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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 출력(V(BR)GSS) - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f) 소스 소스(Id) - 최대
CMZ16(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ16(TE12L,Q,M) 0.5400
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 ECAD 4384 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±10% -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-128 CMZ16 2W M플랫(2.4x3.8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0050 3,000 1.2V @ 200mA 11V에서 10μA 16V 30옴
TK14C65W5,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK14C65W5,S1Q -
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 ECAD 2691 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA TK14C65 MOSFET(금속) I2PAK 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 13.7A(타) 10V 300m옴 @ 6.9A, 10V 690μA에서 4.5V 40nC @ 10V ±30V 300V에서 1300pF - 130W(Tc)
SSM6N17FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N17FU(TE85L,F) 0.4900
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 ECAD 14 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N17 MOSFET(금속) 200mW(타) US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 50V 100mA(타) 20옴 @ 10mA, 4V 1.5V @ 1μA - 7pF @ 3V -
TK9P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK9P65W,RQ 0.8760
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 ECAD 2610 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK9P65 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 650V 9.3A(타) 10V 560m옴 @ 4.6A, 10V 3.5V @ 350μA 20nC @ 10V ±30V 300V에서 700pF - 80W(Tc)
RN2908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2908,LXHF(CT 0.4400
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2908 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22k옴 47k옴
2SC5087R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5087R(TE85L,F) 0.1270
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-61AA 2SC5087 150mW SMQ - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 - 12V 80mA NPN 120 @ 20mA, 10V 8GHz 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz
TK3R3E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R3E08QM,S1X 2.3500
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 ECAD 82 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSX-H 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 80V 120A(Tc) 6V, 10V 3.3m옴 @ 50A, 10V 3.5V @ 1.3mA 110nC @ 10V ±20V 40V에서 7670pF - 230W(Tc)
RN4984,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984,LXHF(CT 0.4400
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4984 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 47k옴 47k옴
RN1105MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1105MFV,L3F(CT 0.1800
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 ECAD 38 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1105 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 2.2kΩ 47kΩ
CBS10F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS10F40,L3F 0.4300
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 ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-882 CBS10F40 쇼트키 CST2B 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 700mV @ 1A 40V에서 20μA 150°C(최대) 1A 74pF @ 0V, 1MHz
TK3P80E,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK3P80E,RQ 1.1500
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 ECAD 4414 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 800V 3A(타) 10V 4.9옴 @ 1.5A, 10V 300μA에서 4V 12nC @ 10V ±30V 25V에서 500pF - 80W(Tc)
RN1965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1965FE(TE85L,F) 0.1000
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 ECAD 20 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1965 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2k옴 47k옴
RN4991(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4991(T5L,F,T) 0.0394
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4991 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100μA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 250MHz, 200MHz 10k옴 -
RN2970FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2970FE(TE85L,F) -
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 ECAD 8747 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2970 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 200MHz 4.7k옴 10k옴
RN1511(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1511(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74A, SOT-753 RN1511 300mW SMV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 250MHz 10k옴 -
2SK3320-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3320-BL(TE85L,F 0.7500
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 ECAD 72 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 2SK3320 200mW USV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 13pF @ 10V 10V에서 6mA 200mV @ 100nA
TPCC8136.LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8136.LQ -
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 ECAD 7165 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPCC8136 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) - 1(무제한) 264-TPCC8136.LQTR EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 9.4A(타) 1.8V, 4.5V 16m옴 @ 9.4A, 4.5V 1.2V @ 1mA 36nC @ 5V ±12V 2350pF @ 10V - 700mW(Ta), 18W(Tc)
TTA1943(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTA1943(Q) 2.7000
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 ECAD 567 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3PL TTA1943 150W TO-3P(L) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 100 230V 15A 5μA(ICBO) PNP 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1A, 5V 30MHz
2SA1721OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1721OTE85LF 0.1207
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 ECAD 5444 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1721 150mW S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 300V 100mA 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 2mA, 20mA 30 @ 20mA, 10V 50MHz
TK25A20D,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK25A20D,S5X 1.7900
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 ECAD 40 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 200V 25A(타) 10V 70m옴 @ 12.5A, 10V 3.5V @ 1mA 60nC @ 10V ±20V 100V에서 2550pF - 45W(Tc)
CUS05F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS05F40,H3F 0.3000
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-76, SOD-323 CUS05F40 쇼트키 USC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 500mA에서 810mV 40V에서 15μA 150°C(최대) 500mA 28pF @ 0V, 1MHz
CMS30I30A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS30I30A(TE12L,QM 0.5900
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 CMS30 쇼트키 M플랫(2.4x3.8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 490mV @ 3A 30V에서 100μA 150°C(최대) 3A 82pF @ 10V, 1MHz
2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-Y(TE85L,F) 0.4900
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 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK208 100mW S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 8.2pF @ 10V 50V 1.2mA @ 10V 400mV @ 100nA 6.5mA
RN2412,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2412,LXHF 0.0645
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 ECAD 2650 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2412 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 200MHz 22kΩ
2SC4207-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4207-GR(TE85L,F 0.3500
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 ECAD 41 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-74A, SOT-753 2SC4207 300mW SMV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 섹션 이미터 250mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
RN2109CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2109CT(TPL3) -
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 ECAD 8190 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN2109 50mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 100 @ 10mA, 5V 47kΩ 22kΩ
SSM3K35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35CTC,L3F 0.3200
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 ECAD 109 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-101, SOT-883 SSM3K35 MOSFET(금속) CST3C 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 20V 250mA(타) 1.2V, 4.5V 1.1옴 @ 150mA, 4.5V 1V @ 100μA 0.34nC @ 4.5V ±10V 10V에서 36pF - 500mW(타)
2SA1020-O(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O(F,M) -
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 ECAD 4526 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1020 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN2107MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2107MFV,L3F(CT 0.1800
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 ECAD 16 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2107 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 10kΩ 47kΩ
2SA1362-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1362-GR,LF 0.4000
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 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1362 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 15V 800mA 100nA(ICBO) PNP 200mV @ 8mA, 400mA 200 @ 100mA, 1V 120MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

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    전세계 제조업체

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