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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 그들 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 내구성 인증(암페어) 테스트 조건 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 Td(켜기/끄기) @ 25°C 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RN2113,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2113,LXHF(CT 0.0624
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 ECAD 9067 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2113 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 200MHz 47kΩ
SSM3J358R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J358R,LF 0.4700
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 SSM3J358 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 6A(타) 1.8V, 8V 22.1m옴 @ 6A, 8V 1V @ 1mA 38.5nC @ 8V ±10V 10V에서 1331pF - 1W(타)
GT40WR21,Q Toshiba Semiconductor and Storage GT40WR21,Q 11.0200
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 ECAD 7358 0.00000000 도시바 및 저장 - 쟁반 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 기준 375W TO-3P(엔) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 100 - - 1350V 40A 80A 5.9V @ 15V, 40A - -
TPH7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R506NH,L1Q 1.4700
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 ECAD 26 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPH7R506 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 60V 22A(타) 10V 7.5m옴 @ 11A, 10V 300μA에서 4V 31nC @ 10V ±20V 30V에서 2320pF - 1.6W(Ta), 45W(Tc)
RN2308(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2308(TE85L,F) 0.2700
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2308 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22kΩ 47kΩ
TK7P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7P60W,RVQ 1.8400
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 ECAD 9031 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK7P60 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 600V 7A(타) 10V 600m옴 @ 3.5A, 10V 3.7V @ 350μA 15nC @ 10V ±30V 300V에서 490pF - 60W(Tc)
TK13A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A45D(STA4,Q,M) 2.4700
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 ECAD 9513 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK13A45 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 450V 13A(타) 10V 460m옴 @ 6.5A, 10V 4V @ 1mA 25nC @ 10V ±30V 1350pF @ 25V - 45W(Tc)
CUHS20F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20F30,H3F 0.3600
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 ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 CUHS20 쇼트키 US2H 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 470mV @ 2A 30V에서 60μA 150°C(최대) 2A 380pF @ 0V, 1MHz
TTB1020B,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TTB1020B,S4X(S -
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 ECAD 8142 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 활동적인 TTB1020 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50
HN2D02FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2D02FU,LF 0.4000
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 ECAD 310 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN2D02 기준 US6 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 3면 80V 80mA 1.2V @ 100mA 4ns 80V에서 500nA 125°C(최대)
SSM3K361R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361R,LXHF 0.6400
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 100V 3.5A(타) 4.5V, 10V 69m옴 @ 2A, 10V 100μA에서 2.5V 3.2nC @ 4.5V ±20V 15V에서 430pF - 1.2W(타)
2SC6042,T2WNLQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6042,T2WNLQ(J -
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 ECAD 6294 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-71 2SC6042 1W MSTM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 375V 1A 100μA(ICBO) NPN 1V @ 100mA, 800mA 100 @ 100mA, 5V -
2SA1761,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1761,T6F(J -
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 ECAD 8513 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1761 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 3A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 75mA, 1.5A 120 @ 100mA, 2V 100MHz
2SC2655-Y(T6CN,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y(T6CN,A,F -
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 ECAD 8602 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2655 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN4983,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983,LXHF(CT 0.4400
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4983 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 22k옴 22k옴
TPC6901(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6901(TE85L,F,M) -
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 ECAD 6955 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 TPC6901 400mW VS-6(2.9x2.8) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 1A, 700mA 100nA(ICBO) NPN, PNP 170mV @ 6mA, 300mA / 230mV @ 10mA, 300mA 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V -
1SS403E,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS403E,L3F 0.3200
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-79, SOD-523 1SS403 기준 ESC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 8,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 200V 1.2V @ 100mA 60ns 200V에서 1μA 150°C(최대) 100mA 3pF @ 0V, 1MHz
CMZ20(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ20(TE12L,Q,M) 0.5400
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±10% -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-128 CMZ20 2W M플랫(2.4x3.8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0050 3,000 1.2V @ 200mA 10μA @ 14V 20V 30옴
TPN1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1110ENH,L1Q 1.6800
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 ECAD 1291 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPN1110 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 200V 7.2A(타) 10V 114m옴 @ 3.6A, 10V 4V @ 200μA 7nC @ 10V ±20V 100V에서 600pF - 700mW(Ta), 39W(Tc)
TK040N65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK040N65Z,S1F 11.2700
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 ECAD 300 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-247-3 TK040N65 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 57A(타) 10V 40m옴 @ 28.5A, 10V 4V @ 2.85mA 105nC @ 10V ±30V 300V에서 6250pF - 360W(Tc)
TK25V60X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25V60X5,LQ 5.0300
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 ECAD 8257 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 4-VSFN 옆형 패드 MOSFET(금속) 4-DFN-EP(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 25A(타) 10V 150m옴 @ 7.5A, 10V 4.5V @ 1.2mA 60nC @ 10V ±30V 300V에서 2400pF - 180W(Tc)
SSM6J213FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J213FE(TE85L,F 0.4700
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 ECAD 8736 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6J213 MOSFET(금속) ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 P채널 20V 2.6A(타) 1.5V, 4.5V 103m옴 @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1mA 4.7nC @ 4.5V ±8V 10V에서 290pF - 500mW(타)
TK16A60W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK16A60W,S4X 2.3741
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 ECAD 4531 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK16A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TK16A60WS4X EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 15.8A(타) 10V 190m옴 @ 7.9A, 10V 790μA에서 3.7V 40nC @ 10V ±30V 300V에서 1350pF - 40W(Tc)
SSM6J503NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J503NU,LF 0.4600
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-WDFN옆패드 SSM6J503 MOSFET(금속) 6-UDFNB(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 6A(타) 1.5V, 4.5V 32.4m옴 @ 3A, 4.5V 1V @ 1mA 12.8nC @ 10V ±8V 10V에서 840pF - 1W(타)
SSM6P47NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P47NU,LF 0.4200
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-WDFN옆패드 SSM6P47 MOSFET(금속) 1W 6-μDFN(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 20V 4A 95m옴 @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1mA 4.6nC @ 4.5V 290pF @ 10V 게임 레벨 레벨
RN2306,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2306,LF 0.1900
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 ECAD 2146 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2306 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 47kΩ
TPCA8009-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8009-H(TE12L,Q -
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 ECAD 7100 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8009 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 150V 7A(타) 10V 350m옴 @ 3.5A, 10V 4V @ 1mA 10nC @ 10V ±20V 10V에서 600pF - 1.6W(Ta), 45W(Tc)
2SK2962,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962,T6F(M -
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 ECAD 4332 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SK2962 TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 1A(티제이)
TK4A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4A80E,S4X 1.2300
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 ECAD 9274 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 800V 4A(타) 10V 3.5옴 @ 2A, 10V 4V @ 400μA 15nC @ 10V ±30V 25V에서 650pF - 35W(Tc)
3SK294(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK294(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 12.5V 표면 실장 SC-82A, SOT-343 3SK294 500MHz MOSFET USQ 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30mA 10mA - 26dB 1.4dB 6V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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