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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 속도 FET 종류 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 다이오드 전압 - 역방향(최대) 전압 - 출력(V(BR)GSS) - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f) 소스 소스(Id) - 최대 냄비에 냄비를 조건으로 Q@VR, F
1SS422(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS422(TE85L,F) 0.4000
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 ECAD 29 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 1SS422 쇼트키 SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍 직렬 연결 30V 100mA 500mV @ 100mA 30V에서 50μA 125°C(최대)
RN4907FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4907FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4907 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 10k옴 47k옴
CUS520,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS520,H3F 0.2000
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 ECAD 707 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-76, SOD-323 CUS520 쇼트키 USC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 10mA에서 280mV 30V에서 5μA 125°C(최대) 200mA 17pF @ 0V, 1MHz
CBS05F30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS05F30,L3F 0.3900
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 2-SMD, 무연 CBS05F30 쇼트키 CST2B - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 10,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 30V에서 50μA 125°C(최대) 500mA 118pF @ 0V, 1MHz
2SC5096-R,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5096-R,LF -
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 ECAD 8066 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 2SC5096 100mW SSM - 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 1.4dB 10V 15mA NPN 50 @ 7mA, 6V 10GHz 1.4dB @ 1GHz
RN1416,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1416,LF 0.2000
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1416 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 50 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 10kΩ
SSM5H12TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H12TU(TE85L,F) -
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 ECAD 5864 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD(5리드), 플랫 리드 SSM5H12 MOSFET(금속) UFV 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 1.9A(타) 1.8V, 4V 133m옴 @ 1A, 4V 1V @ 1mA 1.9nC @ 4V ±12V 15V에서 123pF 쇼트키 다이오드(절연) 500mW(타)
TK28A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK28A65W,S5X 5.0100
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 ECAD 34 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK28A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 27.6A(타) 10V 110m옴 @ 13.8A, 10V 3.5V @ 1.6mA 75nC @ 10V ±30V 300V에서 3000pF - 45W(Tc)
2SK208-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-R(TE85L,F) 0.4900
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 ECAD 36 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK208 100mW S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 8.2pF @ 10V 50V 10V에서 300μA 400mV @ 100nA 6.5mA
CRG07(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG07(TE85L,Q,M) 0.4000
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-123F CRG07 기준 S플랫(1.6x3.5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 400V 1.1V @ 700mA 400V에서 10μA 175°C(최대) 700mA -
2SA2061(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2061(TE85L,F) 0.5000
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 625mW TSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 264-2SA2061(TE85L,F)DKR EAR99 8541.21.0095 3,000 20V 2.5A 100nA(ICBO) PNP 190mV @ 53mA, 1.6A 200 @ 500mA, 2V -
BAV99W,LF Toshiba Semiconductor and Storage BAV99W,LF 0.2100
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 ECAD 518 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 BAV99 기준 USM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍 직렬 연결 100V 150mA 1.25V @ 150mA 4ns 80V에서 200nA 150°C(최대)
TK58A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK58A06N1,S4X 1.3300
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 ECAD 46 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK58A06 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 58A(티씨) 10V 5.4m옴 @ 29A, 10V 4V에서 500μA 46nC @ 10V ±20V 3400pF @ 30V - 35W(Tc)
RN2107MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2107MFV,L3XHF(CT 0.3400
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2107 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 10kΩ 47kΩ
TK22A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK22A10N1,S4X 1.4100
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 ECAD 4640 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK22A10 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 22A(TC) 10V 13.8m옴 @ 11A, 10V 300μA에서 4V 28nC @ 10V ±20V 50V에서 1800pF - 30W(Tc)
SSM3K72CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72CTC,L3F 0.3000
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-101, SOT-883 SSM3K72 MOSFET(금속) CST3C 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 60V 150mA(타) 4.5V, 10V 3.9옴 @ 100mA, 10V 2.1V @ 250μA 0.35nC @ 4.5V ±20V 17pF @ 10V - 500mW(타)
SSM3J56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56MFV,L3F 0.4500
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 ECAD 490 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-723 SSM3J56 MOSFET(금속) 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 P채널 20V 800mA(타) 1.2V, 4.5V 390m옴 @ 800mA, 4.5V - ±8V 10V에서 100pF - 150mW(타)
CRS20I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I40A(TE85L,QM 0.5000
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-123F CRS20I40 쇼트키 S플랫(1.6x3.5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 600mV @ 2A 40V에서 60μA 150°C(최대) 2A 35pF @ 10V, 1MHz
RN1709JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1709JE(TE85L,F) 0.4000
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-553 RN1709 100mW ESV 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 250MHz 47k옴 22k옴
1SV314(TPL3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SV314(TPL3,F) 0.3800
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-79, SOD-523 1SV314 ESC 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 8,000 3.4pF @ 2.5V, 1MHz 하나의 10V 2.5 C0.5/C2.5 -
TPN2R304PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R304PL,L1Q 0.9600
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 ECAD 27 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPN2R304 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 40V 80A(Tc) 4.5V, 10V 2.3m옴 @ 40A, 10V 300μA에서 2.4V 41nC @ 10V ±20V 3600pF @ 20V - 630mW(Ta), 104W(Tc)
RN1906,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1906,LF(CT 0.2800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1906 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7k옴 47k옴
RN2906,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2906,LF 0.2800
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2906 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7k옴 47k옴
2SK2719(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2719(F) -
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 ECAD 7516 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 2SK2719 MOSFET(금속) TO-3P(엔) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 900V 3A(타) 10V 4.3옴 @ 1.5A, 10V 4V @ 1mA 25nC @ 10V ±30V 25V에서 750pF - 125W(Tc)
CUS15S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS15S40,H3F 0.3900
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-76, SOD-323 CUS15S40 쇼트키 USC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 450mV @ 1A 40V에서 200μA 125°C(최대) 1.5A 170pF @ 0V, 1MHz
RN1413,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1413,LXHF 0.0645
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 ECAD 3620 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1413 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 250MHz 47kΩ
TK290A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK290A65Y,S4X 1.9600
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK290A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 11.5A(Tc) 10V 290m옴 @ 5.8A, 10V 4V @ 450μA 25nC @ 10V ±30V 300V에서 730pF - 35W(Tc)
RN1964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1964FE(TE85L,F) 0.1000
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1964 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47k옴 47k옴
TK56A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK56A12N1,S4X 2.0900
보상요청
 ECAD 30 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK56A12 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 120V 56A(티씨) 10V 7.5m옴 @ 28A, 10V 4V @ 1mA 69nC @ 10V ±20V 60V에서 4200pF - 45W(Tc)
2SC2235-Y(DNSO,AF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y(DNSO, AF) -
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 ECAD 8875 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2235 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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