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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 속도 FET 종류 현재 - 최대 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 Td(켜기/끄기) @ 25°C 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 저항 @ If, F 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
2SA1020-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y(T6CANOFM -
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 ECAD 6361 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1020 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) 2SA1020YT6CANOFM EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TK12A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60W,S4VX 3.9800
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK12A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 11.5A(타) 10V 300m옴 @ 5.8A, 10V 600μA에서 3.7V 25nC @ 10V ±30V 300V에서 890pF - 35W(Tc)
RN1416,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1416,LXHF 0.3400
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1416 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 10kΩ
RN1902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902FE,LF(CT 0.3400
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 ECAD 22 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1902 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz 10k옴 1k옴
TPC8110(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8110(TE12L,Q,M) -
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 ECAD 6368 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) TPC8110 MOSFET(금속) 8-SOP(5.5x6.0) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 40V 8A(타) 4V, 10V 25m옴 @ 4A, 10V 2V @ 1mA 48nC @ 10V ±20V 10V에서 2180pF - 1W(타)
RN4908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4908(T5L,F,T) -
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 ECAD 6703 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4908 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22kΩ 47k옴
2SC3669-Y,T2PASF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3669-Y,T2PASF(M -
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 ECAD 5810 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-71 2SC3669 1W MSTM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 80V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN4983,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983,LXHF(CT 0.4400
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4983 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 22kΩ 22kΩ
TK12A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50W,S5X 2.1100
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 500V 11.5A(타) 10V 300m옴 @ 5.8A, 10V 600μA에서 3.7V 25nC @ 10V ±30V 300V에서 890pF - 35W(Tc)
1SS307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS307(TE85L,F) 0.3700
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 ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS307 기준 S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 30V 1.3V @ 100mA 30V에서 10nA 125°C(최대) 100mA 6pF @ 0V, 1MHz
2SD2406-Y(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2406-Y(F) -
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 ECAD 9090 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SD2406 25W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 80V 4A 30μA(ICBO) NPN 1.5V @ 300mA, 3A 120 @ 500mA, 5V 8MHz
RN2713JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2713JE(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-553 RN2713 100mW ESV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 47k옴 -
TK39N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK39N60X,S1F 7.2100
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 ECAD 2761 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 TK39N60 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 38.8A(타) 10V 65m옴 @ 12.5A, 10V 3.5V @ 1.9mA 85nC @ 10V ±30V 300V에서 4100pF - 270W(Tc)
RN2311(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2311(TE85L,F) 0.2700
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2311 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 10kΩ
RN2409,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2409,LF 0.1900
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 ECAD 9037 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2409 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 47kΩ 22kΩ
CMH08(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH08(TE12L,Q,M) -
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 ECAD 9412 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOD-128 CMH08 기준 M플랫(2.4x3.8) 다운로드 RoHS 준수 CMH08(TE12LQM) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 400V 1.3V @ 2A 100ns 400V에서 10μA -40°C ~ 150°C 2A -
SSM6K202FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K202FE,LF 0.4600
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 ECAD 15 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6K202 MOSFET(금속) ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 N채널 30V 2.3A(타) 1.8V, 4V 85m옴 @ 1.5A, 4V 1V @ 1mA ±12V 10V에서 270pF - 500mW(타)
1SV307(TPH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SV307(TPH3,F) 0.4300
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) SC-76, SOD-323 1SV307 USC 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 50mA 0.5pF @ 1V, 1MHz 핀 - 인디 30V 1.5옴 @ 10mA, 100MHz
RN4989(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4989(TE85L,F) 0.3400
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4989 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 47k옴 22kΩ
1SS362FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS362FV,L3F 0.2000
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 ECAD 140 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 1SS362 기준 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 8,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍 직렬 연결 80V 100mA 1.2V @ 100mA 4ns 500nA @ 80V 150°C(최대)
RN2309,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2309,LF 0.1800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2309 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 47kΩ 22kΩ
1SV308(TH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SV308(TH3,F) -
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 ECAD 8277 0.00000000 도시바 및 저장 - 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) SC-79, SOD-523 1SV308 ESC 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 4,000 50mA 0.5pF @ 1V, 1MHz 핀 - 인디 30V 1.5옴 @ 10mA, 100MHz
CMG03(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMG03(TE12L,Q,M) -
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 ECAD 2511 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOD-128 CMG03 기준 M플랫(2.4x3.8) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) CMG03(TE12LQM) EAR99 8541.10.0080 3,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 600V 1.1V @ 2A 600V에서 10μA -40°C ~ 150°C 2A -
TK9A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK9A65W,S5X 2.2200
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 ECAD 1169 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK9A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 9.3A(타) 10V 500m옴 @ 4.6A, 10V 3.5V @ 350μA 20nC @ 10V ±30V 300V에서 700pF - 30W(Tc)
GT40RR21(STA1,E Toshiba Semiconductor and Storage GT40RR21(STA1,E 3.6500
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 ECAD 1369 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 GT40RR21 기준 230W TO-3P(엔) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 25 280V, 40A, 10옴, 20V 600ns - 1200V 40A 200A 2.8V @ 15V, 40A -, 540μJ(꺼짐) -
RN2404TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2404TE85LF -
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 ECAD 6084 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2404 200mW S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47kΩ 47kΩ
2SC2655-Y,T6APNF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y,T6APNF(M -
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 ECAD 3058 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2655 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN1101MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV,L3F 0.0261
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 ECAD 9895 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SOT-723 RN1101 150mW 베스엠 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 4.7kΩ 4.7kΩ
2SC2655-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y(TE6,F,M) -
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 ECAD 1528 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2655 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN4907,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4907,LF 0.2800
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 ECAD 3821 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4907 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10k옴 47k옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

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  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

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