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불연속 불연속 제품 (2909)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
RN1316,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1316, LF 0.2100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN1316 100MW SC-70 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
CUS10S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10S30, H3F 0.3500
RFQ
 ECAD 195 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 CUS10S30 Schottky USC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 230 mv @ 100 ma 500 µa @ 30 v 125 ° C (°) 1A 135pf @ 0V, 1MHz
RN1113,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1113, LF (Ct 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN1113 100MW SSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 47 Kohms
TK15S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK15S04N1L, LQ 1.6400
RFQ
 ECAD 4104 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK15S04 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 15A (TA) 4.5V, 10V 17.8mohm @ 7.5a, 10V 2.5V @ 100µa 10 nc @ 10 v ± 20V 610 pf @ 10 v - 46W (TC)
CUS05S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS05S30, H3F 0.3100
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 CUS05S30 Schottky USC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 340 mV @ 100 ma 150 µa @ 10 v 125 ° C (°) 500ma 55pf @ 0V, 1MHz
TK1K9A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K9A60F, S4X 0.9000
RFQ
 ECAD 4438 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK1K9A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 3.7A (TA) 10V 1.9A, 1.9A, 10V 4v @ 400µa 14 nc @ 10 v ± 30V 490 pf @ 300 v - 30W (TC)
RN2901(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2901 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 3843 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2901 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 30 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
CLS01(T6LSONY,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS01 (T6lsony, Q) -
RFQ
 ECAD 6695 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 L-FLAT ™ CLS01 Schottky L-FLAT ™ (4x5.5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 470 mV @ 10 a 1 ma @ 30 v -40 ° C ~ 125 ° C 10A 530pf @ 10V, 1MHz
CLS03(TE16L,SQC,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 (TE16L, SQC, Q) -
RFQ
 ECAD 9458 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 L-FLAT ™ CLS03 Schottky L-FLAT ™ (4x5.5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 580 mV @ 10 a 1 ma @ 60 v -40 ° C ~ 125 ° C 10A 345pf @ 10V, 1MHz
RN2510(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2510 (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RN2510 300MW SMV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (이중 이중) (이미 터 커플 링) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 4.7kohms -
CRS15I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS15I30B (TE85L, QM 0.1292
RFQ
 ECAD 7231 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F CRS15I30 Schottky S-FLAT (1.6x3.5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 400 mV @ 1.5 a 100 µa @ 30 v 150 ° C (°) 1.5A 82pf @ 10V, 1MHz
CLS02(T6L,CANO-O,Q Toshiba Semiconductor and Storage CLS02 (T6L, Cano-O, q -
RFQ
 ECAD 4848 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 L-FLAT ™ CLS02 Schottky L-FLAT ™ (4x5.5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 10 a 1 ma @ 40 v -40 ° C ~ 125 ° C 10A 420pf @ 10V, 1MHz
TK39N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK39N60W5, S1VF 8.1100
RFQ
 ECAD 874 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 TK39N60 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 38.8A (TA) 10V 74mohm @ 19.4a, 10V 4.5V @ 1.9ma 135 NC @ 10 v ± 30V 4100 pf @ 300 v - 270W (TC)
CMS03(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS03 (TE12L, Q, M) 0.6600
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 CMS03 Schottky M-FLAT (2.4x3.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 450 mV @ 3 a 500 µa @ 30 v -40 ° C ~ 150 ° C 3A -
SSM4K27CTTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage SSM4K27CTTPL3 -
RFQ
 ECAD 8402 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 SSM4K27 MOSFET (금속 (() CST4 (1.2x0.8) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 500MA (TA) 1.8V, 4V 205mohm @ 250ma, 4v 1.1v @ 1ma ± 12V 174 pf @ 10 v - 400MW (TA)
SSM6N37CTD(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage ssm6n37ctd (tpl3) -
RFQ
 ECAD 2918 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 SSM6N37 MOSFET (금속 (() 140MW CST6D 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 20V 250ma 2.2ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 1mA - 12pf @ 10V 논리 논리 게이트
RN2105MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2105MFV, L3F (Ct 0.1800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN2105 150 MW VESM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
TW015N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015N65C, S1F 55.4500
RFQ
 ECAD 114 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 100A (TC) 18V 21mohm @ 50a, 18V 5V @ 11.7ma 128 nc @ 18 v +25V, -10V 4850 pf @ 400 v - 342W (TC)
TK2R9E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage tk2r9e10pl, s1x 2.9000
RFQ
 ECAD 9020 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 튜브 활동적인 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 100A (TA) 4.5V, 10V 2.9mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 1mA 161 NC @ 10 v ± 20V 9500 pf @ 50 v - 306W (TC)
TK5A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK5A90E, S4X 1.4600
RFQ
 ECAD 9249 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 4.5A (TA) 10V 3.1ohm @ 2.3a, 10V 4V @ 450µA 20 nc @ 10 v ± 30V 950 pf @ 25 v - 40W (TC)
TPW3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW3R70APL, L1Q 2.9000
RFQ
 ECAD 5726 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-DSOP 발전 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 90A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 45a, 10V 2.5V @ 1mA 67 NC @ 10 v ± 20V 6300 pf @ 50 v - 960MW (TA), 170W (TC)
TPH5R60APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH5R60APL, L1Q 1.3600
RFQ
 ECAD 3472 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 60A (TC) 4.5V, 10V 5.6MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 500µA 52 NC @ 10 v ± 20V 4300 pf @ 50 v - 960MW (TA), 132W (TC)
SSM3J118TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J118TU, LF 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 3-smd,, 리드 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 1.4A (TA) 4V, 10V 240mohm @ 650ma, 10V 2.6v @ 1ma ± 20V 137 pf @ 15 v - 500MW (TA)
SSM6N813R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N813R, LF 0.5500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 SSM6N813 MOSFET (금속 (() 1.5W (TA) 6TSOP-F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 100V 3.5A (TA) 112mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 100µa 3.6NC @ 4.5V 242pf @ 15V -
TK13P25D,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Tk13p25d, Rq 0.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 250 v 13A (TA) 10V 250mohm @ 6.5a, 10V 3.5V @ 1mA 25 nc @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 100 v - 96W (TC)
TDTA123J,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA123J, LM 0.1800
RFQ
 ECAD 7429 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTA123 320 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms
GT40QR21(STA1,E,D Toshiba Semiconductor and Storage GT40QR21 (STA1, E, d 3.6200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 GT40QR21 기준 230 w TO-3P (N) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 264-GT40QR21 (sta1ed 귀 99 8541.29.0095 25 280V, 40A, 10ohm, 20V 600 ns - 1200 v 40 a 80 a 2.7V @ 15V, 40A -, 290µJ (OFF) -
TPW1500CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW1500CNH, L1Q 2.6600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-DSOP 발전 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 150 v 38A (TC) 10V 15.4mohm @ 19a, 10V 4V @ 1MA 22 nc @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 75 v - 800MW (TA), 142W (TC)
SSM5N16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N16FU, LF 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 SSM5N16 MOSFET (금속 (() 200MW (TA) USV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 100MA (TA) 3ohm @ 10ma, 4v 1.1V @ 100µa - 9.3pf @ 3v -
SSM3J378R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J378R, LXHF 0.5000
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 MOSFET (금속 (() SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6A (TA) 1.5V, 4.5V 29.8mohm @ 3a, 4.5v 1V @ 1mA 12.8 nc @ 4.5 v +6V, -8V 840 pf @ 10 v - 1W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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