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불연속 불연속 제품 (2909)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
RN1114(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1114 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 5709 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN1114 100MW SSM 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
SSM3J36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J36TU, LF 0.3800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 3-smd,, 리드 SSM3J36 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 330ma (TA) 1.5V, 4.5V 1.31ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 1mA 1.2 NC @ 4 v ± 8V 43 pf @ 10 v - 800MW (TA)
TK60D08J1(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK60D08J1 (Q) -
RFQ
 ECAD 6420 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TK60D08 MOSFET (금속 (() TO-220 (W) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 60A (TA) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 30a, 10V 2.3v @ 1ma 86 NC @ 10 v ± 20V 5450 pf @ 10 v - 140W (TC)
2SJ168TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ168TE85LF 0.9000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SJ168 MOSFET (금속 (() SC-59 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 200MA (TA) 10V 2ohm @ 50ma, 10V - ± 20V 85 pf @ 10 v - 200MW (TA)
RN2411,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2411, LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2411 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 10 KOHMS
2SD2257,KEHINQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257, Kehinq (j -
RFQ
 ECAD 4854 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SD2257 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 3 a 10µA (ICBO) NPN 1.5V @ 1.5MA, 1.5A 2000 @ 2a, 2v -
TK46E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK46E08N1, S1X 1.2400
RFQ
 ECAD 6212 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TK46E08 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 80A (TC) 10V 8.4mohm @ 23a, 10V 4V @ 500µA 37 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 40 v - 103W (TC)
RN1104MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV, L3F (Ct 0.1800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN1104 150 MW VESM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 47 Kohms 47 Kohms
CMS11(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage CMS11 (TE12L) -
RFQ
 ECAD 4213 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 컷 컷 (CT) 쓸모 쓸모 표면 표면 SOD-128 CMS11 Schottky M-FLAT (2.4x3.8) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 2 a 500 µa @ 40 v -40 ° C ~ 150 ° C 2A -
RN1110,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1110, LF (Ct 0.2000
RFQ
 ECAD 1031 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN1110 100MW SSM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
SSM3J64CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J64CTC, L3F 0.3900
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSVII 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SC-101, SOT-883 SSM3J64 MOSFET (금속 (() CST3C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 12 v 1A (TA) 1.2V, 4.5V 370mohm @ 600ma, 4.5v 1V @ 1mA ± 10V 50 pf @ 10 v - 500MW (TA)
2SA1429-Y(T2TR,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1429-Y (T2TR, F, M. -
RFQ
 ECAD 8569 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-71 2SA1429 1 W. MSTM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 80 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 80MHz
TJ10S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ10S04M3L (T6L1, NQ 1.3300
RFQ
 ECAD 8845 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TJ10S04 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 10A (TA) 6V, 10V 44mohm @ 5a, 10V 3V @ 1mA 19 NC @ 10 v +10V, -20V 930 pf @ 10 v - 27W (TC)
RN1442ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1442ATE85LF -
RFQ
 ECAD 4776 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1442 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 20 v 300 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 100mv @ 3ma, 30ma 200 @ 4ma, 2v 30MHz 10 KOHMS
TK5A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk5a50d (sta4, q, m) 1.2500
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK5A50 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 5A (TA) 10V 1.5ohm @ 2.5a, 10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 v ± 30V 490 pf @ 25 v - 35W (TC)
TK50E06K3A,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK50E06K3A, S1X (s -
RFQ
 ECAD 5024 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u- 모시브 튜브 쓸모 쓸모 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 Tk50e06 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 50A (TC) 8.5mohm @ 25a, 10V - 54 NC @ 10 v - -
2SC2712-OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-OTE85LF 0.2000
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2712 150 MW TO-236 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 70 @ 2MA, 6V 80MHz
CRY62(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Cry62 (Te85L, Q, M) 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 9.68% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F Cry62 700 MW S-FLAT (1.6x3.5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 v @ 200 ma 10 µa @ 3 v 6.2 v 60 옴
SSM3K2615TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K2615TU, LF 0.5200
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosv 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 3-smd,, 리드 SSM3K2615 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 2A (TA) 3.3V, 10V 300mohm @ 1a, 10V 2V @ 1mA 6 nc @ 10 v ± 20V 150 pf @ 10 v - 800MW (TA)
RN1707,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1707, LF 0.3000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1707 200MW USV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 10kohms 47kohms
RN4903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4903, LXHF (Ct 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4903 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 200MHz, 250MHz 22kohms 22kohms
RN2306,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2306, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN2306 100MW SC-70 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
CRS06(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS06 (TE85L, Q, M) 0.4700
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F CRS06 Schottky S-FLAT (1.6x3.5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 360 MV @ 1 a 1 ma @ 20 v -40 ° C ~ 125 ° C 1A 60pf @ 10V, 1MHz
XPH4R714MC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH4R714MC, L1XHQ 1.7700
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비) XPH4R714 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 40 v 60A (TA) 4.5V, 10V 4.7mohm @ 30a, 10V 2.1v @ 1ma 160 nc @ 10 v +10V, -20V 5640 pf @ 10 v - 960MW (TA), 132W (TC)
GT10J312(Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT10J312 (Q) -
RFQ
 ECAD 7639 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 GT10J312 기준 60 W. TO-220SM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 300V, 10A, 100ohm, 15V 200 ns - 600 v 10 a 20 a 2.7V @ 15V, 10A - 400NS/400NS
RN2112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2112ACT (TPL3) 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN2112 100MW CST3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 150mv @ 250µa, 5mA 120 @ 1ma, 5V 22 KOHMS
RN2711,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2711, LF 0.3000
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2711 200MW USV 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (이중 이중) (이미 터 커플 링) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 10kohms -
SSM3J377R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J377R, LXHF 0.4700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 MOSFET (금속 (() SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.9A (TA) 1.5V, 4.5V 93mohm @ 1.5a, 4.5v 1V @ 1mA 4.6 NC @ 4.5 v +6V, -8V 290 pf @ 10 v - 1W (TA)
RN4988,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4988, LXHF (Ct 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4988 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz, 200MHz 22kohms 47kohms
SSM6L820R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L820R, LF 0.5300
RFQ
 ECAD 2581 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 SSM6L820 MOSFET (금속 (() 1.4W (TA) 6TSOP-F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 30V, 20V 4A (TA) 39.1mohm @ 2a, 4.5v, 45mohm @ 3.5a, 10v 1v @ 1ma, 1.2v @ 1ma 3.2nc @ 4.5v, 6.7nc @ 4.5v 310pf @ 15v, 480pf @ 10v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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