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불연속 불연속 제품 (2909)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
TK12A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A80W, S4X 3.1200
RFQ
 ECAD 4351 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK12A80 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 11.5A (TA) 10V 450mohm @ 5.8a, 10V 4V @ 570µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 300 v - 45W (TC)
RN4909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4909FE, LXHF (Ct 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN4909 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 200MHz, 250MHz 47kohms 22kohms
TK35S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK35S04K3L (T6L1, NQ 1.4100
RFQ
 ECAD 5894 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u- 모시브 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK35S04 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 35A (TA) 6V, 10V 10.3mohm @ 17.5a, 10V 3V @ 1mA 28 nc @ 10 v ± 20V 1370 pf @ 10 v - 58W (TC)
TK20N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK20N60W5, S1VF 3.9200
RFQ
 ECAD 4257 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 TK20N60 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 20A (TA) 10V 175mohm @ 10a, 10V 4.5V @ 1mA 55 NC @ 10 v ± 30V 1800 pf @ 300 v - 165W (TC)
SSM3J134TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J134TU, LF 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 3-smd,, 리드 SSM3J134 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 3.2A (TA) 1.5V, 4.5V 93mohm @ 1.5a, 4.5v 1V @ 1mA 4.7 NC @ 4.5 v ± 8V 290 pf @ 10 v - 500MW (TA)
TRS10V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS10V65H, LQ 2.8900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 4-vSfn s 패드 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky 4-DFN-EP (8x8) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,500 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.35 V @ 10 a 0 ns 100 µa @ 650 v 175 ° C 10A 649pf @ 1v, 1MHz
HN1D02FU(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage HN1D02FU (T5L, F, T) 0.4700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 HN1D02 기준 ES6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 음극 음극 공통 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 v 125 ° C (°)
SSM6G18NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6G18NU, LF 0.4900
RFQ
 ECAD 8410 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 SSM6G18 MOSFET (금속 (() 6-µdfn (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2A (TA) 1.5V, 4.5V 112mohm @ 1a, 4.5v 1V @ 1mA 4.6 NC @ 4.5 v ± 8V 270 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1W (TA)
TK31E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK31E60W, S1VX 8.2200
RFQ
 ECAD 3779 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TK31E60 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 30.8A (TA) 10V 88mohm @ 15.4a, 10V 3.7v @ 1.5ma 86 NC @ 10 v ± 30V 3000 pf @ 300 v - 230W (TC)
TJ8S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ8S06M3L, LXHQ 0.9500
RFQ
 ECAD 8204 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TJ8S06 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 8A (TA) 6V, 10V 104mohm @ 4a, 10V 3V @ 1mA 19 NC @ 10 v +10V, -20V 890 pf @ 10 v - 27W (TC)
RN1104,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104, LXHF (Ct 0.3300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN1104 100MW SSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
2SK4016(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4016 (Q) -
RFQ
 ECAD 1323 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SK4016 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 13A (TA) 10V 500mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 1MA 62 NC @ 10 v ± 30V 3100 pf @ 25 v - 50W (TC)
TK20A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20A60W5, S5VX 3.2700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK20A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 20A (TA) 10V 175mohm @ 10a, 10V 4.5V @ 1mA 55 NC @ 10 v ± 30V 1800 pf @ 300 v - 45W (TC)
TPWR8503NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPWR8503NL, L1Q 2.7600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn TPWR8503 MOSFET (금속 (() 8-DSOP 발전 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 150A (TC) 4.5V, 10V 0.85mohm @ 50a, 10V 2.3v @ 1ma 74 NC @ 10 v ± 20V 6900 pf @ 15 v - 800MW (TA), 142W (TC)
TPW1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW1R005PL, L1Q 3.0300
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powerwdfn TPW1R005 MOSFET (금속 (() 8-DSOP 발전 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 45 v 300A (TC) 4.5V, 10V 2.4V @ 1mA 122 NC @ 10 v ± 20V 9600 pf @ 22.5 v - 960MW (TA), 170W (TC)
RN2302,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2302, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN2302 100MW SC-70 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 200MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
1SS361,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage 1SS361, LJ (Ct 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 1SS361 기준 SSM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 v 125 ° C (°)
RN4985,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985, LXHF (Ct 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4985 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz, 200MHz 2.2kohms 47kohms
RN2101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101, LF (Ct 0.2000
RFQ
 ECAD 2719 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN2101 100MW SSM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 30 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TK14E65W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK14E65W, S1X 3.0500
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TK14E65 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 13.7A (TA) 10V 250mohm @ 6.9a, 10V 3.5V @ 690µA 35 NC @ 10 v ± 30V 1300 pf @ 300 v - 130W (TC)
CRF03A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CRF03A, LQ (m -
RFQ
 ECAD 5905 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 상자 활동적인 표면 표면 SOD-123F 기준 S-FLAT (1.6x3.5) 다운로드 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2 v @ 700 ma 100 ns 50 µa @ 600 v 150 ° C 700ma -
TK4P55DA(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P55DA (T6RSS-Q) -
RFQ
 ECAD 2865 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Tk4p55 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) Tk4p55dat6rssq 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 550 v 3.5A (TA) 10V 2.45ohm @ 1.8a, 10V 4.4V @ 1mA 9 NC @ 10 v ± 30V 380 pf @ 25 v - 80W (TC)
SSM3K357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K357R, LF 0.4000
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosv 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 SSM3K357 MOSFET (금속 (() SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 650MA (TA) 3V, 5V 1.8ohm @ 150ma, 5V 2V @ 1mA 1.5 nc @ 5 v ± 12V 60 pf @ 12 v - 1W (TA)
TJ9A10M3,S4Q Toshiba Semiconductor and Storage TJ9A10M3, S4Q -
RFQ
 ECAD 3753 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TJ9A10 MOSFET (금속 (() TO-220SIS - 264-TJ9A10M3S4Q 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 9A (TA) 10V 170mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 1MA 47 NC @ 10 v ± 20V 2900 pf @ 10 v - 19W (TC)
SSM6N7002CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002CFU, LF 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N7002 MOSFET (금속 (() 285MW US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 170ma 3.9ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.35NC @ 4.5V 17pf @ 10V -
RN1708,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1708, LF 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1708 200MW USV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 22kohms 47kohms
SSM6N44FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N44FU, LF 0.3600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N44 MOSFET (금속 (() 200MW (TA) US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 100MA (TA) 4ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100µa - 8.5pf @ 3v -
TW045N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW045N120C, S1F 23.7100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 40A (TC) 18V 59mohm @ 20a, 18V 5V @ 6.7ma 57 NC @ 18 v +25V, -10V 1969 pf @ 800 v - 182W (TC)
RN2401,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2401, LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2401 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 30 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
2SA1955FVBTPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FVBTPL3Z 0.1200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 2SA1955 100MW VESM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 8,000 12 v 400 MA 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 10ma, 200ma 300 @ 10ma, 2v 130MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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