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불연속 불연속 제품 (2909)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
2SA949-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 6398 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA949 800MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 150 v 50 MA 100NA (ICBO) PNP 800mv @ 1ma, 10a 70 @ 10ma, 5V 120MHz
2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880-Y (TE85L, F) 0.5600
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SK880 100MW USM 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 13pf @ 10V 50 v 1.2 ma @ 10 v 1.5 V @ 100 NA
RN1704JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1704JE (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 116 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-553 RN1704 100MW ESV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (이중 이중) (이미 터 커플 링) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 47kohms 47kohms
TK25A60X5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK25A60X5, S5X 4.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv-h 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK25A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 25A (TA) 10V 140mohm @ 7.5a, 10V 4.5V @ 1.2MA 60 nc @ 10 v ± 30V 2400 pf @ 300 v - 45W (TC)
2SA1832-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-GR, LF 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 2SA1832 100MW SSM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 200 @ 2ma, 6v 80MHz
TPC8407,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8407, LQ (s -
RFQ
 ECAD 5590 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TPC8407 MOSFET (금속 (() 450MW 8-SOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 9a, 7.4a 17mohm @ 4.5a, 10V 2.3v @ 100µa 17nc @ 10V 1190pf @ 10V 논리 논리 게이트
TK12E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK12E60W, S1VX 3.4000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TK12E60 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 11.5A (TA) 10V 300mohm @ 5.8a, 10V 3.7V @ 600µA 25 nc @ 10 v ± 30V 890 pf @ 300 v - 110W (TC)
TPH1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage tph1110enh, l1q 0.6941
RFQ
 ECAD 3205 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPH1110 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 200 v 7.2A (TA) 10V 114mohm @ 3.6a, 10V 4V @ 200µA 7 nc @ 10 v ± 20V 600 pf @ 100 v - 1.6W (TA), 42W (TC)
CRS10I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I30B (TE85L, QM 0.4100
RFQ
 ECAD 9920 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F Schottky S-FLAT (1.6x3.5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 420 MV @ 1 a 60 µa @ 30 v 150 ° C 1A 50pf @ 10V, 1MHz
TJ80S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ80S04M3L, LXHQ 1.6500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TJ80S04 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 80A (TA) 6V, 10V 5.2MOHM @ 40A, 10V 3V @ 1mA 158 NC @ 10 v +10V, -20V 7770 pf @ 10 v - 100W (TC)
TK8A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk8a50d (sta4, q, m) 1.6800
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 tk8a50 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 8A (TA) 10V 850mohm @ 4a, 10V 4V @ 1MA 16 nc @ 10 v ± 30V 800 pf @ 25 v - 40W (TC)
TK58A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK58A06N1, S4X 1.3300
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK58A06 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 58A (TC) 10V 5.4mohm @ 29a, 10V 4V @ 500µA 46 NC @ 10 v ± 20V 3400 pf @ 30 v - 35W (TC)
TK16A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK16A55D (STA4, Q, M) -
RFQ
 ECAD 3760 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK16A55 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 550 v 16A (TA) 330mohm @ 8a, 10V 4V @ 1MA 45 NC @ 10 v 2600 pf @ 25 v - -
RN1605TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1605TE85LF 0.3500
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 RN1605 300MW sm6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
TK40A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK40A06N1, S4X 1.2300
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK40A06 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 40A (TC) 10V 10.4mohm @ 20a, 10V 4V @ 300µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 30 v - 30W (TC)
RN1113MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1113MFV, L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 7550 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN1113 150 MW VESM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 47 Kohms
RN1710JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1710JE (TE85L, F) 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-553 RN1710 100MW ESV 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (이중 이중) (이미 터 커플 링) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7kohms -
2SA1931,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931, Q (j -
RFQ
 ECAD 8362 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SA1931 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 50 v 5 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 200ma, 2a 100 @ 1a, 1v 60MHz
TPN2R903PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R903PL, L1Q 0.8300
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powervdfn TPN2R903 MOSFET (금속 (() 8 1 3. (3.1x3.1) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 70A (TC) 4.5V, 10V 2.9mohm @ 35a, 10V 2.1V @ 200µA 26 NC @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 15 v - 630MW (TA), 75W (TC)
2SA1943N(S1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1943N (S1, E, S) 2.4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 2SA1943 150 W. TO-3P (N) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2SA1943N (S1ES) 귀 99 8541.29.0075 25 230 v 15 a 5µA (ICBO) PNP 3V @ 800ma, 8a 80 @ 1a, 5V 30MHz
TRS24N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS24N65FB, S1Q 7.6500
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 TRS24N65 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247 - 1 (무제한) 264-TRS24N65FBS1Q 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 650 v 12A (DC) 1.6 V @ 12 a 0 ns 60 µa @ 650 v 175 ° C
RN1308,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1308, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN1308 100MW SC-70 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 22 KOHMS 47 Kohms
2SA1020-Y(HIT,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (HIT, F, M) -
RFQ
 ECAD 3530 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1020 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
TPC6110(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6110 (TE85L, F, M) -
RFQ
 ECAD 4645 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 TPC6110 MOSFET (금속 (() VS-6 (2.9x2.8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 4.5A (TA) 56MOHM @ 2.2A, 10V 2V @ 100µa 14 nc @ 10 v 510 pf @ 10 v - 700MW (TA)
RN1607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1607 (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 RN1607 300MW sm6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 10kohms 47kohms
TK40A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK40A10N1, S4X 1.8500
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK40A10 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 40A (TC) 10V 8.2MOHM @ 20A, 10V 4V @ 500µA 49 NC @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 50 v - 35W (TC)
SSM6N43FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage ssm6n43fu, lf 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N43 MOSFET (금속 (() 200MW US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 500ma 630mohm @ 200ma, 5V 1V @ 1mA 1.23NC @ 4V 46pf @ 10V 논리 논리 게이트, 1.5V 드라이브
2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK879-Y (TE85L, F) 0.4200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SK879 100MW USM 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 8.2pf @ 10V 1.2 ma @ 10 v 400 mV @ 100 NA
TK16V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16V60W5, LVQ 3.4800
RFQ
 ECAD 3143 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 4-vSfn s 패드 MOSFET (금속 (() 4-DFN-EP (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 15.8A (TA) 10V 245mohm @ 7.9a, 10V 4.5V @ 790µA 43 NC @ 10 v ± 30V 1350 pf @ 300 v - 139W (TC)
TK3R1A04PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage Tk3r1a04pl, S4X 1.2700
RFQ
 ECAD 3177 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK3R1A04 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 82A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 30a, 4.5v 2.4V @ 500µA 63.4 NC @ 10 v ± 20V 4670 pf @ 20 v - 36W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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