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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 속도 FET 종류 테스트 조건 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 Td(켜기/끄기) @ 25°C 다이오드 전압 - 역방향(최대) 전압 - 출력(V(BR)GSS) - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f) 냄비에 냄비를 조건으로 Q@VR, F
RN1909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1909(T5L,F,T) 0.3400
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1909 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 47k옴 22kΩ
CMS30I30A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS30I30A(TE12L,QM 0.5900
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 CMS30 쇼트키 M플랫(2.4x3.8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 490mV @ 3A 30V에서 100μA 150°C(최대) 3A 82pF @ 10V, 1MHz
GT40WR21,Q Toshiba Semiconductor and Storage GT40WR21,Q 11.0200
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 ECAD 7358 0.00000000 도시바 및 저장 - 쟁반 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 기준 375W TO-3P(엔) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 100 - - 1350V 40A 80A 5.9V @ 15V, 40A - -
RN4906,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4906,LF 0.2800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4906 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7k옴 47k옴
2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880-BL(TE85L,F) 0.5900
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 ECAD 14 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SK880 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 13pF @ 10V 50V 10V에서 6mA 1.5V @ 100nA
SSM3J331R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J331R,LF 0.4500
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 ECAD 23 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 SSM3J331 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 4A(타) 1.5V, 4.5V 55m옴 @ 3A, 4.5V 1V @ 1mA 10.4nC @ 4.5V ±8V 10V에서 630pF - 1W(타)
1SV229TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV229TPH3F 0.3800
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 ECAD 9260 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-76, SOD-323 1SV229 USC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 6.5pF @ 10V, 1MHz 하나의 15V 2.5 C2/C10 -
TPN3300ANH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN3300ANH,LQ 0.9000
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 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPN3300 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.3x3.3) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 100V 9.4A(Tc) 10V 33m옴 @ 4.7A, 10V 4V @ 100μA 11nC @ 10V ±20V 50V에서 880pF - 700mW(Ta), 27W(Tc)
TTA1943(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTA1943(Q) 2.7000
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 ECAD 567 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3PL TTA1943 150W TO-3P(L) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 100 230V 15A 5μA(ICBO) PNP 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1A, 5V 30MHz
TK14C65W5,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK14C65W5,S1Q -
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 ECAD 2691 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA TK14C65 MOSFET(금속) I2PAK 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 13.7A(타) 10V 300m옴 @ 6.9A, 10V 690μA에서 4.5V 40nC @ 10V ±30V 300V에서 1300pF - 130W(Tc)
BAS316,H3F Toshiba Semiconductor and Storage BAS316,H3F 0.1800
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-76, SOD-323 BAS316 기준 USC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 100V 1.25V @ 150mA 3ns 80V에서 200nA 150°C(최대) 250mA 0.35pF @ 0V, 1MHz
SSM6K516NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K516NU,LF 0.4100
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-WDFN옆패드 SSM6K516 MOSFET(금속) 6-UDFNB(2x2) - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 6A(타) 4.5V, 10V 46m옴 @ 4A, 10V 100μA에서 2.5V 2.5nC @ 4.5V +20V, -12V 15V에서 280pF - 1.25W(타)
RN1108MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1108MFV,L3F 0.1800
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 ECAD 29 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1108 150mW 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 22kΩ 47kΩ
RN2308,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2308,LXHF 0.3900
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2308 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22kΩ 47kΩ
SSM3K376R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K376R,LF 0.4300
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 ECAD 54 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 SSM3K376 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 4A(타) 1.8V, 4.5V 56m옴 @ 2A, 4.5V 1V @ 1mA 2.2nC @ 4.5V +12V, -8V 10V에서 200pF - 2W(타)
2SD2257(CANO,A,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257(카노,A,Q) -
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 ECAD 7754 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SD2257 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 100V 3A 10μA(ICBO) NPN 1.5V @ 1.5mA, 1.5A 2000 @ 2A, 2V -
RN1413,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1413,LF 0.1900
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1413 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz 47kΩ
SSM3K16FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16FS,LF 0.2300
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 ECAD 6974 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SC-75, SOT-416 MOSFET(금속) SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 100mA(타) 1.5V, 4V 3옴 @ 10mA, 4V 1.1V @ 100μA ±10V 9.3pF @ 3V - 100mW(타)
CRS13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS13(TE85L,Q,M) 0.4500
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-123F CRS13 쇼트키 S플랫(1.6x3.5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 60V 550mV @ 1A 60V에서 50μA 150°C(최대) 1A 40pF @ 10V, 1MHz
CLS02(TE16L,SQC,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02(TE16L,SQC,Q) -
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 ECAD 2120 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 L-플랫™ CLS02 쇼트키 L-FLAT™(4x5.5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 550mV @ 10A 40V에서 1mA -40°C ~ 125°C 10A 420pF @ 10V, 1MHz
2SA1943-O(S1,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1943-O(S1,F 2.9200
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 ECAD 20 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3PL 150W TO-3P(L) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 25 230V 15A 5μA(ICBO) PNP 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1A, 5V 30MHz
TK12J60W,S1VE(S Toshiba Semiconductor and Storage TK12J60W,S1VE(S -
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 ECAD 8348 0.00000000 도시바 및 저장 - 쟁반 활동적인 150°C 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 TK12J60 MOSFET(금속) TO-3P(엔) - 1(무제한) 264-TK12J60WS1VE(S EAR99 8541.29.0095 25 N채널 600V 11.5A(타) 10V 300m옴 @ 5.8A, 10V 600μA에서 3.7V 25nC @ 10V ±30V 300V에서 890pF - 110W(Tc)
RN1444ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1444ATE85LF -
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 ECAD 7205 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1444 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 20V 300mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 100mV @ 3mA, 30mA 200 @ 4mA, 2V 30MHz 2.2kΩ
CMS08(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS08(TE12L,Q,M) 0.5300
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 CMS08 쇼트키 M플랫(2.4x3.8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 370mV @ 3A 30V에서 1.5mA -40°C ~ 125°C 1A 70pF @ 10V, 1MHz
RN1907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1907FE,LF(CT 0.2700
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1907 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 10k옴 47k옴
RN2103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2103CT(TPL3) -
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 ECAD 1846년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN2103 50mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 100 @ 10mA, 5V 22kΩ 22kΩ
TK20J60U(F) Toshiba Semiconductor and Storage TK20J60U(F) -
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 ECAD 2851 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSII 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 TK20J60 MOSFET(금속) TO-3P(엔) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 20A(타) 10V 190m옴 @ 10A, 10V 5V @ 1mA 27nC @ 10V ±30V 1470pF @ 10V - 190W(Tc)
MT4S300U(TE85L,O,F Toshiba Semiconductor and Storage MT4S300U(TE85L,O,F 0.6800
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-82A, SOT-343 MT4S300 250mW USQ 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 16.9dB 4V 50mA NPN 200 @ 10mA, 3V 26.5GHz 0.55dB @ 2GHz
TPC6012(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012(TE85L,F,M) -
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 ECAD 5714 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 TPC6012 MOSFET(금속) VS-6(2.9x2.8) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 6A(타) 2.5V, 4.5V 20m옴 @ 3A, 4.5V 200μA에서 1.2V 9nC @ 5V ±12V 10V에서 630pF - 700mW(타)
TPN11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN11003NL,LQ 0.6800
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPN11003 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 11A(티씨) 4.5V, 10V 11m옴 @ 5.5A, 10V 100μA에서 2.3V 7.5nC @ 10V ±20V 15V에서 660pF - 700mW(Ta), 19W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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