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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	테스트 테스트	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	25 ° C @ TD (오프/온)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
TPC8212-H (TE12LQ, m	-	RFQ	9667	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비)	TPC8212		MOSFET (금속 (()	450MW	8-SOP (5.5x6.0)	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)				30V	6A		21mohm @ 3a, 10V	2.3v @ 1ma	16NC @ 10V		840pf @ 10V	논리 논리 게이트
TPH4R10ANL, L1Q	1.6500	RFQ	7346	Toshiba 반도체 a 저장	U-Mosviii-H	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C	표면 표면	8-powervdfn	TPH4R10		MOSFET (금속 (()		8-SOP Advance (5x5)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	5,000			n 채널		100 v	92A (TA), 70A (TC)	4.5V, 10V	4.1mohm @ 35a, 10V	2.5V @ 1mA	75 NC @ 10 v	± 20V	6300 pf @ 50 v	-	2.5W (TA), 67W (TC)
RN1907FE, LXHF (Ct	0.3800	RFQ	8	Toshiba 반도체 a 저장	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOT-563, SOT-666	RN1907			100MW	ES6	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8541.21.0095	4,000																									50V	100ma					500NA			2 npn--바이어스 (듀얼)	300MV @ 250µA, 5MA	80 @ 10ma, 5V	250MHz	10kohms	47kohms
2SK1119 (F)	-	RFQ	6890	Toshiba 반도체 a 저장	-	튜브	쓸모없는		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	2SK1119		MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널		1000 v	4A (TA)	10V	3.8ohm @ 2a, 10V	3.5V @ 1mA	60 nc @ 10 v	± 20V	700 pf @ 25 v	-	100W (TC)
CMS07 (TE12L, Q, M)	0.1916	RFQ	2620	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-128	CMS07		Schottky		M-FLAT (2.4x3.8)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)														30 v		450 mV @ 2 a		500 µa @ 30 v	-40 ° C ~ 150 ° C	2A	-
SSM3K123TU, LF	0.4900	RFQ	397	Toshiba 반도체 a 저장	U-mosiii	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	3-smd,, 리드	SSM3K123		MOSFET (금속 (()		UFM	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널		20 v	4.2A (TA)	1.5V, 4V	28mohm @ 3a, 4v	1V @ 1mA	13.6 NC @ 4 v	± 10V	1010 pf @ 10 v	-	500MW (TA)
2SC2229-O (T6SAN2FM	-	RFQ	1326	Toshiba 반도체 a 저장	-	대부분	쓸모없는		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 긴 몸	2SC2229			800MW	TO-92 모드	다운로드		1 (무제한)	2SC2229OT6SAN2FM	귀 99	8541.21.0075	1																									150 v	50 MA					100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 1ma, 10ma	70 @ 10ma, 5V	120MHz
CMZ13 (TE12L, Q, M)	0.5400	RFQ	4806	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-128	CMZ13			2 w	M-FLAT (2.4x3.8)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.10.0050	3,000																		1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 9 v												13 v	30 옴
TK20G60W, RVQ	2.5000	RFQ	5025	Toshiba 반도체 a 저장	dtmosiv	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	TK20G60		MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널		600 v	20A (TA)	10V	155mohm @ 10a, 10V	3.7v @ 1ma	48 NC @ 10 v	± 30V	1680 pf @ 300 v	-	165W (TC)
1SS370TE85LF	-	RFQ	2146	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	1SS370		기준		SC-70	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도														200 v		1.2 v @ 100 ma	60 ns	1 µa @ 200 v	125 ° C (°)	100ma	3pf @ 0V, 1MHz
RN1113 (T5L, F, T)	0.0305	RFQ	3	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-75, SOT-416	RN1113			100MW	SSM	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.21.0075	3,000																									50 v	100 MA					100NA (ICBO)			npn-사전-	300MV @ 250µA, 5MA	120 @ 1ma, 5V	250MHz	47 Kohms
SSM3K335R, LF	0.4700	RFQ	95	Toshiba 반도체 a 저장	U-mosvii-h	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-3 3 리드	SSM3K335		MOSFET (금속 (()		SOT-23F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널		30 v	6A (TA)	4.5V, 10V	38mohm @ 4a, 10V	2.5V @ 100µa	2.7 NC @ 4.5 v	± 20V	340 pf @ 15 v	-	1W (TA)
RN4987, LF (Ct	0.3500	RFQ	4365	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4987			200MW	US6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.21.0095	3,000																									50V	100ma					500NA			1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중)	300MV @ 250µA, 5MA	80 @ 10ma, 5V	250MHz, 200MHz	10kohms	47kohms
TK62N60W, S1VF	16.4000	RFQ	6481	Toshiba 반도체 a 저장	dtmosiv	튜브	활동적인		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	Tk62n60		MOSFET (금속 (()		TO-247	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	30			n 채널		600 v	61.8A (TA)	10V	40mohm @ 30.9a, 10V	3.7v @ 3.1ma	180 NC @ 10 v	± 30V	6500 pf @ 300 v	-	400W (TC)
TPCA8065-H, LQ (s	-	RFQ	3579	Toshiba 반도체 a 저장	U-mosvii-h	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	TPCA8065		MOSFET (금속 (()		8-SOP Advance (5x5)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널		30 v	16A (TA)	4.5V, 10V	11.4mohm @ 8a, 10V	2.3V @ 200µA	20 nc @ 10 v	± 20V	1600 pf @ 10 v	-	1.6W (TA), 25W (TC)
TPC8021-H (TE12LQ, m	-	RFQ	1471	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비)	TPC8021		MOSFET (금속 (()		8-SOP (5.5x6.0)	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널		30 v	11A (TA)	4.5V, 10V	17mohm @ 5.5a, 10V	2.3v @ 1ma	11 NC @ 10 v	± 20V	640 pf @ 10 v	-	1W (TA)
1SS361CT (TPL3)	0.3400	RFQ	242	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-101, SOT-883	1SS361		기준		CST3	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.10.0070	10,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													1 음극 음극 공통	80 v	100ma	1.2 v @ 100 ma	1.6 ns	500 NA @ 80 v	150 ° C (°)
TPH12008NH, L1Q	1.2500	RFQ	9998	Toshiba 반도체 a 저장	U-Mosviii-H	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	TPH12008		MOSFET (금속 (()		8-SOP Advance (5x5)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	5,000			n 채널		80 v	24A (TC)	10V	12.3mohm @ 12a, 10V	4V @ 300µA	22 nc @ 10 v	± 20V	1900 pf @ 40 v	-	1.6W (TA), 48W (TC)
2SA1586SU-Y, LF	-	RFQ	4878	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다		125 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	2SA1586			100MW	SC-70	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.21.0095	3,000																									50 v	150 MA					100NA (ICBO)			PNP	300mv @ 10ma, 100ma	70 @ 2MA, 6V	80MHz
Tk5a65da (STA4, Q, M)	1.5900	RFQ	50	Toshiba 반도체 a 저장	π-mosvii	튜브	활동적인		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	TK5A65		MOSFET (금속 (()		TO-220SIS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널		650 v	4.5A (TA)	10V	1.67ohm @ 2.3a, 10V	4.4V @ 1mA	16 nc @ 10 v	± 30V	700 pf @ 25 v	-	35W (TC)
HN1A01FE-GR, LF	0.3300	RFQ	4	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	HN1A01			100MW	ES6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.21.0095	4,000																									50V	150ma					100NA (ICBO)			2 PNP (()	300mv @ 10ma, 100ma	200 @ 2ma, 6v	80MHz
TPH4R008NH, L1Q	2.7900	RFQ	5	Toshiba 반도체 a 저장	U-Mosviii-H	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	TPH4R008		MOSFET (금속 (()		8-SOP Advance (5x5)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	5,000			n 채널		80 v	60A (TC)	10V	4mohm @ 30a, 10V	4V @ 1MA	59 NC @ 10 v	± 20V	5300 pf @ 40 v	-	1.6W (TA), 78W (TC)
2SK3388 (TE24L, Q)	-	RFQ	7495	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-97	2SK3388		MOSFET (금속 (()		4-TFP (9.2x9.2)	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	1,500			n 채널		250 v	20A (TA)	10V	10A @ 10A, 10V	3.5V @ 1mA	100 nc @ 10 v	± 20V	4000 pf @ 10 v	-	125W (TC)
TMBT3904, LM	0.1800	RFQ	2	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TMBT3904			320 MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.21.0075	3,000																									50 v	150 MA					100NA (ICBO)			NPN	300mv @ 5ma, 50ma	100 @ 10ma, 1v	300MHz
RN4983, LF (Ct	0.3500	RFQ	7287	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4983			200MW	US6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.21.0095	3,000																									50V	100ma					500NA			1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중)	300MV @ 250µA, 5MA	70 @ 10ma, 5V	250MHz, 200MHz	22kohms	22kohms
SSM3K09FU, LF	0.4200	RFQ	74	Toshiba 반도체 a 저장	π-mosvi	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C	표면 표면	SC-70, SOT-323	SSM3K09		MOSFET (금속 (()		USM	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널		30 v	400MA (TA)	3.3V, 10V	700mohm @ 200ma, 10V	1.8V @ 100µa		± 20V	20 pf @ 5 v	-	150MW (TA)
RN1964FE (TE85L, F)	0.1000	RFQ	3	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOT-563, SOT-666	RN1964			100MW	ES6	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8541.21.0095	4,000																									50V	100ma					100NA (ICBO)			2 npn--바이어스 (듀얼)	300MV @ 250µA, 5MA	80 @ 10ma, 5V	250MHz	47kohms	47kohms
RN1405, LF	0.2100	RFQ	5	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RN1405			200 MW	S- 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.21.0075	3,000																									50 v	100 MA					500NA			npn-사전-	300MV @ 250µA, 5MA	80 @ 10ma, 5V	250MHz	2.2 Kohms	47 Kohms
GT15J341, S4X	1.8100	RFQ	50	Toshiba 반도체 a 저장	-	튜브	활동적인		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		기준		30 w	TO-220SIS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	50				300V, 15A, 33OHM, 15V															80 ns					-	600 v	15 a	60 a	2V @ 15V, 15a	300µJ (on), 300µJ (OFF)	60ns/170ns
SSM6K819R, LF	0.6600	RFQ	4	Toshiba 반도체 a 저장	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		175 ° C	표면 표면	6-SMD,, 리드	SSM6K819		MOSFET (금속 (()		6TSOP-F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널		100 v	10A (TA)	4.5V, 10V	25.8mohm @ 4a, 10V	2.5V @ 100µa	8.5 NC @ 4.5 v	± 20V	1110 pf @ 15 v	-	1.5W (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²