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불연속 불연속 제품 (2909)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 저항 @ if, f 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
2SA1721OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1721OTE85LF 0.1207
RFQ
 ECAD 5444 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1721 150 MW S- 미니 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 2ma, 20ma 30 @ 20MA, 10V 50MHz
TK560P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Tk560p65y, Rq 1.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 DTMOSV 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Tk560p65 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 650 v 7A (TC) 10V 560mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 240µA 14.5 nc @ 10 v ± 30V 380 pf @ 300 v - 60W (TC)
2SC6010(T2MITUM,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6010 (T2Mitum, FM -
RFQ
 ECAD 5872 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-71 2SC6010 1 W. MSTM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 600 v 1 a 100µA (ICBO) NPN 1V @ 75MA, 600MA 100 @ 100ma, 5V -
2SA1837,NSEIKIF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, NSEIKIF (J. -
RFQ
 ECAD 1887 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SA1837 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µA (ICBO) PNP 1.5V @ 50MA, 500MA 100 @ 100ma, 5V 70MHz
MT4S300U(TE85L,O,F Toshiba Semiconductor and Storage MT4S300U (TE85L, O, f 0.6800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 MT4S300 250MW USQ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 16.9dB 4V 50ma NPN 200 @ 10ma, 3v 26.5GHz 0.55dB @ 2GHz
1SS403E,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS403E, L3F 0.3200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 1SS403 기준 ESC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 200 v 1.2 v @ 100 ma 60 ns 1 µa @ 200 v 150 ° C (°) 100ma 3pf @ 0V, 1MHz
TK4K1A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4K1A60F, S4X 0.8300
RFQ
 ECAD 8560 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK4K1A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 2A (TA) 10V 4.1ohm @ 1a, 10V 4V @ 190µA 8 nc @ 10 v ± 30V 270 pf @ 300 v - 30W (TC)
RN1402,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1402, LF 0.2200
RFQ
 ECAD 1364 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1402 200 MW S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
CLS03(TE16L,DNSO,Q Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 (TE16L, DNSO, Q. -
RFQ
 ECAD 9888 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 L-FLAT ™ CLS03 Schottky L-FLAT ™ (4x5.5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 580 mV @ 10 a 1 ma @ 60 v -40 ° C ~ 125 ° C 10A 345pf @ 10V, 1MHz
RN2313(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2313 (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 4403 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN2313 100MW SC-70 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 47 Kohms
RN2307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2307 (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 3221 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN2307 100MW SC-70 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 10 KOHMS 47 Kohms
RN2905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905, LF (Ct 0.2600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2905 200MW US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 2.2kohms 47kohms
RN4984(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4984 (T5L, F, T) 0.1400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4984 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100µA (ICBO) 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz, 200MHz 47kohms 47kohms
SSM3K44MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K44MFV, L3F 0.2500
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SOT-723 SSM3K44 MOSFET (금속 (() VESM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 n 채널 30 v 100MA (TA) 2.5V, 4V 4ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100µa ± 20V 8.5 pf @ 3 v - 150MW (TA)
RN4987FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987FE, LF (Ct 0.2700
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN4987 100MW ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz, 200MHz 10kohms 47kohms
RN1409,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1409, LF 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1409 200 MW S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 250MHz 47 Kohms 22 KOHMS
JDV2S07FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S07FSTPL3 0.0718
RFQ
 ECAD 6225 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 2-SMD,, 리드 JDV2S07 FSC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 10,000 4.9pf @ 1v, 1MHz 표준 - 단일 10V -
2SC2655-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-y, T6KEHF (m -
RFQ
 ECAD 1327 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2655 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
RN2101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101, LXHF (Ct 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN2101 100MW SSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 30 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RN1903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903, LXHF (Ct 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1903 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
SSM3K15AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15AMFV, L3F 0.2900
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 SSM3K15 MOSFET (금속 (() VESM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 n 채널 30 v 100MA (TA) 2.5V, 4V 3.6ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100µa ± 20V 13.5 pf @ 3 v - 150MW (TA)
JDH2S02SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage JDH2S02SL, L3F 0.4200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 없음 JDH2S02 Schottky SL2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 10 v 25 µa @ 500 mV 125 ° C (°) 10MA 0.25pf @ 200MV, 1MHz
2SC6026CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026CT-Y (TPL3) -
RFQ
 ECAD 7438 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 2SC6026 100MW CST3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 60MHz
TK11A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk11a45d (sta4, q, m) 1.8600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 Tk11a45 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 450 v 11A (TA) 10V 620mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 1MA 20 nc @ 10 v ± 30V 1050 pf @ 25 v - 40W (TC)
TK8A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK8A60W, S4VX 2.6600
RFQ
 ECAD 4513 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 tk8a60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 8A (TA) 10V 500mohm @ 4a, 10V 3.7V @ 400µA 18.5 nc @ 10 v ± 30V 570 pf @ 300 v - 30W (TC)
2SA1020-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 3483 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1020 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
2SC3326-A,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326-A, LF 0.4000
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3326 150 MW TO-236 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 20 v 300 MA 100NA (ICBO) NPN 100mv @ 3ma, 30ma 200 @ 4ma, 2v 30MHz
RN1416,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1416, LF 0.2000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1416 200 MW S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
TJ15P04M3,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TJ15P04M3, RQ (s 0.8700
RFQ
 ECAD 878 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TJ15P04 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 15A (TA) 4.5V, 10V 36mohm @ 7.5a, 10V 2V @ 100µa 26 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 10 v - 29W (TC)
TK6A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk6a50d (sta4, q, m) 1.3700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK6A50 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 6A (TA) 10V 1.4ohm @ 3a, 10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 v ± 30V 540 pf @ 25 v - 35W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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