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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
SSM3J15CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15CT,L3F 0.3100
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 ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SC-101, SOT-883 MOSFET(금속) CST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 P채널 30V 100mA(타) 2.5V, 4V 12옴 @ 10mA, 4V 1.7V @ 100μA ±20V 9.1pF @ 3V - 100mW(타)
TK32A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK32A12N1,S4X 1.4000
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK32A12 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 120V 32A(Tc) 10V 13.8m옴 @ 16A, 10V 4V에서 500μA 34nC @ 10V ±20V 60V에서 2000pF - 30W(Tc)
TK12A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60W,S4VX 3.9800
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK12A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 11.5A(타) 10V 300m옴 @ 5.8A, 10V 600μA에서 3.7V 25nC @ 10V ±30V 300V에서 890pF - 35W(Tc)
2SK2962,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962,T6F(J -
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 ECAD 4247 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SK2962 TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 1A(티제이)
2SC2714-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2714-Y(TE85L,F) 0.4400
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2714 100mW S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 23dB 30V 20mA NPN 100@1mA, 6V 550MHz 2.5dB @ 100MHz
TPW2R508NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW2R508NH,L1Q 2.8100
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 ECAD 1661년 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 8-파워WDFN MOSFET(금속) 8-DSOP 어드밴스 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 75V 150A(타) 10V 2.5m옴 @ 50A, 10V 4V @ 1mA 72nC @ 10V ±20V 6000pF @ 37.5V - 800mW(Ta), 142W(Tc)
2SC2655-O(ND2,AF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-O(ND2,AF) -
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 ECAD 9458 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2655 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SJ380(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ380(F) -
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 ECAD 1045 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SJ380 MOSFET(금속) TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 P채널 100V 12A(타) 4V, 10V 210m옴 @ 6A, 10V 2V @ 1mA 48nC @ 10V ±20V 1100pF @ 10V - 35W(Tc)
2SA965-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-Y,T6F(J -
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 ECAD 5034 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA965 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) PNP 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
2SC5066-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5066-O,LF -
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 ECAD 9564 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 2SC5066 100mW SSM - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 - 12V 30mA NPN 80 @ 10mA, 5V 7GHz 1dB @ 500MHz
RN2704JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2704JE(TE85L,F) 0.4800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-553 RN2704 100mW ESV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47k옴 47k옴
RN2905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905,LF(CT 0.2600
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2905 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz 2.2k옴 47k옴
RN2101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101,LXHF(CT 0.3300
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2101 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
RN4987,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987,LXHF(CT 0.4400
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4987 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 10kΩ 47k옴
T2N7002BK,LM Toshiba Semiconductor and Storage T2N7002BK,LM 0.1700
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 ECAD 187 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 T2N7002 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 400mA(타) 4.5V, 10V 1.5옴 @ 100mA, 10V 2.1V @ 250μA 0.6nC @ 4.5V ±20V 10V에서 40pF - 320mW(타)
2SJ438,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438,Q(J -
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 ECAD 2689 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SJ438 TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 5A(티제이)
RN4984(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4984(T5L,F,T) 0.1400
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4984 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100μA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 47k옴 47k옴
2SD2406-Y(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2406-Y(F) -
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 ECAD 9090 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SD2406 25W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 80V 4A 30μA(ICBO) NPN 1.5V @ 300mA, 3A 120 @ 500mA, 5V 8MHz
2SA2154CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154CT-Y(TPL3) -
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 ECAD 5156 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-101, SOT-883 2SA2154 100mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 80MHz
RN1103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103,LF(CT 0.2000
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1103 100mW SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22kΩ 22kΩ
RN1409,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1409,LF 0.1900
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1409 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 22kΩ
RN4902FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4902FE(TE85L,F) -
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 ECAD 4313 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4902 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 50 @ 10mA, 5V 200MHz 10kΩ 10kΩ
SSM3J144TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J144TU,LF 0.4100
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 SSM3J144 MOSFET(금속) UFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 3.2A(타) 1.5V, 4.5V 93m옴 @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1mA 4.7nC @ 4.5V +6V, -8V 10V에서 290pF - 500mW(타)
RN1310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1310(TE85L,F) 0.2600
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1310 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 250MHz 4.7kΩ
RN1410,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1410,LXHF 0.0645
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 ECAD 9455 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1410 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 250MHz 4.7kΩ
2SC5171(LBS2MATQ,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171(LBS2MATQ,M -
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 ECAD 8910 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC5171 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 180V 2A 5μA(ICBO) NPN 1V @ 100mA, 1A 100 @ 100mA, 5V 200MHz
TTA003,L1NQ(O Toshiba Semiconductor and Storage TTA003,L1NQ(O 0.6900
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TTA003 10W PW-MOLD 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 2,000 80V 3A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 100mA, 1A 100 @ 500mA, 2V 100MHz
RN1610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1610(TE85L,F) 0.4800
보상요청
 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN1610 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 250MHz 4.7k옴 -
TPH8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R903NL,LQ 0.8500
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPH8R903 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 20A(TC) 10V 8.9m옴 @ 10A, 10V 2.3V @ 1mA 9.8nC @ 10V ±20V 15V에서 820pF - 1.6W(Ta), 24W(Tc)
TK1P90A,LQ(CO Toshiba Semiconductor and Storage TK1P90A,LQ(CO -
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 ECAD 9799 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK1P90 MOSFET(금속) PW-MOLD 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TK1P90ALQ(CO EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 900V 1A(타) 10V 9옴 @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 13nC @ 10V ±30V 320pF @ 25V - 20W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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