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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
TK35A65W5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK35A65W5, S5X 6.3000
RFQ
 ECAD 7564 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK35A65 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 35A (TA) 10V 95mohm @ 17.5a, 10V 4.5V @ 2.1MA 115 NC @ 10 v ± 30V 4100 pf @ 300 v - 50W (TC)
T2N7002BK,LM Toshiba Semiconductor and Storage T2N7002BK, LM 0.1700
RFQ
 ECAD 187 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosvii-h 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 T2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 400MA (TA) 4.5V, 10V 1.5ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 20V 40 pf @ 10 v - 320MW (TA)
2SD2206,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206, T6F (J. -
RFQ
 ECAD 1678 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SD2206 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 100 v 2 a 10µA (ICBO) NPN 1.5v @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 2v 100MHz
RN1117MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1117MFV, L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN1117 150 MW VESM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 5MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 10 KOHMS 4.7 Kohms
RN49A1FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN49A1FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 2089 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN49A1 100MW ES6 - 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 4,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz, 250MHz 2.2kohms, 22kohms 47kohms
TK12Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12Q60W, S1VQ 2.0600
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK TK12Q60 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) TK12Q60WS1VQ 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 11.5A (TA) 10V 340mohm @ 5.8a, 10V 3.7V @ 600µA 25 nc @ 10 v ± 30V 890 pf @ 300 v - 100W (TC)
2SK4017(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4017 (Q) -
RFQ
 ECAD 1117 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK 2SK4017 MOSFET (금속 (() PW-Mold2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 200 n 채널 60 v 5A (TA) 4V, 10V 100mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 1mA 15 nc @ 10 v ± 20V 730 pf @ 10 v - 20W (TC)
TPC8062-H,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8062-H, LQ (CM -
RFQ
 ECAD 2139 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosvii-h 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TPC8062 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 18A (TA) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 9a, 10V 2.3V @ 300µA 34 NC @ 10 v ± 20V 2900 pf @ 10 v - 1W (TA)
SSM3J143TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J143TU, LXHF 0.4600
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 3-smd,, 리드 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 5.5A (TA) 1.5V, 4.5V 29.8mohm @ 3a, 4.5v 1V @ 1mA 12.8 nc @ 4.5 v +6V, -8V 840 pf @ 10 v - 500MW (TA)
RN1610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1610 (TE85L, F) 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 RN1610 300MW sm6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7kohms -
RN2103(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2103 (T5L, F, T) 0.2800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN2103 100MW SSM 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 200MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
TK30A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK30A06N1, S4X 0.9300
RFQ
 ECAD 4866 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 Tk30a06 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 30A (TC) 10V 15mohm @ 15a, 10V 4V @ 200µA 16 nc @ 10 v ± 20V 1050 pf @ 30 v - 25W (TC)
RN1910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE, LF (Ct 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN1910 100MW ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7kohms -
TK16C60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16C60W, S1VQ -
RFQ
 ECAD 7901 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA TK16C60 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 15.8A (TA) 10V 190mohm @ 7.9a, 10V 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1350 pf @ 300 v - 130W (TC)
RN1905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1905FE, LF (Ct 0.2700
RFQ
 ECAD 458 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN1905 100MW ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
CMS16(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS16 (TE12L, Q, M) 0.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 CMS16 Schottky M-FLAT (2.4x3.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 3 a 200 µa @ 40 v -40 ° C ~ 150 ° C 3A -
CUS10I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CUS10I30A (TE85L, QM -
RFQ
 ECAD 5115 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-76, SOD-323 cus10i30 Schottky US-FLAT (1.25x2.5) 다운로드 rohs 준수 cus10i30a (te85lqm 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 390 MV @ 700 MA 60 µa @ 30 v 150 ° C (°) 1A 50pf @ 10V, 1MHz
TPCA8003-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8003-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 4120 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPCA8003 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35A (TA) 4.5V, 10V 6.6mohm @ 18a, 10V 2.3v @ 1ma 25 nc @ 10 v ± 20V 1465 pf @ 10 v - 1.6W (TA), 45W (TC)
TK9P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK9P65W, RQ 0.8760
RFQ
 ECAD 2610 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Tk9p65 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 650 v 9.3A (TA) 10V 560mohm @ 4.6a, 10V 3.5V @ 350µA 20 nc @ 10 v ± 30V 700 pf @ 300 v - 80W (TC)
2SJ380(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ380 (F) -
RFQ
 ECAD 1045 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SJ380 MOSFET (금속 (() TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 12A (TA) 4V, 10V 210mohm @ 6a, 10V 2V @ 1mA 48 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 10 v - 35W (TC)
RN2971(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2971 (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2971 200MW US6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 10kohms -
SSM6J409TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J409TU (TE85L, f -
RFQ
 ECAD 3544 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSV 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 SSM6J409 MOSFET (금속 (() UF6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 9.5A (TA) 1.5V, 4.5V 22.1MOHM @ 3A, 4.5V 1V @ 1mA 15 nc @ 4.5 v ± 8V 1100 pf @ 10 v - 1W (TA)
TPH7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R506NH, L1Q 1.4700
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPH7R506 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 22A (TA) 10V 7.5mohm @ 11a, 10V 4V @ 300µA 31 NC @ 10 v ± 20V 2320 pf @ 30 v - 1.6W (TA), 45W (TC)
TPCC8002-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8002-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 2576 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSV-H 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 TPCC8002 MOSFET (금속 (() 8 3 3. (3.3x3.3) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 22A (TA) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 11a, 10V 2.5V @ 1mA 27 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 10 v - 700MW (TA), 30W (TC)
TPCP8407,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8407, LF 0.7400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 8-smd,, 리드 TPCP8407 MOSFET (금속 (() 690MW (TA) PS-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 264-TPCP8407LFCT 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 40V 5A (TA), 4A (TA) 36.3mohm @ 2.5a, 10v, 56.8mohm @ 2a, 10v 3V @ 1mA 11.8NC @ 10V, 18NC @ 10V 505pf @ 10v, 810pf @ 10v -
TPCA8A02-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8A02-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 8734 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSV-H 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPCA8A02 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 34A (TA) 4.5V, 10V 5.3mohm @ 17a, 10V 2.3v @ 1ma 36 nc @ 10 v ± 20V 3430 pf @ 10 v - 1.6W (TA), 45W (TC)
SSM3J358R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J358R, LF 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSVII 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 SSM3J358 MOSFET (금속 (() SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6A (TA) 1.8V, 8V 22.1MOHM @ 6A, 8V 1V @ 1mA 38.5 nc @ 8 v ± 10V 1331 pf @ 10 v - 1W (TA)
2SC4793,YHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, YHF (J. -
RFQ
 ECAD 4612 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SC4793 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µA (ICBO) NPN 1.5V @ 50MA, 500MA 100 @ 100ma, 5V 100MHz
RN1705,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1705, LF 0.3000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1705 200MW USV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
RN2964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2964FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 1932 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN2964 100MW ES6 - 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 47kohms 47kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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