @ 5A 30V에서 800μA -40°C ~ 150°C 5A 330pF @ 10V, 1MHz
TK18A30D,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK18A30D,S5X 1.7900
보상요청
 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 300V 18A(타) 10V 139m옴 @ 9A, 10V 3.5V @ 1mA 60nC @ 10V ±20V 100V에서 2600pF - 45W(Tc)
RN1103MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV,L3F(CT 0.1800
보상요청
 ECAD 305 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1103 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 22kΩ 22kΩ
2SC2229-Y(T6SAN2FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y(T6SAN2FM -
보상요청
 ECAD 7037 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2229 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) 2SC2229YT6SAN2FM EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 70 @ 10mA, 5V 120MHz
RN2701,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2701,LF 0.3000
보상요청
 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2701 200mW USV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
TK20A60W,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20A60W,S5VX 2.9800
보상요청
 ECAD 84 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK20A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 20A(타) 10V 155m옴 @ 10A, 10V 3.7V @ 1mA 48nC @ 10V ±30V 300V에서 1680pF - 45W(Tc)
TPH2900ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2900ENH,L1Q 2.5800
보상요청
 ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPH2900 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 200V 33A(타) 10V 29m옴 @ 16.5A, 10V 4V @ 1mA 22nC @ 10V ±20V 100V에서 2200pF - 78W(Tc)
CUS551V30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS551V30,H3F 0.2700
보상요청
 ECAD 13 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-76, SOD-323 CUS551 쇼트키 USC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 470mV @ 500mA 20V에서 100μA 125°C(최대) 500mA -
RN2903FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2903FE(TE85L,F) 0.3400
보상요청
 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2903 100mW ES6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22k옴 22k옴
TPCA8008-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8008-H(TE12L,Q -
보상요청
 ECAD 6043 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8008 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 250V 4A(타) 10V 580m옴 @ 2A, 10V 4V @ 1mA 10nC @ 10V ±20V 10V에서 600pF - 1.6W(Ta), 45W(Tc)
RN1902T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902T5LFT -
보상요청
 ECAD 4506 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1902 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 10k옴 10k옴
RN1905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1905FE,LXHF(CT 0.3800
보상요청
 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1905 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2k옴 47k옴
RN4610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4610(TE85L,F) 0.4700
보상요청
 ECAD 80 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN4610 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 4.7kΩ -
RN2112,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2112,LXHF(CT 0.0624
보상요청
 ECAD 9359 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2112 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 22kΩ
TRS12N65FB,S1F(S Toshiba Semiconductor and Storage TRS12N65FB,S1F(S -
보상요청
 ECAD 3099 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-247-3 TRS12N65 SiC(탄화규소) 쇼트키 TO-247 - RoHS 준수 1(무제한) TRS12N65FBS1F(S EAR99 8541.10.0080 30 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 1쌍씩 시작됩니다 650V 6A(DC) 1.7V @ 6A 0ns 650V에서 90μA 175°C(최대)
TW045N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW045N120C,S1F 23.7100
보상요청
 ECAD 15 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-247-3 SiCFET(탄화규소) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 1200V 40A(Tc) 18V 59m옴 @ 20A, 18V 5V @ 6.7mA 57nC @ 18V +25V, -10V 1969pF @ 800V - 182W(Tc)
SSM3J130TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J130TU,LF 0.4600
보상요청
 ECAD 166 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 SSM3J130 MOSFET(금속) UFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 4.4A(타) 1.5V, 4.5V 25.8m옴 @ 4A, 4.5V 1V @ 1mA 24.8nC @ 4.5V ±8V 10V에서 1800pF - 500mW(타)
SSM3K17SU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K17SU,LF -
보상요청
 ECAD 4802 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 SC-70, SOT-323 SSM3K17 MOSFET(금속) USM - 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 50V 100mA(타) 20옴 @ 10mA, 4V 1.5V @ 1μA 7pF @ 3V - 150mW(타)
2SK2916(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2916(F) -
보상요청
 ECAD 6044 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 2SK2916 MOSFET(금속) TO-3P(N)IS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 500V 14A(타) 10V 400m옴 @ 7A, 10V 4V @ 1mA 58nC @ 10V ±30V 10V에서 2600pF - 80W(Tc)
RN1301,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1301,LXHF 0.3900
보상요청
 ECAD 11 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1301 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
SSM6K513NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K513NU,LF 0.4600
보상요청
 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C(타) 표면 실장 6-WDFN옆패드 SSM6K513 MOSFET(금속) 6-UDFNB(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 15A(타) 4.5V, 10V 8.9m옴 @ 4A, 10V 100μA에서 2.1V 7.5nC @ 4.5V ±20V 15V에서 1130pF - 1.25W(타)
CBS10S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS10S30,L3F 0.4300
보상요청
 ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 2-SMD, 무연 CBS10S30 쇼트키 CST2B 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 20V 450mV @ 1A 30V에서 500μA 125°C(최대) 1A 135pF @ 0V, 1MHz
2SK3906(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3906(Q) -
보상요청
 ECAD 5343 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 2SK3906 MOSFET(금속) TO-3P(엔) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 20A(타) 10V 330m옴 @ 10A, 10V 4V @ 1mA 60nC @ 10V ±30V 25V에서 4250pF - 150W(Tc)
TPC8065-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8065-H,LQ(S -
보상요청
 ECAD 6115 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) TPC8065 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 13A(타) 4.5V, 10V 11.6m옴 @ 6.5A, 10V 2.3V @ 200μA 20nC @ 10V ±20V 1350pF @ 10V - 1W(타)
TJ10S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ10S04M3L,LXHQ 0.9500
보상요청
 ECAD 4099 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TJ10S04 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 P채널 40V 10A(타) 6V, 10V 44m옴 @ 5A, 10V 3V @ 1mA 19nC @ 10V +10V, -20V 10V에서 930pF - 27W(Tc)
RN4988FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4988FE,LXHF(CT 0.3800
보상요청
 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4988 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 22k옴 47k옴
TK9J90E,S1E Toshiba Semiconductor and Storage TK9J90E,S1E 2.7900
보상요청
 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 TK9J90 MOSFET(금속) TO-3P(엔) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 25 N채널 900V 9A(타) 10V 1.3옴 @ 4.5A, 10V 4V @ 900μA 46nC @ 10V ±30V 2000pF @ 25V - 250W(Tc)
RN1118(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1118(TE85L,F) 0.3900
보상요청
 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1118 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 10kΩ
TPCA8051-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8051-H(T2L1,VM -
보상요청
 ECAD 9874 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVI-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8051 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 80V 28A(타) 4.5V, 10V 9.4m옴 @ 14A, 10V 2.3V @ 1mA 91nC @ 10V ±20V 7540pF @ 10V - 1.6W(Ta), 45W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

견적요청 목록 (0개 항목)
장바구니 목록 (0개 품목)
Wishlist위시리스트(0개 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량: 1

비교 목록(0개 항목)
Enter 키를 눌러 검색하거나 ESC를 눌러 닫으세요.