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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f) 전류 전류 (ID) - 최대
2SC5066-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5066-O, LF -
RFQ
 ECAD 9564 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 2SC5066 100MW SSM - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 - 12V 30ma NPN 80 @ 10ma, 5V 7GHz 1dB @ 500MHz
BAS516,H3F Toshiba Semiconductor and Storage BAS516, H3F 0.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 BAS516 기준 ESC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.25 V @ 150 mA 3 ns 200 na @ 80 v 150 ° C (°) 250ma 0.35pf @ 0V, 1MHz
CMF04(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF04 (TE12L, Q, M) 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 CMF04 기준 M-FLAT (2.4x3.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 2.5 V @ 500 MA 100 ns 50 µa @ 800 v -40 ° C ~ 150 ° C 500ma -
2SA1987-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1987-O (Q) 3.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-3pl 2SA1987 180 w TO-3P (L) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0075 100 230 v 15 a 5µA (ICBO) PNP 3V @ 800ma, 8a 80 @ 1a, 5V 30MHz
2SA949-Y,ONK-1F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y, ONK-1F (J. -
RFQ
 ECAD 3985 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA949 800MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 150 v 50 MA 100NA (ICBO) PNP 800mv @ 1ma, 10a 70 @ 10ma, 5V 120MHz
2SK2847(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2847 (F) -
RFQ
 ECAD 1737 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 2SK2847 MOSFET (금속 (() to-3p (n)입니다 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 8A (TA) 10V 1.4ohm @ 4a, 10V 4V @ 1MA 58 NC @ 10 v ± 30V 2040 pf @ 25 v - 85W (TC)
RN2971FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2971FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 5969 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN2971 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 10kohms -
RN4906,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4906, LF 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4906 200MW US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7kohms 47kohms
RN2404,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2404, LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 7148 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2404 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 47 Kohms 47 Kohms
RN1304,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1304, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN1304 100MW SC-70 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
RN1311,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1311, LF 0.2200
RFQ
 ECAD 5946 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN1311 100MW SC-70 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 10 KOHMS
2SA1020-Y(T6FJT,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6FJT, AF -
RFQ
 ECAD 7274 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1020 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
TK7A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A45DA (STA4, Q, M) 1.4000
RFQ
 ECAD 5114 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK7A45 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 450 v 6.5A (TA) 10V 1.2ohm @ 3.3a, 10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 v ± 30V 540 pf @ 25 v - 35W (TC)
2SA1680(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680 (F, M) -
RFQ
 ECAD 5165 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1680 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 120 @ 100MA, 2V 100MHz
SSM6K516NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K516NU, LF 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-wdfn n 패드 SSM6K516 MOSFET (금속 (() 6-udfnb (2x2) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 6A (TA) 4.5V, 10V 46mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 100µa 2.5 NC @ 4.5 v +20V, -12V 280 pf @ 15 v - 1.25W (TA)
2SK3844(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3844 (Q) -
RFQ
 ECAD 6308 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SK3844 MOSFET (금속 (() TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 45A (TA) 10V 5.8mohm @ 23a, 10V 4V @ 1MA 196 NC @ 10 v ± 20V 12400 pf @ 10 v - 45W (TC)
TPH2R805PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R805PL, LQ 1.2000
RFQ
 ECAD 9118 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 45 v 100A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 50a, 10V 2.4V @ 500µA 73 NC @ 10 v ± 20V 5175 pf @ 22.5 v - 830MW (TA), 116W (TC)
TK8Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK8Q65W, S1Q 1.7200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK TK8Q65 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 650 v 7.8A (TA) 10V 670mohm @ 3.9a, 10V 3.5V @ 300µA 16 nc @ 10 v ± 30V 570 pf @ 300 v - 80W (TC)
TK80S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK80S04K3L (T6L1, NQ -
RFQ
 ECAD 4801 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u- 모시브 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK80S04 MOSFET (금속 (() DPAK+ - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 80A (TA) 6V, 10V 3.1mohm @ 40a, 10V 3V @ 1mA 87 NC @ 10 v ± 20V 4340 pf @ 10 v - 100W (TC)
TK6A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Tk6a45da (STA4, Q, M) 1.2500
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK6A45 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 450 v 5.5A (TA) 10V 1.35ohm @ 2.8a, 10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 v ± 30V 490 pf @ 25 v - -
RN1411,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1411, LF 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1411 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 10 KOHMS
TK7A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk7a55d (sta4, q, m) 1.6000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK7A55 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 550 v 7A (TA) 10V 1.25ohm @ 3.5a, 10V 4.4V @ 1mA 16 nc @ 10 v ± 30V 700 pf @ 25 v - 35W (TC)
TPC8A05-H(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A05-H (TE12L, QM -
RFQ
 ECAD 6243 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSV-H 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TPC8A05 MOSFET (금속 (() 8-SOP (5.5x6.0) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 13.3MOHM @ 5A, 10V 2.3v @ 1ma 15 nc @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 10 v Schottky Diode (Body) 1W (TA)
MT3S113P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113P (TE12L, F) 0.9900
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA MT3S113 1.6W PW- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1,000 10.5dB 5.3v 100ma NPN 200 @ 30ma, 5V 7.7GHz 1GHz 1.45dB
TTA008B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTA008B, q 0.6600
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 쟁반 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 1.5 w TO-126N 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 250 80 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 1a 100 @ 500ma, 2v 100MHz
RN2313,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2313, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 4580 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN2313 100MW SC-70 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 47 Kohms
TPC6113(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6113 (TE85L, F, M) -
RFQ
 ECAD 4053 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 TPC6113 MOSFET (금속 (() VS-6 (2.9x2.8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 5A (TA) 2.5V, 4.5V 55mohm @ 2.5a, 4.5v 1.2V @ 200µA 10 nc @ 5 v ± 12V 690 pf @ 10 v - 700MW (TA)
2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-Y (TE85L, F) 0.4900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK208 100MW S- 미니 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 8.2pf @ 10V 50 v 1.2 ma @ 10 v 400 mV @ 100 NA 6.5 MA
2SA1930(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930 (Q, M) -
RFQ
 ECAD 3597 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SA1930 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 500 180 v 2 a 5µA (ICBO) PNP 1V @ 100MA, 1A 100 @ 100ma, 5V 200MHz
HN4D02JU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4D02JU (TE85L, F) 0.0721
RFQ
 ECAD 5848 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 HN4D02 기준 USV 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 1.6 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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