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불연속 불연속 제품 (2909)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 전류 전류 (ID) - 최대
2SC5714(TE12L,ZF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5714 (TE12L, ZF) -
RFQ
 ECAD 5601 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 상자 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. PW- 미니 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 20 v 4 a 100NA (ICBO) NPN 150mv @ 32ma, 1.6a 400 @ 500ma, 2V -
2SC2235-Y(T6FJT,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-y (T6FJT, AF -
RFQ
 ECAD 6044 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2235 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 80 @ 100MA, 5V 120MHz
TTC5200(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTC5200 (Q) 2.7000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 쟁반 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-3pl TTC5200 150 W. TO-3P (L) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 100 230 v 15 a 5µA (ICBO) NPN 3V @ 800ma, 8a 80 @ 1a, 5V 30MHz
SSM3K37MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K37MFV, L3F 0.2900
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 SSM3K37 MOSFET (금속 (() VESM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 n 채널 20 v 250MA (TA) 1.5V, 4.5V 2.2ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 1mA ± 10V 12 pf @ 10 v - 150MW (TA)
3SK292(TE85R,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK292 (TE85R, F) -
RFQ
 ECAD 9325 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 12.5 v 표면 표면 SC-61AA 3SK292 500MHz MOSFET SMQ - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 게이트 게이트 듀얼 30ma 10 MA - 26db 1.4dB 6 v
TPC8211(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8211 (TE12L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 1656 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TPC8211 MOSFET (금속 (() 450MW 8-SOP (5.5x6.0) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 5.5A 36mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 1mA 25NC @ 10V 1250pf @ 10V 논리 논리 게이트
CRG04A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CRG04A, LQ (m -
RFQ
 ECAD 4458 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 상자 활동적인 표면 표면 SOD-123F 기준 S-FLAT (1.6x3.5) 다운로드 귀 99 8541.10.0080 1 짐 600 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 600 v 150 ° C 1A -
RN2103MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2103MFV, L3F -
RFQ
 ECAD 1968 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN2103 150 MW VESM 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) RN2103MFVL3F 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 22 KOHMS 22 KOHMS
2SA2154MFV-Y,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154MFV-Y, L3F 0.1900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 2SA2154 150 MW VESM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 80MHz
30JL2C41(F) Toshiba Semiconductor and Storage 30JL2C41 (F) -
RFQ
 ECAD 7236 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 30JL2C 기준 TO-3P (N) - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 15a 2 V @ 15 a 50 ns 50 µa @ 600 v -40 ° C ~ 150 ° C
CUHS15F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15F30, H3F 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 Cuhs15 Schottky US2H 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 520 MV @ 1.5 a 50 µa @ 30 v 150 ° C 1.5A 170pf @ 0V, 1MHz
RN1104ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1104ACT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 2761 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN1104 100MW CST3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 MA 500NA npn-사전- 150mv @ 250µa, 5mA 80 @ 10ma, 5V 47 Kohms 47 Kohms
RN4983,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983, LF (Ct 0.3500
RFQ
 ECAD 7287 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4983 200MW US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 250MHz, 200MHz 22kohms 22kohms
2SK209-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209-BL (TE85L, F) 0.4400
RFQ
 ECAD 1670 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK209 150 MW SC-59 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 13pf @ 10V 50 v 14 ma @ 10 v 1.5 V @ 100 NA 14 MA
RN1106MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV (TL3, T) -
RFQ
 ECAD 5110 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-723 RN1106 150 MW VESM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 4.7 Kohms 47 Kohms
RN2909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2909 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 9209 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2909 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 200MHz 47kohms 22kohms
2SA965-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-O (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 2634 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA965 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA (ICBO) PNP 1V @ 50MA, 500MA 80 @ 100MA, 5V 120MHz
1SS384TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS384TE85LF 0.4200
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-82 1SS384 Schottky USQ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 10 v 100ma 500 mV @ 100 ma 20 µa @ 10 v 125 ° C (°)
CLS03(TE16L,SQC,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 (TE16L, SQC, Q) -
RFQ
 ECAD 9458 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 L-FLAT ™ CLS03 Schottky L-FLAT ™ (4x5.5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 580 mV @ 10 a 1 ma @ 60 v -40 ° C ~ 125 ° C 10A 345pf @ 10V, 1MHz
TTA006B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTA006B, Q (s -
RFQ
 ECAD 1451 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 활동적인 TTA006 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 250
RN1303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1303 (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 4362 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN1303 100MW SC-70 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
2SA1869-Y(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1869-Y (Q, M) -
RFQ
 ECAD 1659 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SA1869 10 W. TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 50 v 3 a 1µA (ICBO) PNP 600mv @ 200ma, 2a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
RN1316,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1316, LF 0.2100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN1316 100MW SC-70 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
ULN2004APG,C,N Toshiba Semiconductor and Storage ULN2004APG, C, n -
RFQ
 ECAD 9779 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ULN2004 1.47W 16-DIP - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 25 50V 500ma 50µA 7 npn 달링턴 1.6V @ 500µa, 350ma 1000 @ 350MA, 2V -
TRS12V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS12V65H, LQ 3.2800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 4-vSfn s 패드 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky 4-DFN-EP (8x8) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,500 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.35 V @ 12 a 0 ns 120 µa @ 650 v 175 ° C 12a 778pf @ 1v, 1MHz
HN2S02JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2S02JE (TE85L, F) 0.4800
RFQ
 ECAD 3286 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-553 HN2S02 Schottky ESV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 40 v 100ma 600 mv @ 100 ma 5 µa @ 40 v 125 ° C (°)
2SC2235-Y(T6KMATFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-y (T6KMATFM -
RFQ
 ECAD 9620 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2235 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 2SC2235YT6KMATFM 귀 99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 80 @ 100MA, 5V 120MHz
RN1904,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904, LF (Ct 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1904 200MW US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 47kohms 47kohms
TPC8109(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8109 (TE12L) -
RFQ
 ECAD 2232 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TPC8109 MOSFET (금속 (() 8-SOP (5.5x6.0) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 10A (TA) 20mohm @ 5a, 10V 2V @ 1mA 45 NC @ 10 v 2260 pf @ 10 v -
2SD2257,NIKKIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257, Nikkiq (j -
RFQ
 ECAD 2832 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SD2257 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 3 a 10µA (ICBO) NPN 1.5V @ 1.5MA, 1.5A 2000 @ 2a, 2v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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