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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 현재 - 최대 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 저항 @ If, F 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
TK13A55DA(STA4,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A55DA(STA4,QM) 2.8600
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 ECAD 3819 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK13A55 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 550V 12.5A(타) 10V 480m옴 @ 6.3A, 10V 4V @ 1mA 38nC @ 10V ±30V 25V에서 1800pF - 45W(Tc)
TK17A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK17A80W,S4X 3.8400
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 ECAD 28 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK17A80 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 800V 17A(타) 10V 290m옴 @ 8.5A, 10V 4V @ 850μA 32nC @ 10V ±20V 2050pF @ 300V - 45W(Tc)
RN4983,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983,LXHF(CT 0.4400
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4983 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 22kΩ 22kΩ
TK16J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16J60W5,S1VQ 2000년 5월
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 ECAD 32 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 TK16J60 MOSFET(금속) TO-3P(엔) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 25 N채널 600V 15.8A(타) 10V 230m옴 @ 7.9A, 10V 790μA에서 4.5V 43nC @ 10V ±30V 300V에서 1350pF - 130W(Tc)
1SS307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS307(TE85L,F) 0.3700
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 ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS307 기준 S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 30V 1.3V @ 100mA 30V에서 10nA 125°C(최대) 100mA 6pF @ 0V, 1MHz
2SA1587-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1587-BL,LF 0.2700
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SA1587 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 1mA, 10mA 350 @ 2mA, 6V 100MHz
TPN2R503NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R503NC,L1Q -
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 ECAD 1432 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPN2R503 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 40A(타) 4.5V, 10V 2.5m옴 @ 20A, 10V 500μA에서 2.3V 40nC @ 10V ±20V 2230pF @ 15V - 700mW(Ta), 35W(Tc)
SSM6N58NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N58NU,LF 0.4600
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 ECAD 139 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-WDFN옆패드 SSM6N58 MOSFET(금속) 1W 6-UDFN(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 30V 4A 84m옴 @ 2A, 4.5V 1V @ 1mA 1.8nC @ 4.5V 129pF @ 15V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.8V 드라이브
HN4D02JU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4D02JU(TE85L,F) 0.0721
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 ECAD 5848 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 HN4D02 기준 USV 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍의 세션이 시작됩니다 80V 100mA 1.2V @ 100mA 1.6ns 500nA @ 80V 150°C(최대)
TPCP8001-H(TE85LFM Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8001-H(TE85LFM -
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 ECAD 4459 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TCPP8001 MOSFET(금속) PS-8(2.9x2.4) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 7.2A(타) 4.5V, 10V 16m옴 @ 3.6A, 10V 2.3V @ 1mA 11nC @ 10V ±20V 10V에서 640pF - 1W(Ta), 30W(Tc)
1SV307(TPH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SV307(TPH3,F) 0.4300
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) SC-76, SOD-323 1SV307 USC 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 50mA 0.5pF @ 1V, 1MHz 핀 - 인디 30V 1.5옴 @ 10mA, 100MHz
2SD2406-Y(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2406-Y(F) -
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 ECAD 9090 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SD2406 25W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 80V 4A 30μA(ICBO) NPN 1.5V @ 300mA, 3A 120 @ 500mA, 5V 8MHz
RN2309,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2309,LF 0.1800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2309 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 47kΩ 22kΩ
RN4989(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4989(TE85L,F) 0.3400
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4989 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 47k옴 22kΩ
TK12A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50W,S5X 2.1100
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 500V 11.5A(타) 10V 300m옴 @ 5.8A, 10V 600μA에서 3.7V 25nC @ 10V ±30V 300V에서 890pF - 35W(Tc)
1SV308(TH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SV308(TH3,F) -
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 ECAD 8277 0.00000000 도시바 및 저장 - 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) SC-79, SOD-523 1SV308 ESC 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 4,000 50mA 0.5pF @ 1V, 1MHz 핀 - 인디 30V 1.5옴 @ 10mA, 100MHz
RN2107MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2107MFV,L3F(CT 0.1800
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 ECAD 16 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2107 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 10kΩ 47kΩ
SSM6K202FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K202FE,LF 0.4600
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 ECAD 15 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6K202 MOSFET(금속) ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 N채널 30V 2.3A(타) 1.8V, 4V 85m옴 @ 1.5A, 4V 1V @ 1mA ±12V 10V에서 270pF - 500mW(타)
CMG03(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMG03(TE12L,Q,M) -
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 ECAD 2511 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOD-128 CMG03 기준 M플랫(2.4x3.8) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) CMG03(TE12LQM) EAR99 8541.10.0080 3,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 600V 1.1V @ 2A 600V에서 10μA -40°C ~ 150°C 2A -
XPJR6604PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPJR6604PB,LXHQ 2.7700
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 ECAD 1489 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 5-PowerSFN MOSFET(금속) S-TOGL™ - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 40V 200A(타) 6V, 10V 0.66m옴 @ 100A, 10V 3V @ 1mA 128nC @ 10V ±20V 11380pF @ 10V - 375W(Tc)
1SS362FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS362FV,L3F 0.2000
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 ECAD 140 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 1SS362 기준 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 8,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍 직렬 연결 80V 100mA 1.2V @ 100mA 4ns 500nA @ 80V 150°C(최대)
RN1907,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1907,LXHF(CT 0.3600
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 ECAD 5768 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1907 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 10k옴 47k옴
RN4907,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4907,LF 0.2800
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 ECAD 3821 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4907 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10k옴 47k옴
SSM6N7002BFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU,LF -
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 ECAD 3756 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N7002 MOSFET(금속) 300mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 60V 200mA 2.1옴 @ 500mA, 10V 250μA에서 3.1V - 17pF @ 25V 게임 레벨 레벨
2SA1586-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-Y,LF 0.1800
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 ECAD 53 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SA1586 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 80MHz
RN2702,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2702,LF 0.3000
보상요청
 ECAD 7882 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2702 200mW USV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 10k옴 10k옴
SSM6K824R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K824R,LF 0.5100
보상요청
 ECAD 2947 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6K824 MOSFET(금속) 6-TSOP-F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 20V 6A(타) 1.5V, 4.5V 33m옴 @ 4A, 4.5V 1V @ 1mA 3.6nC @ 4.5V ±8V 10V에서 410pF - 1.5W(타)
RN2111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2111ACT(TPL3) 0.0527
보상요청
 ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN2111 100mW CST3 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 80mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 120@1mA, 5V 10kΩ
SSM3J331R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J331R,LF 0.4500
보상요청
 ECAD 23 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 SSM3J331 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 4A(타) 1.5V, 4.5V 55m옴 @ 3A, 4.5V 1V @ 1mA 10.4nC @ 4.5V ±8V 10V에서 630pF - 1W(타)
RN1111,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1111,LXHF(CT 0.3300
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1111 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz 10kΩ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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