SIC
close

불연속 불연속 제품 (2909)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
TK33S10N1Z,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z, LXHQ 1.4200
RFQ
 ECAD 8142 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK33S10 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 33A (TA) 10V 9.7mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 500µA 28 nc @ 10 v ± 20V 2050 pf @ 10 v - 125W (TC)
TK33S10N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1L, LQ 1.9000
RFQ
 ECAD 7785 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK33S10 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 264-TK33S10N1LLQCT 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 33A (TA) 4.5V, 10V 9.7mohm @ 16.5a, 10V 2.5V @ 500µA 33 NC @ 10 v ± 20V 2250 pf @ 10 v - 125W (TC)
TPCP8107,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8107, LF 0.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-smd,, 리드 TPCP8107 MOSFET (금속 (() PS-8 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 8A (TA) 6V, 10V 18mohm @ 4a, 10V 3V @ 1mA 44.6 NC @ 10 v +10V, -20V 2160 pf @ 10 v - 1W (TA)
SSM3J145TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J145TU, LXHF 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 3-smd,, 리드 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 3A (TA) 1.5V, 4.5V 103mohm @ 1a, 4.5v 1V @ 1mA 4.6 NC @ 4.5 v +6V, -8V 270 pf @ 10 v - 500MW (TA)
SSM3K62TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K62TU, LXHF 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVII-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 3-smd,, 리드 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 800MA (TA) 1.2V, 4.5V 57mohm @ 800ma, 4.5v 1V @ 1mA 2 nc @ 4.5 v ± 8V 177 pf @ 10 v - 500MW (TA)
2SA2060(TE12L,ZF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2060 (TE12L, ZF) -
RFQ
 ECAD 9451 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 상자 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. PW- 미니 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 50 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 200mv @ 33ma, 1a 200 @ 300ma, 2v -
CMG03A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CMG03A, LQ (m -
RFQ
 ECAD 7420 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 상자 활동적인 표면 표면 SOD-128 기준 M-FLAT (2.4x3.8) 다운로드 귀 99 8541.10.0080 1 짐 600 v 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 600 v 150 ° C 2A -
HN1B04FE-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-Y, LXHF 0.4500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 HN1B04 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 150ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 250mv @ 10ma, 100ma / 300mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 80MHz
RN1402,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1402, LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1402 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
RN2106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106, LXHF (Ct 0.3300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN2106 100MW SSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
HN1B04FU-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU-GR, LXHF 0.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1B04 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 250mv @ 10ma, 100ma / 300mv @ 10ma, 100ma 200 @ 2ma, 6v 150MHz, 120MHz
RN2105MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2105MFV, L3XHF (CT 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN2105 150 MW VESM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
SSM5N16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N16FU, LF 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 SSM5N16 MOSFET (금속 (() 200MW (TA) USV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 100MA (TA) 3ohm @ 10ma, 4v 1.1V @ 100µa - 9.3pf @ 3v -
TK2R9E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage tk2r9e10pl, s1x 2.9000
RFQ
 ECAD 9020 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 튜브 활동적인 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 100A (TA) 4.5V, 10V 2.9mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 1mA 161 NC @ 10 v ± 20V 9500 pf @ 50 v - 306W (TC)
TK5A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK5A90E, S4X 1.4600
RFQ
 ECAD 9249 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 4.5A (TA) 10V 3.1ohm @ 2.3a, 10V 4V @ 450µA 20 nc @ 10 v ± 30V 950 pf @ 25 v - 40W (TC)
TPH5R60APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH5R60APL, L1Q 1.3600
RFQ
 ECAD 3472 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 60A (TC) 4.5V, 10V 5.6MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 500µA 52 NC @ 10 v ± 20V 4300 pf @ 50 v - 960MW (TA), 132W (TC)
SSM3J118TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J118TU, LF 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 3-smd,, 리드 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 1.4A (TA) 4V, 10V 240mohm @ 650ma, 10V 2.6v @ 1ma ± 20V 137 pf @ 15 v - 500MW (TA)
SSM6N813R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N813R, LF 0.5500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 SSM6N813 MOSFET (금속 (() 1.5W (TA) 6TSOP-F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 100V 3.5A (TA) 112mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 100µa 3.6NC @ 4.5V 242pf @ 15V -
TK13P25D,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Tk13p25d, Rq 0.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 250 v 13A (TA) 10V 250mohm @ 6.5a, 10V 3.5V @ 1mA 25 nc @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 100 v - 96W (TC)
GT40QR21(STA1,E,D Toshiba Semiconductor and Storage GT40QR21 (STA1, E, d 3.6200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 GT40QR21 기준 230 w TO-3P (N) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 264-GT40QR21 (sta1ed 귀 99 8541.29.0095 25 280V, 40A, 10ohm, 20V 600 ns - 1200 v 40 a 80 a 2.7V @ 15V, 40A -, 290µJ (OFF) -
TPW1500CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW1500CNH, L1Q 2.6600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-DSOP 발전 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 150 v 38A (TC) 10V 15.4mohm @ 19a, 10V 4V @ 1MA 22 nc @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 75 v - 800MW (TA), 142W (TC)
TW015N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015N65C, S1F 55.4500
RFQ
 ECAD 114 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 100A (TC) 18V 21mohm @ 50a, 18V 5V @ 11.7ma 128 nc @ 18 v +25V, -10V 4850 pf @ 400 v - 342W (TC)
TJ20A10M3(STA4,Q Toshiba Semiconductor and Storage TJ20A10M3 (STA4, Q. -
RFQ
 ECAD 6373 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TJ20A10 MOSFET (금속 (() TO-220SIS - 264-TJ20A10M3 (STA4Q 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 20A (TA) 10V 90mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 120 nc @ 10 v ± 20V 5500 pf @ 10 v - 35W (TC)
GT30J65MRB,S1E Toshiba Semiconductor and Storage GT30J65MRB, S1E 2.5800
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 GT30J65 기준 200 w TO-3P (N) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 400V, 15A, 56OHM, 15V 200 ns - 650 v 60 a 1.8V @ 15V, 30A 1.4mj (on), 220µJ (OFF) 70 NC 75NS/400NS
TK3P50D,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage Tk3p50d, RQ (s 1.1700
RFQ
 ECAD 6966 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK3P50 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 500 v 3A (TA) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4.4V @ 1mA 7 nc @ 10 v ± 30V 280 pf @ 25 v - 60W (TC)
TK8S06K3L(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TK8S06K3L (T6L1, NQ) 1.2600
RFQ
 ECAD 4739 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u- 모시브 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK8S06 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 8A (TA) 6V, 10V 54mohm @ 4a, 10V 3V @ 1mA 10 nc @ 10 v ± 20V 400 pf @ 10 v - 25W (TC)
TPC8132,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8132, LQ (s 0.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TPC8132 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 7A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 3.5a, 10V 2V @ 200µA 34 NC @ 10 v +20V, -25V 1580 pf @ 10 v - 1W (TA)
SSM3J378R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J378R, LXHF 0.5000
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 MOSFET (금속 (() SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6A (TA) 1.5V, 4.5V 29.8mohm @ 3a, 4.5v 1V @ 1mA 12.8 nc @ 4.5 v +6V, -8V 840 pf @ 10 v - 1W (TA)
SSM6N37CTD(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage ssm6n37ctd (tpl3) -
RFQ
 ECAD 2918 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 SSM6N37 MOSFET (금속 (() 140MW CST6D 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 20V 250ma 2.2ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 1mA - 12pf @ 10V 논리 논리 게이트
TW060Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW060Z120C, S1F 17.8200
RFQ
 ECAD 7048 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-247-4 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) TO-247-4L (X) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 36A (TC) 18V 82mohm @ 18a, 18V 5V @ 4.2MA 46 NC @ 18 v +25V, -10V 1530 pf @ 800 v - 170W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다