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불연속 불연속 제품 (2909)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
2SK2962,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962, T6f (m -
RFQ
 ECAD 4332 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SK2962 TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 1A (TJ)
RN1702,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1702, LF 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1702 200MW USV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
SSM3K37FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K37FS, LF 0.2300
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TA) 표면 표면 SC-75, SOT-416 SSM3K37 MOSFET (금속 (() SSM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 200MA (TA) 1.5V, 4.5V 2.2ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 1mA ± 10V 12 pf @ 10 v - 100MW (TA)
TK160F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L, LXGQ 3.7000
RFQ
 ECAD 4476 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB TK160F10 MOSFET (금속 (() TO-220SM (W) - 3 (168 시간) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 160A (TA) 6V, 10V 2.4mohm @ 80a, 10V 3.5V @ 1mA 122 NC @ 10 v ± 20V 10100 pf @ 10 v - 375W (TC)
RN4991FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4991FE, LXHF (Ct 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN4991 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz, 200MHz 10kohms -
2SA1362-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1362-GR, LF 0.4000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1362 200 MW S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 15 v 800 MA 100NA (ICBO) PNP 200mv @ 8ma, 400ma 200 @ 100ma, 1v 120MHz
2SA1586-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-Y, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SA1586 100MW SC-70 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 80MHz
TPC6011(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6011 (TE85L, F, M) -
RFQ
 ECAD 5591 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u- 모시브 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 TPC6011 MOSFET (금속 (() VS-6 (2.9x2.8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 6A (TA) 4.5V, 10V 20mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 1mA 14 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 10 v - 700MW (TA)
RN2707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2707JE (TE85L, F) 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-553 RN2707 100MW ESV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 10kohms 47kohms
TMBT3906,LM Toshiba Semiconductor and Storage TMBT3906, LM 0.1800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TMBT3906 320 MW SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
RN1402,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1402, LF 0.2200
RFQ
 ECAD 1364 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1402 200 MW S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
2SK2962,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962, T6WNLF (J. -
RFQ
 ECAD 1755 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SK2962 TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 1A (TJ)
TK12A60U(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60U (Q, M) -
RFQ
 ECAD 2935 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosii 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK12A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 12A (TA) 10V 400mohm @ 6a, 10V 5V @ 1MA 14 nc @ 10 v ± 30V 720 pf @ 10 v - 35W (TC)
RN4986,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986, LXHF (Ct 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4986 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz, 200MHz 4.7kohms 47kohms
HN1D02FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1D02FU, LF 0.4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1D02 기준 US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 음극 음극 공통 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 v 125 ° C (°)
TK32A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK32A12N1, S4X 1.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK32A12 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 120 v 32A (TC) 10V 13.8mohm @ 16a, 10V 4V @ 500µA 34 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 60 v - 30W (TC)
2SK3662(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3662 (F) -
RFQ
 ECAD 1045 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SK3662 MOSFET (금속 (() TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 35A (TA) 4V, 10V 12.5mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 1mA 91 NC @ 10 v ± 20V 5120 pf @ 10 v - 35W (TC)
CRS30I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS30I30A (TE85L, QM 0.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F CRS30I30 Schottky S-FLAT (1.6x3.5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 490 mV @ 3 a 100 µa @ 30 v 150 ° C (°) 3A 82pf @ 10V, 1MHz
2SJ438,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438, Q (j -
RFQ
 ECAD 2689 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SJ438 TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 5A (TJ)
RN2307,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2307, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 2595 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN2307 100MW SC-70 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 10 KOHMS 47 Kohms
TK12A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A45D (STA4, Q, M) 2.2300
RFQ
 ECAD 1473 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK12A45 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 450 v 12A (TA) 10V 520mohm @ 6a, 10V 4V @ 1MA 24 nc @ 10 v ± 30V 1200 pf @ 25 v - 45W (TC)
TK100S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L, LXHQ 1.7200
RFQ
 ECAD 8020 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK100S04 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 100A (TA) 4.5V, 10V 2.3mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 500µA 76 NC @ 10 v ± 20V 5490 pf @ 10 v - 180W (TC)
TK6A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk6a53d (sta4, q, m) 1.5000
RFQ
 ECAD 2959 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK6A53 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 525 v 6A (TA) 10V 1.3ohm @ 3a, 10V 4.4V @ 1mA 12 nc @ 10 v ± 30V 600 pf @ 25 v - 35W (TC)
JDH2S02SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage JDH2S02SL, L3F 0.4200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 없음 JDH2S02 Schottky SL2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 10 v 25 µa @ 500 mV 125 ° C (°) 10MA 0.25pf @ 200MV, 1MHz
RN2904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE, LXHF (Ct 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN2904 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 47kohms 47kohms
TK14N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK14N65W, S1F 3.3800
RFQ
 ECAD 8957 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 TK14N65 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 13.7A (TA) 10V 250mohm @ 6.9a, 10V 3.5V @ 690µA 35 NC @ 10 v ± 30V 1300 pf @ 300 v - 130W (TC)
SSM3J372R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J372R, LXHF 0.4600
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 MOSFET (금속 (() SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 6A (TA) 1.8V, 10V 42mohm @ 5a, 10V 1.2v @ 1ma 8.2 NC @ 4.5 v +6V, -12V 560 pf @ 15 v - 1W (TA)
RN2911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2911 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 5354 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2911 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 10kohms -
2SC2655-Y,T6APNF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-y, T6APNF (m -
RFQ
 ECAD 3058 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2655 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
TK040N65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK040N65Z, S1F 11.2700
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-247-3 TK040N65 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 57A (TA) 10V 40mohm @ 28.5a, 10V 4V @ 2.85ma 105 NC @ 10 v ± 30V 6250 pf @ 300 v - 360W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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