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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 현재 - 최대 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id - 컬렉터 컷오프(최대) 저항 @ If, F 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
SSM6N48FU,RF(D Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU,RF(D -
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 ECAD 1977년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N48 MOSFET(금속) 300mW US6 다운로드 1(무제한) SSM6N48FURF(D EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 30V 100mA(타) 3.2옴 @ 10mA, 4V 1.5V @ 100μA - 15.1pF @ 3V 레벨 레벨 컨트롤러, 2.5V 드라이브
TK70D06J1(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK70D06J1(Q) -
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 ECAD 8209 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK70 MOSFET(금속) TO-220(W) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 70A(타) 4.5V, 10V 6.4m옴 @ 35A, 10V 2.3V @ 1mA 87nC @ 10V ±20V 5450pF @ 10V - 45W(Tc)
RN2110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2110CT(TPL3) -
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 ECAD 1745년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN2110 50mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 300@1mA, 5V 4.7kΩ
TK14E65W5,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK14E65W5,S1X 3.0200
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 ECAD 15 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK14E65 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 13.7A(타) 10V 300m옴 @ 6.9A, 10V 690μA에서 4.5V 40nC @ 10V ±30V 300V에서 1300pF - 130W(Tc)
RN1103MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV,L3XHF(CT 0.3400
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1103 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 22kΩ 22kΩ
TK16A60W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK16A60W,S4X 2.3741
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 ECAD 4531 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK16A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TK16A60WS4X EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 15.8A(타) 10V 190m옴 @ 7.9A, 10V 790μA에서 3.7V 40nC @ 10V ±30V 300V에서 1350pF - 40W(Tc)
TK15A60U(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK15A60U(STA4,Q,M) -
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 ECAD 1261 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSII 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK15A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 15A(타) 10V 300m옴 @ 7.5A, 10V 5V @ 1mA 17nC @ 10V ±30V 10V에서 950pF - 40W(Tc)
1SS381,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS381,L3F 0.0540
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 ECAD 6469 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 125°C (TJ) SC-79, SOD-523 1SS381 ESC 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 8,000 100mA 1.2pF @ 6V, 1MHz 핀 - 인디 30V 900m옴 @ 2mA, 100MHz
TK34A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK34A10N1,S4X 1.5500
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 ECAD 9909 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK34A10 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 34A(티씨) 10V 9.5m옴 @ 17A, 10V 4V에서 500μA 38nC @ 10V ±20V 50V에서 2600pF - 35W(Tc)
TK13E25D,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK13E25D,S1X(S 2.2900
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 ECAD 4902 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK13E25 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 250V 13A(타) 10V 250m옴 @ 6.5A, 10V 3.5V @ 1mA 25nC @ 10V ±20V 100V에서 1100pF - 102W(Tc)
RN2109MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2109MFV,L3F 0.1800
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 ECAD 7200 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2109 150mW 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 47kΩ 22kΩ
TK6A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A50D(STA4,Q,M) 1.3700
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK6A50 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 500V 6A(타) 10V 1.4옴 @ 3A, 10V 4.4V @ 1mA 11nC @ 10V ±30V 25V에서 540pF - 35W(Tc)
RN1416,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1416,LXHF 0.3400
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1416 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 10kΩ
TPH7R204PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R204PL,LQ 0.6500
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 ECAD 22 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPH7R204 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 40V 48A(TC) 4.5V, 10V 9.7m옴 @ 15A, 4.5V 2.4V @ 200μA 24nC @ 10V ±20V 2040pF @ 20V - 69W(Tc)
JDV2S07FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S07FSTPL3 0.0718
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 ECAD 6225 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 2-SMD, 플랫 리드 JDV2S07 fSC 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 10,000 4.9pF @ 1V, 1MHz 대처 - 인디 10V -
2SA1987-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1987-O(Q) 3.4500
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3PL 2SA1987 180W TO-3P(L) 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0075 100 230V 15A 5μA(ICBO) PNP 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1A, 5V 30MHz
2SA1930,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930,Q(J -
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 ECAD 3454 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1930 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 180V 2A 5μA(ICBO) PNP 1V @ 100mA, 1A 100 @ 100mA, 5V 200MHz
2SK3342(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3342(TE16L1,NQ) -
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 ECAD 3368 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SK3342 MOSFET(금속) PW-MOLD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 250V 4.5A(타) 10V 1옴 @ 2.5A, 10V 3.5V @ 1mA 10nC @ 10V ±20V 10V에서 440pF - 20W(Tc)
2SK3320-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3320-BL(TE85L,F 0.7500
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 ECAD 72 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 2SK3320 200mW USV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 13pF @ 10V 10V에서 6mA 200mV @ 100nA
TPC8062-H,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8062-H,LQ(CM -
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 ECAD 2139 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) TPC8062 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 18A(타) 4.5V, 10V 5.8m옴 @ 9A, 10V 300μA에서 2.3V 34nC @ 10V ±20V 2900pF @ 10V - 1W(타)
CMH04(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH04(TE12L,Q,M) 0.4500
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 CMH04 기준 M플랫(2.4x3.8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 200V 980mV @ 1A 35ns 200V에서 10μA -40°C ~ 150°C 1A -
TPCF8402(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8402(TE85L,F,M -
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 ECAD 3491 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TPCF8402 MOSFET(금속) 330mW VS-8(2.9x1.5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 N 및 P 채널 30V 4A, 3.2A 50m옴 @ 2A, 10V 2V @ 1mA 10nC @ 10V 470pF @ 10V 게임 레벨 레벨
TK16A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK16A45D(STA4,Q,M) -
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 ECAD 9568 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 - 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK16A45 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 450V 16A 270m옴 @ 8A, 10V - - -
RN1908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908,LXHF(CT 0.3600
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1908 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22kΩ 47k옴
RN1302,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1302,LF 0.2600
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1302 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
CMS10(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS10(TE12L,Q,M) 0.4600
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 CMS10 쇼트키 M플랫(2.4x3.8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 550mV @ 1A 40V에서 500μA -40°C ~ 150°C 1A 50pF @ 10V, 1MHz
2SC3326-A,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326-A,LF 0.4000
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 ECAD 78 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3326 150mW TO-236 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 20V 300mA 100nA(ICBO) NPN 100mV @ 3mA, 30mA 200 @ 4mA, 2V 30MHz
RN2505TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2505TE85LF 0.3400
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 ECAD 219 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74A, SOT-753 RN2505 300mW SMV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 2.2k옴 47k옴
TK9A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK9A45D(STA4,Q,M) 1.7100
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 ECAD 8473 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK9A45 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 450V 9A(타) 10V 770m옴 @ 4.5A, 10V 4V @ 1mA 16nC @ 10V ±30V 25V에서 800pF - 40W(Tc)
BAS516,H3F Toshiba Semiconductor and Storage BAS516,H3F 0.1800
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-79, SOD-523 BAS516 기준 ESC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 4,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 100V 1.25V @ 150mA 3ns 80V에서 200nA 150°C(최대) 250mA 0.35pF @ 0V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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