- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
불연속 불연속 제품 (2909)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HN2D01FTE85LF | 0.4700 |  | 201 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | HN2D01 | 기준 | SC-74 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 3 독립 | 80 v | 80ma | 1.2 v @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 v | 125 ° C (°) | |||||||||||||||||||||||||
 | RN2909, LF (Ct | 0.2800 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN2909 | 200MW | US6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100ma | 500NA | 2 pnp--바이어스 (듀얼) | 300MV @ 250µA, 5MA | 70 @ 10ma, 5V | 200MHz | 47kohms | 22kohms | ||||||||||||||||||||||||
 | 2SK2719 (F) | - | | 7516 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | 2SK2719 | MOSFET (금속 (() | TO-3P (N) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 900 v | 3A (TA) | 10V | 4.3ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 1MA | 25 nc @ 10 v | ± 30V | 750 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | CRH02 (TE85L, Q, M) | 0.3600 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123F | CRH02 | 기준 | S-FLAT (1.6x3.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 950 mV @ 500 mA | 35 ns | 10 µa @ 200 v | 150 ° C (°) | 500ma | - | |||||||||||||||||||||||||
 | 2SB906-Y (TE16L1, NQ | 1.2100 | | 5609 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 2SB906 | 1 W. | PW-Mold | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 60 v | 3 a | 100µA (ICBO) | PNP | 1.7v @ 300ma, 3a | 100 @ 500ma, 5V | 9MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | TTA006B, Q (s | - | | 1451 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | * | 튜브 | 활동적인 | TTA006 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0075 | 250 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TK16J60W, S1VQ | - | | 8499 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | dtmosiv | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | TK16J60 | MOSFET (금속 (() | TO-3P (N) | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 600 v | 15.8A (TA) | 10V | 190mohm @ 7.9a, 10V | 3.7V @ 790µA | 38 NC @ 10 v | ± 30V | 1350 pf @ 300 v | - | 130W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | rn1111ct (tpl3) | - | | 5359 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | RN1111 | 50 MW | CST3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 20 v | 50 MA | 100NA (ICBO) | npn-사전- | 150mv @ 250µa, 5mA | 300 @ 1ma, 5V | 10 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA1020-O, T6CSF (J. | - | | 8987 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | 2SA1020 | 900 MW | TO-92 모드 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 2 a | 1µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| CRG04A, LQ (m | - | | 4458 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 상자 | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123F | 기준 | S-FLAT (1.6x3.5) | 다운로드 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 600 v | 1.1 v @ 1 a | 5 µa @ 600 v | 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA1588-Y, LF | 0.2300 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | 2SA1588 | 100MW | SC-70 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 10ma, 100ma | 120 @ 100MA, 1V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||
| RN1904, LF (Ct | 0.3500 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN1904 | 200MW | US6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100ma | 500NA | 2 npn--바이어스 (듀얼) | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 250MHz | 47kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||||||||
 | SSM3J129TU (TE85L) | - | | 8685 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-MOSV | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 리드 | SSM3J129 | MOSFET (금속 (() | UFM | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 4.6A (TA) | 1.5V, 4.5V | 46MOHM @ 3A, 4.5V | 1V @ 1mA | 8.1 NC @ 4.5 v | ± 8V | 640 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
| RN4989 (T5L, F, T) | 0.3000 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN4989 | 200MW | US6 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100ma | 100µA (ICBO) | 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) | 300MV @ 250µA, 5MA | 70 @ 10ma, 5V | 250MHz, 200MHz | 47kohms | 22kohms | ||||||||||||||||||||||||
| RN2909, LXHF (Ct | 0.4400 | | 6 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN2909 | 200MW | US6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100ma | 500NA | 2 pnp--바이어스 (듀얼) | 300MV @ 250µA, 5MA | 70 @ 10ma, 5V | 200MHz | 47kohms | 22kohms | |||||||||||||||||||||||||
 | SSM3J371R, LF | 0.4700 | | 11 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-Mosvi | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C | 표면 표면 | SOT-23-3 3 리드 | SSM3J371 | MOSFET (금속 (() | SOT-23F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 4A (TA) | 1.5V, 4.5V | 55mohm @ 3a, 4.5v | 1V @ 1mA | 10.4 NC @ 4.5 v | +6V, -8V | 630 pf @ 10 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||
| RN1905, LXHF (Ct | 0.3600 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN1905 | 200MW | US6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100ma | 500NA | 2 npn--바이어스 (듀얼) | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 250MHz | 2.2kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||||||
| Tk10p50w, Rq | 1.7600 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | dtmosiv | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 500 v | 9.7A (TA) | 10V | 430mohm @ 4.9a, 10V | 3.7V @ 500µA | 20 nc @ 10 v | ± 30V | 700 pf @ 300 v | - | 80W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | 1SS370TE85LF | - | | 2146 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | 1SS370 | 기준 | SC-70 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 200 v | 1.2 v @ 100 ma | 60 ns | 1 µa @ 200 v | 125 ° C (°) | 100ma | 3pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
| HN2S03FUTE85LF | 0.4300 | | 560 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | HN2S03 | Schottky | US6 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 3 독립 | 20 v | 50ma | 550 mV @ 50 ma | 500 na @ 20 v | 125 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||
| TK10E80W, S1X | 3.6500 | | 50 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | dtmosiv | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 9.5A (TA) | 10V | 550mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 450µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 1150 pf @ 300 v | - | 130W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | TPCA8065-H, LQ (s | - | | 3579 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-mosvii-h | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | TPCA8065 | MOSFET (금속 (() | 8-SOP Advance (5x5) | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 16A (TA) | 4.5V, 10V | 11.4mohm @ 8a, 10V | 2.3V @ 200µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 1600 pf @ 10 v | - | 1.6W (TA), 25W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | RN2901, LF (Ct | 0.2700 | | 6 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN2901 | 200MW | US6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100ma | 500NA | 2 pnp--바이어스 (듀얼) | 300MV @ 250µA, 5MA | 30 @ 10ma, 5V | 200MHz | 4.7kohms | 4.7kohms | ||||||||||||||||||||||||
 | RN1113 (T5L, F, T) | 0.0305 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | RN1113 | 100MW | SSM | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | npn-사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 120 @ 1ma, 5V | 250MHz | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
 | TK62N60W, S1VF | 16.4000 | | 6481 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | dtmosiv | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | Tk62n60 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 61.8A (TA) | 10V | 40mohm @ 30.9a, 10V | 3.7v @ 3.1ma | 180 NC @ 10 v | ± 30V | 6500 pf @ 300 v | - | 400W (TC) | |||||||||||||||||||||
| SSM3K335R, LF | 0.4700 | | 95 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-mosvii-h | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-3 3 리드 | SSM3K335 | MOSFET (금속 (() | SOT-23F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 6A (TA) | 4.5V, 10V | 38mohm @ 4a, 10V | 2.5V @ 100µa | 2.7 NC @ 4.5 v | ± 20V | 340 pf @ 15 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||
| RN4987, LF (Ct | 0.3500 | | 4365 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN4987 | 200MW | US6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100ma | 500NA | 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 250MHz, 200MHz | 10kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||||||||
| TPCA8103 (TE12L, Q, m | - | | 6622 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | TPCA8103 | MOSFET (금속 (() | 8-SOP Advance (5x5) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 40A (TA) | 4V, 10V | 4.2MOHM @ 20A, 10V | 2V @ 1mA | 184 NC @ 10 v | ± 20V | 7880 pf @ 10 v | - | 1.6W (TA), 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| Hn1a01fe-y, lxhf | 0.4500 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | HN1A01 | 100MW | ES6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 150ma | 100NA (ICBO) | 2 PNP (() | 300mv @ 10ma, 100ma | 120 @ 2MA, 6V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| TPH5900CNH, L1Q | 1.0100 | | 3577 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-Mosviii-H | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | TPH5900 | MOSFET (금속 (() | 8-SOP Advance (5x5) | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 150 v | 9A (TA) | 10V | 59mohm @ 4.5a, 10V | 4V @ 200µA | 7 nc @ 10 v | ± 20V | 600 pf @ 75 v | - | 1.6W (TA), 42W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)