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불연속 불연속 제품 (2909)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
MT4S300U(TE85L,O,F Toshiba Semiconductor and Storage MT4S300U (TE85L, O, f 0.6800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 MT4S300 250MW USQ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 16.9dB 4V 50ma NPN 200 @ 10ma, 3v 26.5GHz 0.55dB @ 2GHz
RN2904,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2904, LF (Ct 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2904 200MW US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 47kohms 47kohms
2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880-BL (TE85L, F) 0.5900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SK880 100MW SC-70 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 13pf @ 10V 50 v 6 ma @ 10 v 1.5 V @ 100 NA
2SC3665-Y,T2NSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3665-Y, T2NSF (J. -
RFQ
 ECAD 3531 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-71 2SC3665 1 W. MSTM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 120 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 80 @ 100MA, 5V 120MHz
RN2902,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2902, LF -
RFQ
 ECAD 7224 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2902 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
RN1107,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107, LF (Ct 0.2000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN1107 100MW SSM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 10 KOHMS 47 Kohms
CRS30I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS30I30A (TE85L, QM 0.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F CRS30I30 Schottky S-FLAT (1.6x3.5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 490 mV @ 3 a 100 µa @ 30 v 150 ° C (°) 3A 82pf @ 10V, 1MHz
RN1971TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1971TE85LF 0.0618
RFQ
 ECAD 6883 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1971 200MW US6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 10kohms -
SSM6N815R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N815R, LF 0.4500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 SSM6N815 MOSFET (금속 (() 1.8W (TA) 6TSOP-F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 100V 2A (TA) 103mohm @ 2a, 10v 2.5V @ 100µa 3.1NC @ 4.5V 290pf @ 15V 논리 논리 게이트, 4v 드라이브
HN1D03FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1D03FU, LF 0.3700
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1D03 기준 US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2. CA + CC 80 v 80ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 v 125 ° C (°)
MT3S20TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S20TU (TE85L) -
RFQ
 ECAD 2541 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 MT3S20 900MW UFM - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 12db 12V 80ma NPN 100 @ 50MA, 5V 7GHz 1.45db @ 20ma, 5V
2SA1586-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-Y, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SA1586 100MW SC-70 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 80MHz
RN2713JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2713JE (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-553 RN2713 100MW ESV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (이중 이중) (이미 터 커플 링) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 47kohms -
RN1703,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1703, LF 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1703 200MW USV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
RN2702,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2702, LF 0.3000
RFQ
 ECAD 7882 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2702 200MW USV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
RN1132MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1132MFV, L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 2506 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN1132 150 MW VESM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200 KOHMS
2SA965-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-Y, T6F (J. -
RFQ
 ECAD 5034 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA965 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA (ICBO) PNP 1V @ 50MA, 500MA 80 @ 100MA, 5V 120MHz
SSM6N48FU,RF(D Toshiba Semiconductor and Storage ssm6n48fu, rf (d -
RFQ
 ECAD 1977 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N48 MOSFET (금속 (() 300MW US6 다운로드 1 (무제한) ssm6n48furf (d 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 100MA (TA) 3.2ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100µa - 15.1pf @ 3v 로직 로직 게이트, 2.5V 드라이브
2SC4738-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4738-Y, LF 0.2000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 2SC4738 100MW SSM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 80MHz
2SC4793,YHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, YHF (m -
RFQ
 ECAD 9650 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SC4793 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µA (ICBO) NPN 1.5V @ 50MA, 500MA 100 @ 100ma, 5V 100MHz
2SC5085-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5085-Y (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 3125 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SC5085 100MW SC-70 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 11dB ~ 16.5dB 12V 80ma NPN 120 @ 20MA, 10V 7GHz 1.1db @ 1ghz
2SC6076(TE16L1,NV) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6076 (TE16L1, NV) 0.6300
RFQ
 ECAD 7769 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SC6076 10 W. PW-Mold 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 2,000 80 v 3 a 1µA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 1a 180 @ 500ma, 2V 150MHz
2SA1313-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1313-Y, LF 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1313 200 MW S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 10ma, 100ma 120 @ 100MA, 1V 200MHz
RN2103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2103CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 1846 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN2103 50 MW CST3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 MA 500NA pnp- 사전- 150mv @ 250µa, 5mA 100 @ 10ma, 5V 22 KOHMS 22 KOHMS
RN2905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905, LF (Ct 0.2600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2905 200MW US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 2.2kohms 47kohms
RN2423(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2423 (TE85L, F) 0.4100
RFQ
 ECAD 130 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2423 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 800 MA 500NA pnp- 사전- 250mv @ 1ma, 50ma 70 @ 100MA, 1V 200MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TPCA8A02-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8A02-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 8734 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSV-H 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPCA8A02 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 34A (TA) 4.5V, 10V 5.3mohm @ 17a, 10V 2.3v @ 1ma 36 nc @ 10 v ± 20V 3430 pf @ 10 v - 1.6W (TA), 45W (TC)
TDTC143Z,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC143Z, LM 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTC143 320 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
RN1118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1118 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 3198 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN1118 100MW SSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 47 Kohms 10 KOHMS
RN2106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106, LF (Ct 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN2106 100MW SSM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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