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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 현재 - 최대 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 저항 @ If, F 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
2SC6026CT-GR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026CT-GR,L3F 0.3700
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 ECAD 42 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-101, SOT-883 2SC6026 100mW CST3 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 60MHz
RN4983FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983FE,LF(CT 0.2700
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4983 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22k옴 22k옴
2SD2695(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695(T6CANO,F,M -
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 ECAD 9371 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SD2695 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 60V 2A 10μA(ICBO) NPN 1.5V @ 1mA, 1A 2000 @ 1A, 2V 100MHz
RN1911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1911(T5L,F,T) -
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 ECAD 2298 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1911 100mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz 4.7kΩ -
RN1416,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1416,LF 0.2000
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1416 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 10kΩ
2SA1313-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1313-Y,LF 0.3400
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1313 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 500mA 100nA(ICBO) PNP 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 100mA, 1V 200MHz
2SC2705-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2705-O(TE6,F,M) -
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 ECAD 6177 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2705 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 150V 50mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 1mA, 10mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz
RN2103(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2103(T5L,F,T) 0.2800
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2103 100mW SSM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22kΩ 22kΩ
TPN2R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R203NC,L1Q 1.2200
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 ECAD 19 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPN2R203 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 45A(Tc) 10V 2.2m옴 @ 22.5A, 10V 500μA에서 2.3V 34nC @ 10V ±20V 2230pF @ 15V - 700mW(Ta), 42W(Tc)
1SS374(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS374(TE85L,F) 0.3700
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS374 쇼트키 SC-59 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍 직렬 연결 10V 100mA 500mV @ 100mA 10V에서 20μA 125°C(최대)
RN2908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2908FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2908 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22k옴 47k옴
TPCP8203(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCPP8203(TE85L,F) -
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 ECAD 5326 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TCPP8203 MOSFET(금속) 360mW PS-8(2.9x2.4) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 40V 4.7A - 2.5V @ 1mA - - -
1SS315[U/D] Toshiba Semiconductor and Storage 1SS315[U/D] -
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 ECAD 3369 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) SC-76, SOD-323 USC 다운로드 1(무제한) 264-1SS315[U/D]TR EAR99 8541.10.0070 3,000 30mA 0.06pF @ 200mV, 1MHz 쇼트키 - Single 5V -
TK8A10K3,S5Q Toshiba Semiconductor and Storage TK8A10K3,S5Q -
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 ECAD 5357 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK8A10 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 8A(타) 10V 120m옴 @ 4A, 10V 4V @ 1mA 12.9nC @ 10V ±20V 10V에서 530pF - 18W(Tc)
TPC8A06-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A06-H(TE12LQM) -
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 ECAD 8606 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) TPC8A06 MOSFET(금속) 8-SOP(5.5x6.0) 다운로드 1(무제한) TPC8A06HTE12LQM EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 12A(타) 4.5V, 10V 10.1m옴 @ 6A, 10V 2.3V @ 1mA 19nC @ 10V ±20V 10V에서 1800pF 쇼트키 다이오드(본체) -
CLH05(T6L,NKOD,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH05(T6L,NKOD,Q) -
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 ECAD 1913년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 L-플랫™ CLH05 기준 L-FLAT™(4x5.5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 200V 980mV @ 5A 35ns 200V에서 10μA -40°C ~ 150°C 5A -
RN2610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2610(TE85L,F) 0.4800
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN2610 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 4.7kΩ -
SSM3J325F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J325F,LF 0.4100
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 ECAD 17 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J325 MOSFET(금속) S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 2A(타) 1.5V, 4.5V 150m옴 @ 1A, 4.5V - 4.6nC @ 4.5V ±8V 10V에서 270pF - 600mW(타)
CLS03(TE16L,DNSO,Q Toshiba Semiconductor and Storage CLS03(TE16L,DNSO,Q -
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 ECAD 9888 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 L-플랫™ CLS03 쇼트키 L-FLAT™(4x5.5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 60V 580mV @ 10A 60V에서 1mA -40°C ~ 125°C 10A 345pF @ 10V, 1MHz
RN1902,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902,LXHF(CT 0.3600
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1902 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 10k옴 10k옴
TK45P03M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK45P03M1,RQ(S -
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 ECAD 5821 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVI-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK45P03 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 30V 45A(타) 4.5V, 10V 9.7m옴 @ 22.5A, 10V 2.3V @ 200μA 25nC @ 10V ±20V 1500pF @ 10V - -
RN1117(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1117(T5L,F,T) -
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 ECAD 6824 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1117 100mW SSM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 4.7kΩ
2SA949-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-O(TE6,F,M) -
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 ECAD 1856년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA949 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) PNP 800mV @ 1mA, 10A 70 @ 10mA, 5V 120MHz
2SD2257(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257(Q,M) -
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 ECAD 9334 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SD2257 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 100V 3A 10μA(ICBO) NPN 1.5V @ 1.5mA, 1.5A 2000 @ 2A, 2V -
SSM3J35MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35MFV,L3F 0.2300
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 ECAD 53 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-723 SSM3J35 MOSFET(금속) 베스엠 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 P채널 20V 100mA(타) 8옴 @ 50mA, 4V - 12.2pF @ 3V - 150mW(타)
TPH1R403NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R403NL,L1Q 1.5500
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPH1R403 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 60A(타) 4.5V, 10V 1.4m옴 @ 30A, 10V 500μA에서 2.3V 46nC @ 10V ±20V 4400pF @ 15V - 1.6W(Ta), 64W(Tc)
TK100S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L,LXHQ 1.7200
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 ECAD 8020 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK100S04 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 40V 100A(타) 4.5V, 10V 2.3m옴 @ 50A, 10V 500μA에서 2.5V 76nC @ 10V ±20V 5490pF @ 10V - 180W(Tc)
RN1903FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903FE,LF(CT 0.2500
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1903 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22k옴 22k옴
RN1971TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1971TE85LF 0.0618
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 ECAD 6883 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1971 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz 10k옴 -
RN1101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101,LF(CT 0.2000
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1101 100mW SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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