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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 조건 Q @ vr, f
RN2906,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2906, LF 0.2800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2906 200MW US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7kohms 47kohms
CRG04(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG04 (TE85L, Q, M) -
RFQ
ECAD 3321 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOD-123F CRG04 기준 S-FLAT (1.6x3.5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 600 v 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 600 v -40 ° C ~ 150 ° C 1A -
TK4A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk4a50d (sta4, q, m) 0.9300
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK4A50 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 4A (TA) 10V 2ohm @ 2a, 10V 4.4V @ 1mA 9 NC @ 10 v ± 30V 380 pf @ 25 v - 30W (TC)
1SS392,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS392, LF 0.3600
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS392 Schottky SC-59 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 40 v 100ma 600 mv @ 100 ma 5 µa @ 40 v 125 ° C (°)
2SA1020-Y(T6ND3,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6nd3, Af -
RFQ
ECAD 3760 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1020 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
TW070J120B,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TW070J120B, S1Q 32.4200
RFQ
ECAD 104 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 TW070J120 sicfet ((카바이드) TO-3P (N) 다운로드 1 (무제한) 264-TW070J120BS1Q 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 1200 v 36A (TC) 20V 90mohm @ 18a, 20V 5.8V @ 20MA 67 NC @ 20 v ± 25V, -10V 1680 pf @ 800 v 기준 272W (TC)
2SA1832-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-GR, LF 0.2000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 2SA1832 100MW SSM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 200 @ 2ma, 6v 80MHz
TPCL4201(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCL4201 (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 1167 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFLGA TPCL4201 MOSFET (금속 (() 500MW 4 5 LGA (1.59x1.59) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 2 n 채널 (채널 교량) - - - 1.2V @ 200µA - 720pf @ 10V -
1SV325,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV325, H3F 0.3800
RFQ
ECAD 7628 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 1SV325 ESC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 4,000 12pf @ 4V, 1MHz 하나의 10 v 4.3 C1/C4 -
SSM6P36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P36TU, LF 0.3800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 SSM6P36 MOSFET (금속 (() 500MW (TA) UF6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 330ma (TA) 1.31ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 1mA 1.2NC @ 4V 43pf @ 10V 논리 논리 게이트, 1.5V 드라이브
RN1602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1602 (TE85L, F) 0.3800
RFQ
ECAD 75 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 RN1602 300MW sm6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
HN2C01FU-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN2C01FU-Y (TE85L, f 0.4700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN2C01 200MW US6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 250mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 80MHz
2SA1869-Y,MTSAQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1869-Y, MTSAQ (J. -
RFQ
ECAD 6264 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SA1869 10 W. TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 50 v 3 a 1µA (ICBO) PNP 600mv @ 200ma, 2a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
TTA1713-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTA1713-Y, LF 0.3100
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TTA1713 200 MW S- 미니 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 50ma, 500ma 120 @ 100MA, 1V 80MHz
RN1115MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1115MFV, L3F 0.0261
RFQ
ECAD 9911 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-723 RN1115 150 MW VESM 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
2SK2962(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962 (TE6, F, M) -
RFQ
ECAD 1303 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SK2962 TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 1A (TJ)
2SC2655-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-y, F (J. -
RFQ
ECAD 7966 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2655 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
SSM6P16FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm6p16fe (te85l, f) -
RFQ
ECAD 1655 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 컷 컷 (CT) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SSM6P16 MOSFET (금속 (() ES6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 p 채널 20 v 100MA (TA) 8ohm @ 10ma, 4v - 11 pf @ 3 v - 150MW (TA)
RN1965(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1965 (TE85L, F) 0.0865
RFQ
ECAD 3211 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1965 200MW US6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
TK65A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK65A10N1, S4X 2.7900
RFQ
ECAD 41 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK65A10 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 65A (TC) 10V 4.8mohm @ 32.5a, 10V 4V @ 1MA 81 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 50 v - 45W (TC)
RN2119MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2119MFV, L3F 0.1800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN2119 150 MW VESM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 1 KOHMS
TPCP8701(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8701 (TE85L, F, M. -
RFQ
ECAD 5797 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 TPCP8701 1.77W PS-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) TPCP8701 (TE85LFM 귀 99 8541.29.0095 3,000 80V 3A 100NA (ICBO) 2 NPN (() 140mv @ 20ma, 1a 400 @ 300ma, 2V -
SSM3J56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56MFV, L3F 0.4500
RFQ
ECAD 490 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 SSM3J56 MOSFET (금속 (() VESM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 p 채널 20 v 800MA (TA) 1.2V, 4.5V 390mohm @ 800ma, 4.5v - ± 8V 100 pf @ 10 v - 150MW (TA)
TK31N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60W5, S1VF 7.0800
RFQ
ECAD 3930 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 TK31N60 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 30.8A (TA) 10V 99mohm @ 15.4a, 10V 4.5V @ 1.5MA 105 NC @ 10 v ± 30V 3000 pf @ 300 v - 230W (TC)
2SA1837,HFEYHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, HFEYHF (m -
RFQ
ECAD 6958 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SA1837 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µA (ICBO) PNP 1.5V @ 50MA, 500MA 100 @ 100ma, 5V 70MHz
RN1118MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1118MFV, L3F 0.1800
RFQ
ECAD 6563 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN1118 150 MW VESM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 47 Kohms 10 KOHMS
TPN7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN7R006PL, L1Q 0.9100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powervdfn TPN7R006 MOSFET (금속 (() 8 1 3. (3.1x3.1) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 54A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 27a, 10V 2.5V @ 200µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1875 pf @ 30 v - 630MW (TA), 75W (TC)
TK1K7A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K7A60F, S4X 0.9000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK1K7A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 4A (TA) 10V 1.7ohm @ 2a, 10V 4V @ 460µA 16 nc @ 10 v ± 30V 560 pf @ 300 v - 35W (TC)
TK20E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20E60W, S1VX 5.3700
RFQ
ECAD 1878 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 tk20e60 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 20A (TA) 10V 155mohm @ 10a, 10V 3.7v @ 1ma 48 NC @ 10 v ± 30V 1680 pf @ 300 v - 165W (TC)
TPC8405(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8405 (TE12L, Q, M) -
RFQ
ECAD 3778 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TPC8405 MOSFET (금속 (() 450MW 8-SOP (5.5x6.0) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 6A, 4.5A 26mohm @ 3a, 10V 2V @ 1mA 27NC @ 10V 1240pf @ 10V 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고