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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
SSM6J214FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J214FE(TE85L,F 0.3900
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 ECAD 30 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6J214 MOSFET(금속) ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 P채널 30V 3.6A(타) 1.8V, 10V 50m옴 @ 3A, 10V 1.2V @ 1mA 7.9nC @ 4.5V ±12V 15V에서 560pF - 500mW(타)
CUHS15F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15F30,H3F 0.4800
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 CUHS15 쇼트키 US2H 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 520mV @ 1.5A 30V에서 50μA 150°C 1.5A 170pF @ 0V, 1MHz
RN2105MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2105MFV,L3XHF(CT 0.3400
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2105 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 47kΩ
SSM3K376R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K376R,LXHF 0.4000
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 4A(타) 1.8V, 4.5V 56m옴 @ 2A, 4.5V 1V @ 1mA 2.2nC @ 4.5V +12V, -8V 10V에서 200pF - 1W(타)
2SC2655-Y(T6TOJ,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y(T6TOJ,FM -
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 ECAD 5228 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2655 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN1708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1708JE(TE85L,F) 0.4000
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-553 RN1708 100mW ESV 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22k옴 47k옴
RN1103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1103CT(TPL3) -
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 ECAD 2562 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN1103 50mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 100 @ 10mA, 5V 22kΩ 22kΩ
RN2103MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2103MFV,L3F -
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 ECAD 1968년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2103 150mW 베스엠 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) RN2103MFVL3F EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 22kΩ 22kΩ
CRS10I40B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40B(TE85L,QM 0.4700
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-123F CRS10I40 쇼트키 S플랫(1.6x3.5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 450mV @ 1A 40V에서 100μA 150°C(최대) 1A 62pF @ 10V, 1MHz
TJ15S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ15S06M3L,LXHQ 0.9500
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 ECAD 16 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TJ15S06 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 P채널 60V 15A(타) 6V, 10V 50m옴 @ 7.5A, 10V 3V @ 1mA 36nC @ 10V +10V, -20V 1770pF @ 10V - 41W(Tc)
TPH4R10ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R10ANL,L1Q 1.6500
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 ECAD 7346 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPH4R10 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 100V 92A(타), 70A(Tc) 4.5V, 10V 4.1m옴 @ 35A, 10V 2.5V @ 1mA 75nC @ 10V ±20V 50V에서 6300pF - 2.5W(Ta), 67W(Tc)
RN2112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2112ACT(TPL3) 0.0527
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 ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN2112 100mW CST3 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 80mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 120@1mA, 5V 22kΩ
2SC2655-Y(T6ND3,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y(T6ND3,AF -
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 ECAD 8423 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2655 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TK35N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W,S1F 7.8600
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 ECAD 25 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 TK35N65 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 35A(타) 10V 80m옴 @ 17.5A, 10V 3.5V @ 2.1mA 100nC @ 10V ±30V 300V에서 4100pF - 270W(Tc)
TPCF8102(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8102(TE85L,F,M -
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 ECAD 8048 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TPCF8102 MOSFET(금속) VS-8(2.9x1.5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 P채널 20V 6A(타) 1.8V, 4.5V 30m옴 @ 3A, 4.5V 200μA에서 1.2V 19nC @ 5V ±8V 1550pF @ 10V - 700mW(타)
CTS05S40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CTS05S40,L3F 0.3400
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 ECAD 62 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-882 CTS05S40 쇼트키 중부표준시2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 10,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 100mA에서 350mV 10V에서 30μA 125°C(최대) 500mA 42pF @ 0V, 1MHz
TPH5R60APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH5R60APL,L1Q 1.3600
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 ECAD 3472 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 100V 60A(Tc) 4.5V, 10V 5.6m옴 @ 30A, 10V 500μA에서 2.5V 52nC @ 10V ±20V 50V에서 4300pF - 960mW(Ta), 132W(Tc)
2SK2376(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2376(Q) -
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 ECAD 4520 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3, 단기 탭 2SK2376 MOSFET(금속) TO-220FL 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 45A(타) 4V, 10V 17m옴 @ 25A, 10V 2V @ 1mA 110nC @ 10V ±20V 10V에서 3350pF - 100W(Tc)
TK50P03M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK50P03M1(T6RSS-Q) -
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 ECAD 8706 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVI-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK50P03 MOSFET(금속) D-박 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 30V 50A(타) 4.5V, 10V 7.5m옴 @ 25A, 10V 2.3V @ 200μA 25.3nC @ 10V ±20V 1700pF @ 10V - 47W(Tc)
2SB1481(TOJS,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1481(TOJS,Q,M) -
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 ECAD 3254 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SB1481 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 100V 4A 2μA(ICBO) PNP 1.5V @ 6mA, 3A 2000 @ 3A, 2V -
TPN2R903PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R903PL,L1Q 0.8300
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 ECAD 39 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPN2R903 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 70A(Tc) 4.5V, 10V 2.9m옴 @ 35A, 10V 2.1V @ 200μA 26nC @ 10V ±20V 15V에서 2300pF - 630mW(Ta), 75W(Tc)
CRS15I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS15I40A(TE85L,QM 0.4500
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 ECAD 8628 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-123F CRS15I40 쇼트키 S플랫(1.6x3.5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 550mV @ 1.5A 40V에서 60μA 150°C(최대) 1.5A 35pF @ 10V, 1MHz
GT20J341,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage GT20J341,S4X(S 2.0600
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 ECAD 7000 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 기준 45W TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 300V, 20A, 33옴, 15V 90ns - 600V 20A 80A 2V @ 15V, 20A 500μJ(켜짐), 400μJ(꺼짐) 60ns/240ns
RN1111CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1111CT(TPL3) -
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 ECAD 5359 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN1111 50mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 300@1mA, 5V 10kΩ
2SA1837,HFEYHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837,HFEYHF(M -
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 ECAD 6958 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1837 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 230V 1A 1μA(ICBO) PNP 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 70MHz
TK72E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK72E12N1,S1X 2.5300
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 ECAD 42 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK72E12 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 120V 72A(타) 10V 4.4m옴 @ 36A, 10V 4V @ 1mA 130nC @ 10V ±20V 60V에서 8100pF - 255W(Tc)
2SD2257,KEHINQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257,케힌큐(J -
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 ECAD 4854 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SD2257 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 100V 3A 10μA(ICBO) NPN 1.5V @ 1.5mA, 1.5A 2000 @ 2A, 2V -
TK100S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L,LQ 2.8100
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK100S04 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 40V 100A(타) 4.5V, 10V 2.3m옴 @ 50A, 10V 500μA에서 2.5V 76nC @ 10V ±20V 5490pF @ 10V - 100W(Tc)
CMS01(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS01(TE12L,Q,M) 0.6600
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 ECAD 20 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 CMS01 쇼트키 M플랫(2.4x3.8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 370mV @ 3A 30V에서 5mA -40°C ~ 125°C 3A -
SSM5N16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N16FU,LF 0.4500
보상요청
 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 SSM5N16 MOSFET(금속) 200mW(타) USV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 20V 100mA(타) 3옴 @ 10mA, 4V 1.1V @ 100μA - 9.3pF @ 3V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

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    전세계 제조업체

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