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불연속 불연속 제품 (2909)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 전류 전류 (ID) - 최대
2SC2235-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O, F (J. -
RFQ
 ECAD 8839 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2235 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 80 @ 100MA, 5V 120MHz
TPWR8004PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPWR8004PL, L1Q 2.9700
RFQ
 ECAD 1220 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn TPWR8004 MOSFET (금속 (() 8-DSOP 발전 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 150A (TC) 4.5V, 10V 0.8mohm @ 50a, 10V 2.4V @ 1mA 103 NC @ 10 v ± 20V 9600 pf @ 20 v - 1W (TA), 170W (TC)
RN1309,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1309, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN1309 100MW SC-70 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 22 KOHMS
2SC2229-Y(T6MIT1FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y (T6mit1fm -
RFQ
 ECAD 1667 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2229 800MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 2SC2229YT6MIT1FM 귀 99 8541.21.0075 1 150 v 50 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1ma, 10ma 70 @ 10ma, 5V 120MHz
TK16C60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16C60W, S1VQ -
RFQ
 ECAD 7901 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA TK16C60 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 15.8A (TA) 10V 190mohm @ 7.9a, 10V 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1350 pf @ 300 v - 130W (TC)
TK160F10N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L, LQ 2.8400
RFQ
 ECAD 1592 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB TK160F10 MOSFET (금속 (() TO-220SM (W) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 160A (TA) 6V, 10V 2.4mohm @ 80a, 10V 3.5V @ 1mA 122 NC @ 10 v ± 20V 10100 pf @ 10 v - 375W (TC)
2SA2154CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154CT-Y (TPL3) -
RFQ
 ECAD 5156 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 2SA2154 100MW CST3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 80MHz
RN4609(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4609 (TE85L, F) 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 RN4609 300MW sm6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 200MHz 47kohms 22kohms
TK16A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16A60W, S4VX 2.9700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK16A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 15.8A (TA) 10V 190mohm @ 7.9a, 10V 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1350 pf @ 300 v - 40W (TC)
2SK208-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-GR (TE85L, F) 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK208 100MW SC-59 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 8.2pf @ 10V 50 v 2.6 ma @ 10 v 400 mV @ 100 NA 6.5 MA
2SK880GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880GRE85LF 0.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SK880 100MW SC-70 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 13pf @ 10V 50 v 2.6 ma @ 10 v 1.5 V @ 100 NA
2SK208-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-R (TE85L, F) 0.4900
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK208 100MW S- 미니 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 8.2pf @ 10V 50 v 300 µa @ 10 v 400 mV @ 100 NA 6.5 MA
2SK2145-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145-GR (TE85L, f 0.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 2SK2145 300MW SMV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 13pf @ 10V 2.6 ma @ 10 v 200 MV @ 100 NA
TK11A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK11A65W, S5X 1.5300
RFQ
 ECAD 101 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 Tk11a65 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 11.1A (TA) 10V 390mohm @ 5.5a, 10V 3.5V @ 450µA 25 nc @ 10 v ± 30V 890 pf @ 300 v - 35W (TC)
TK10A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk10a60d (sta4, q, m) -
RFQ
 ECAD 1128 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 Tk10a60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) tk10a60dsta4qm 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 10A (TA) 10V 750mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 25 nc @ 10 v ± 30V 1350 pf @ 25 v - 45W (TC)
TPC8032-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8032-H (TE12LQM) -
RFQ
 ECAD 9260 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TPC8032 MOSFET (금속 (() 8-SOP (5.5x6.0) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 15A (TA) 6.5mohm @ 7.5a, 10V 2.5V @ 1mA 33 NC @ 10 v 2846 pf @ 10 v - -
TK8S06K3L(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TK8S06K3L (T6L1, NQ) 1.2600
RFQ
 ECAD 4739 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u- 모시브 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK8S06 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 8A (TA) 6V, 10V 54mohm @ 4a, 10V 3V @ 1mA 10 nc @ 10 v ± 20V 400 pf @ 10 v - 25W (TC)
TPC8132,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8132, LQ (s 0.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TPC8132 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 7A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 3.5a, 10V 2V @ 200µA 34 NC @ 10 v +20V, -25V 1580 pf @ 10 v - 1W (TA)
TK3A60DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK3A60DA (STA4, Q, M) 1.2100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK3A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 2.5A (TA) 10V 2.8ohm @ 1.3a, 10V 4.4V @ 1mA 9 NC @ 10 v ± 30V 380 pf @ 25 v - 30W (TC)
TK3P50D,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage Tk3p50d, RQ (s 1.1700
RFQ
 ECAD 6966 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK3P50 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 500 v 3A (TA) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4.4V @ 1mA 7 nc @ 10 v ± 30V 280 pf @ 25 v - 60W (TC)
TK10A60W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60W, S4X 1.6339
RFQ
 ECAD 3281 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 Tk10a60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) Tk10a60ws4x 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 9.7A (TA) 10V 380mohm @ 4.9a, 10V 3.7V @ 500µA 20 nc @ 10 v ± 30V 720 pf @ 300 v - 30W (TC)
TK28N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK28N65W, S1F 6.3000
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 TK28N65 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 27.6A (TA) 10V 110mohm @ 13.8a, 10V 3.5V @ 1.6MA 75 NC @ 10 v ± 30V 3000 pf @ 300 v - 230W (TC)
RN2303,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2303, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN2303 100MW SC-70 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 200MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
TK10A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A80W, S4X 2.8400
RFQ
 ECAD 4462 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 Tk10a80 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 9.5A (TA) 10V 550mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 450µA 19 NC @ 10 v ± 20V 1150 pf @ 300 v - 40W (TC)
RN2907FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907FE, LXHF (Ct 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN2907 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 10kohms 47kohms
2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880-Y (TE85L, F) 0.5600
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SK880 100MW USM 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 13pf @ 10V 50 v 1.2 ma @ 10 v 1.5 V @ 100 NA
RN1704JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1704JE (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 116 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-553 RN1704 100MW ESV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (이중 이중) (이미 터 커플 링) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 47kohms 47kohms
TK25A60X5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK25A60X5, S5X 4.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv-h 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK25A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 25A (TA) 10V 140mohm @ 7.5a, 10V 4.5V @ 1.2MA 60 nc @ 10 v ± 30V 2400 pf @ 300 v - 45W (TC)
TPC8407,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8407, LQ (s -
RFQ
 ECAD 5590 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TPC8407 MOSFET (금속 (() 450MW 8-SOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 9a, 7.4a 17mohm @ 4.5a, 10V 2.3v @ 100µa 17nc @ 10V 1190pf @ 10V 논리 논리 게이트
TK12E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK12E60W, S1VX 3.4000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TK12E60 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 11.5A (TA) 10V 300mohm @ 5.8a, 10V 3.7V @ 600µA 25 nc @ 10 v ± 30V 890 pf @ 300 v - 110W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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