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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 출력(V(BR)GSS) - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 소스 소스(Id) - 최대
SSM3J372R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J372R,LF 0.4400
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 ECAD 334 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 SSM3J372 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 6A(타) 1.8V, 10V 42m옴 @ 5A, 10V 1.2V @ 1mA 8.2nC @ 4.5V +12V, -6V 15V에서 560pF - 1W(타)
RN4988(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4988(T5L,F,T) -
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 ECAD 6086 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4988 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100μA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 22k옴 47k옴
RN1302,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1302,LF 0.2600
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1302 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 50 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
RN1405,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1405,LXHF 0.3400
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1405 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 47kΩ
2SA1162-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-GR,LXHF 0.3900
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 ECAD 454 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
RN1112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112CT(TPL3) -
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 ECAD 9061 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN1112 50mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 300@1mA, 5V 22kΩ
HN1D02F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1D02F(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 9292 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 HN1D02 기준 SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 2쌍씩 시작됩니다 80V 100mA 1.2V @ 100mA 4ns 80V에서 500nA -55°C ~ 125°C
RN2708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2708JE(TE85L,F) 0.4800
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-553 RN2708 100mW ESV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22k옴 47k옴
2SK2847(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2847(F) -
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 ECAD 1737년 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 2SK2847 MOSFET(금속) TO-3P(N)IS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 900V 8A(타) 10V 1.4옴 @ 4A, 10V 4V @ 1mA 58nC @ 10V ±30V 2040pF @ 25V - 85W(Tc)
TK3P80E,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK3P80E,RQ 1.1500
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 ECAD 4414 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 800V 3A(타) 10V 4.9옴 @ 1.5A, 10V 300μA에서 4V 12nC @ 10V ±30V 25V에서 500pF - 80W(Tc)
RN1511(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1511(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74A, SOT-753 RN1511 300mW SMV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 250MHz 10kΩ -
RN4902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902,LF(CT 0.2800
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4902 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 50 @ 10mA, 5V 200MHz 10kΩ 10kΩ
RN1965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1965FE(TE85L,F) 0.1000
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 ECAD 20 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1965 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2k옴 47k옴
TW030Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW030Z120C,S1F 30.4100
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 ECAD 120 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-247-4 SiC(실리콘 카바이드 및 반도체) TO-247-4L(X) - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 1200V 60A(Tc) 18V 41m옴 @ 30A, 18V 5V @ 13mA 82nC @ 18V +25V, -10V 800V에서 2925pF - 249W(Tc)
2SK3320-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3320-BL(TE85L,F 0.7500
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 ECAD 72 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 2SK3320 200mW USV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 13pF @ 10V 10V에서 6mA 200mV @ 100nA
TK30E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK30E06N1,S1X 0.9400
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 ECAD 6995 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK30E06 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 43A(타) 10V 15m옴 @ 15A, 10V 4V @ 200μA 16nC @ 10V ±20V 30V에서 1050pF - 53W(Tc)
RN1905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1905FE,LF(CT 0.2700
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 ECAD 458 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1905 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2k옴 47k옴
RN2970FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2970FE(TE85L,F) -
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 ECAD 8747 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2970 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 200MHz 4.7k옴 10kΩ
RN4991(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4991(T5L,F,T) 0.0394
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4991 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100μA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 250MHz, 200MHz 10kΩ -
CMS16(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS16(TE12L,Q,M) 0.6600
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 CMS16 쇼트키 M플랫(2.4x3.8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 550mV @ 3A 40V에서 200μA -40°C ~ 150°C 3A -
TTD1509B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTD1509B,Q(에스 -
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 ECAD 2966 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 활동적인 TTD1509 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 250
1SS387CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS387CT,L3F 0.2400
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 ECAD 129 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-882 1SS387 기준 중부표준시2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 10,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 80V 1.2V @ 100mA 4ns 80V에서 500nA 150°C(최대) 100mA 0.5pF @ 0V, 1MHz
TK16J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16J60W5,S1VQ 2000년 5월
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 ECAD 32 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 TK16J60 MOSFET(금속) TO-3P(엔) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 25 N채널 600V 15.8A(타) 10V 230m옴 @ 7.9A, 10V 790μA에서 4.5V 43nC @ 10V ±30V 300V에서 1350pF - 130W(Tc)
TRS8A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8A65F,S1Q 3.6600
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 ECAD 139 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-2 풀팩 TRS8A65 SiC(탄화규소) 쇼트키 TO-220F-2L - EAR99 8541.10.0080 50 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 650V 1.6V @ 8A 0ns 650V에서 40μA 175°C(최대) 8A 28pF @ 650V, 1MHz
RN1130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1130MFV,L3F 0.1000
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1130 150mW 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 100 @ 10mA, 5V 250MHz 100kΩ 100kΩ
2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-Y(TE85L,F) 0.4900
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 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK208 100mW S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 8.2pF @ 10V 50V 1.2mA @ 10V 400mV @ 100nA 6.5mA
2SC2235-Y(MBSH1,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y(MBSH1,FM -
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 ECAD 5908 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2235 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
TK9P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK9P65W,RQ 0.8760
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 ECAD 2610 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK9P65 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 650V 9.3A(타) 10V 560m옴 @ 4.6A, 10V 3.5V @ 350μA 20nC @ 10V ±30V 300V에서 700pF - 80W(Tc)
SSM6N815R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N815R,LF 0.4500
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6N815 MOSFET(금속) 1.8W(타) 6-TSOP-F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 100V 2A(타) 103m옴 @ 2A, 10V 100μA에서 2.5V 3.1nC @ 4.5V 290pF @ 15V 레벨 레벨 컨트롤러, 4V 구동
HN1C01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU-Y,LXHF 0.4100
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C01 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 80MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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