SIC
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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
RN2101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2101ACT(TPL3) -
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 ECAD 7160 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN2101 100mW CST3 - 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 80mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 4.7kΩ 4.7kΩ
2SC5096-R,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5096-R,LF -
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 ECAD 8066 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 2SC5096 100mW SSM - 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 1.4dB 10V 15mA NPN 50 @ 7mA, 6V 10GHz 1.4dB @ 1GHz
TK090U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK090U65Z,RQ 5.5000
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSVI 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 8-PowerSFN MOSFET(금속) 힘 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 650V 30A(타) 10V 90m옴 @ 15A, 10V 4V @ 1.27mA 47nC @ 10V ±30V 300V에서 2780pF - 230W(Tc)
2SA2154CT-GR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154CT-GR,L3F 0.3200
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-101, SOT-883 2SA2154 100mW CST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
RN2711(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2711(TE85L,F) -
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 ECAD 1334 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2711 200mW 5-SSOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA, 5mA에서 300mV 400 @ 1mA, 5V 200MHz 10kΩ -
2SC4793,YHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793,YHF(J -
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 ECAD 4612 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC4793 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 230V 1A 1μA(ICBO) NPN 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 100MHz
2SC5095-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5095-R(TE85L,F) -
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 ECAD 9694 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SC5095 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 13dB ~ 7.5dB 10V 15mA NPN 50 @ 7mA, 6V 10GHz 1.8dB @ 2GHz
2SC3665-Y(T2NSW,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3665-Y(T2NSW,FM -
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 ECAD 1068 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-71 2SC3665 1W MSTM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
RN1973(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1973(TE85L,F) 0.0753
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1973 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V - 47k옴 -
RN4907(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4907(T5L,F,T) -
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 ECAD 8660 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4907 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10kΩ 47k옴
RN2314(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2314(TE85L,F) 0.2800
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2314 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 50 @ 10mA, 5V 200MHz 1kΩ 10kΩ
2SC5354,TOJSQ(O Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5354,TOJSQ(O -
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 ECAD 2914 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 활동적인 2SC5354 다운로드 RoHS 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0095 50
SSM3K35MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35MFV(TPL3) -
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 ECAD 8872 0.00000000 도시바 및 저장 π-모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-723 SSM3K35 MOSFET(금속) 베스엠 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 N채널 20V 180mA(타) 1.2V, 4V 3옴 @ 50mA, 4V 1V @ 1mA ±10V 9.5pF @ 3V - 150mW(타)
TK10A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60W,S4VX 2.7800
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK10A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 9.7A(타) 10V 380m옴 @ 4.9A, 10V 500μA에서 3.7V 20nC @ 10V ±30V 300V에서 700pF - 30W(Tc)
2SJ438(CANO,A,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438(카노,A,Q) -
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 ECAD 6374 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SJ438 TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 5A(티제이)
RN1117(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1117(T5L,F,T) -
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 ECAD 6824 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1117 100mW SSM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 4.7kΩ
2SA1931,SINFQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931,SINFQ(J -
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 ECAD 1785년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1931 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 50V 5A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 200mA, 2A 100 @ 1A, 1V 60MHz
2SC4793,YHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793,YHF(M -
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 ECAD 9650 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC4793 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 230V 1A 1μA(ICBO) NPN 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 100MHz
TPCF8402(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8402(TE85L,F,M -
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 ECAD 3491 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TPCF8402 MOSFET(금속) 330mW VS-8(2.9x1.5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 N 및 P 채널 30V 4A, 3.2A 50m옴 @ 2A, 10V 2V @ 1mA 10nC @ 10V 470pF @ 10V 게임 레벨 레벨
2SC2229-Y(T6MIT1FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y(T6MIT1FM -
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 ECAD 1667년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2229 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) 2SC2229YT6MIT1FM EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 70 @ 10mA, 5V 120MHz
TK8A10K3,S5Q Toshiba Semiconductor and Storage TK8A10K3,S5Q -
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 ECAD 5357 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK8A10 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 8A(타) 10V 120m옴 @ 4A, 10V 4V @ 1mA 12.9nC @ 10V ±20V 10V에서 530pF - 18W(Tc)
2SC5886A,L1XHQ(O Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5886A,L1XHQ(O -
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 ECAD 7632 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 2SC5886 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000
RN1971TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1971TE85LF 0.0618
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 ECAD 6883 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1971 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 250MHz 10kΩ -
2SC2229-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O(TE6,F,M) -
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 ECAD 6227 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2229 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 70 @ 10mA, 5V 120MHz
HN1C01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01F-GR(TE85L,F -
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 ECAD 7146 0.00000000 도시바 및 저장 - 컷테이프(CT) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 HN1C01 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 800MHz
1SS360(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS360(T5L,F,T) -
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 ECAD 2413 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-75, SOT-416 1SS360 기준 SSM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍 구역 80V 100mA 1.2V @ 100mA 4ns 80V에서 500nA 125°C(최대)
TK8Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8Q60W,S1VQ 2.4800
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 ECAD 7622 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 스텁 레코드, IPak TK8Q60 MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 75 N채널 600V 8A(타) 10V 500m옴 @ 4A, 10V 400μA에서 3.7V 18.5nC @ 10V ±30V 300V에서 570pF - 80W(Tc)
RN2109,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2109,LF(CT 0.2000
보상요청
 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2109 100mW SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 200MHz 47kΩ 22kΩ
2SC4915-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4915-Y,LF 0.4400
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 ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 2SC4915 100mW SSM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 17dB ~ 23dB 30V 20mA NPN 100@1mA, 6V 550MHz 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz
TK15A60U(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK15A60U(STA4,Q,M) -
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 ECAD 1261 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSII 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK15A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 15A(타) 10V 300m옴 @ 7.5A, 10V 5V @ 1mA 17nC @ 10V ±30V 10V에서 950pF - 40W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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