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불연속 불연속 제품 (2909)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
2SA1962-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1962-O (Q) -
RFQ
 ECAD 6598 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 쟁반 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 2SA1962 130 W. TO-3P (N) 다운로드 rohs 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0075 50 230 v 15 a 5µA (ICBO) PNP 3V @ 800ma, 8a 80 @ 1a, 5V 30MHz
CRG05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG05 (TE85L, Q, M) 0.4600
RFQ
 ECAD 6290 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F CRG05 기준 S-FLAT (1.6x3.5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 800 v 1.2 v @ 1 a 10 µa @ 800 v -40 ° C ~ 150 ° C 1A -
2SC3225,T6ALPSF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3225, T6ALPSF (m -
RFQ
 ECAD 8797 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC3225 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 40 v 2 a 10µA (ICBO) NPN 500mv @ 1ma, 300ma 500 @ 400ma, 1V 220MHz
2SC5930(T2MITUM,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5930 (T2Mitum, FM -
RFQ
 ECAD 5521 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-71 2SC5930 1 W. MSTM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 600 v 1 a 100µA (ICBO) NPN 1V @ 75MA, 600MA 40 @ 200ma, 5V -
RN2114(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2114 (TE85L, F) 0.2800
RFQ
 ECAD 5009 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN2114 100MW SSM 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 200MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
TK090U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK090U65Z, RQ 5.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 8-Powersfn MOSFET (금속 (() 희생 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 650 v 30A (TA) 10V 90mohm @ 15a, 10V 4V @ 1.27ma 47 NC @ 10 v ± 30V 2780 pf @ 300 v - 230W (TC)
2SC3665-Y,T2YNSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3665-Y, T2YNSF (J. -
RFQ
 ECAD 2332 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-71 2SC3665 1 W. MSTM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 120 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 80 @ 100MA, 5V 120MHz
TPCA8009-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8009-H (TE12L, Q -
RFQ
 ECAD 7100 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPCA8009 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 7A (TA) 10V 350mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 1MA 10 nc @ 10 v ± 20V 600 pf @ 10 v - 1.6W (TA), 45W (TC)
RN4982FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4982FE, LF (Ct 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN4982 100MW ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
2SC6026CT-GR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026CT-GR, L3F 0.3700
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 2SC6026 100MW CST3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 200 @ 2ma, 6v 60MHz
2SD2206(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206 (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 7464 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SD2206 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 100 v 2 a 10µA (ICBO) NPN 1.5v @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 2v 100MHz
2SA1315-Y,T6ASNF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1315-Y, T6ASNF (J. -
RFQ
 ECAD 7868 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1315 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 80 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 80MHz
2SD1223(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1223 (TE16L1, NQ) 0.9000
RFQ
 ECAD 1484 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SD1223 1 W. PW-Mold 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 80 v 4 a 20µA (ICBO) npn-달링턴 1.5V @ 6MA, 3A 1000 @ 3A, 2V -
RN2965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2965FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 7583 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN2965 100MW ES6 - 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 2.2kohms 47kohms
2SC5095-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5095-R (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 9694 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SC5095 100MW SC-70 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 13dB ~ 7.5dB 10V 15MA NPN 50 @ 7ma, 6V 10GHz 1.8db @ 2GHz
RN2412,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2412, LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 2650 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2412 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 22 KOHMS
RN2307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2307 (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 3221 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN2307 100MW SC-70 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 10 KOHMS 47 Kohms
SSM3J35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35CTC, L3F 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSVII 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 SSM3J35 MOSFET (금속 (() CST3C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 250MA (TA) 1.2V, 4.5V 1.4ohm @ 150ma, 4.5v 1V @ 100µA ± 10V 42 pf @ 10 v - 500MW (TA)
CMH08(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH08 (TE12L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 9412 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOD-128 CMH08 기준 M-FLAT (2.4x3.8) 다운로드 rohs 준수 CMH08 (TE12LQM) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 2 a 100 ns 10 µa @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C 2A -
RN4910,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4910, LF 0.2800
RFQ
 ECAD 7429 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4910 200MW US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 4.7kohms -
2SA1930,CKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930, CKQ (J. -
RFQ
 ECAD 9881 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SA1930 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µA (ICBO) PNP 1V @ 100MA, 1A 100 @ 100ma, 5V 200MHz
TW048N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW048N65C, S1F 16.3200
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 40A (TC) 18V 65mohm @ 20a, 18V 5V @ 1.6MA 41 NC @ 18 v +25V, -10V 1362 pf @ 400 v - 132W (TC)
2SA1931,BOSCHQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931, BOSCHQ (J. -
RFQ
 ECAD 2292 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SA1931 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 50 v 5 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 200ma, 2a 100 @ 1a, 1v 60MHz
RN1705JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1705JE (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 769 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-553 RN1705 100MW ESV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (이중 이중) (이미 터 커플 링) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
RN1414,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1414, LF 0.1900
RFQ
 ECAD 4137 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1414 200 MW S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
TPCA8010-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8010-H (TE12L, q -
RFQ
 ECAD 9297 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosv 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPCA8010 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 5.5A (TA) 10V 450mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 1MA 10 nc @ 10 v ± 20V 600 pf @ 10 v - 1.6W (TA), 45W (TC)
RN1971FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1971FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 2787 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN1971 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 10kohms -
RN2402S,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage RN2402S, LF (d -
RFQ
 ECAD 4226 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2402 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) RN2402SLF (d 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 200MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
2SC2705-O(TPE6,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2705-O (TPE6, F) -
RFQ
 ECAD 4015 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2705 800MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 150 v 50 MA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 1MA, 10MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz
RN2107MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2107MFV, L3F (Ct 0.1800
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN2107 150 MW VESM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 10 KOHMS 47 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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