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불연속 불연속 제품 (2909)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
TK20J60U(F) Toshiba Semiconductor and Storage tk20J60U (F) -
RFQ
 ECAD 2851 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosii 쟁반 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 Tk20J60 MOSFET (금속 (() TO-3P (N) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 20A (TA) 10V 190mohm @ 10a, 10V 5V @ 1MA 27 NC @ 10 v ± 30V 1470 pf @ 10 v - 190W (TC)
2SK3670,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3670, F (J. -
RFQ
 ECAD 2775 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SK3670 TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 670MA (TJ)
HN2S03T(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage HN2S03T ​​(TE85L) -
RFQ
 ECAD 3763 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 4-SMD,, 리드 HN2S03 Schottky TESQ - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 20 v 50ma 550 mV @ 50 ma 500 na @ 20 v 125 ° C (°)
CMH04(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH04 (TE12L, Q, M) 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 CMH04 기준 M-FLAT (2.4x3.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 980 MV @ 1 a 35 ns 10 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C 1A -
2SK2989(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989 (T6Cano, A, f -
RFQ
 ECAD 8088 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SK2989 TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 5A (TJ)
TPH3R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R003PL, LQ 0.9900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPH3R003 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 88A (TC) 4.5V, 10V 4.2MOHM @ 44A, 4.5V 2.1V @ 300µA 50 nc @ 10 v ± 20V 3825 pf @ 15 v - 90W (TC)
RN1101CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1101CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 2343 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN1101 50 MW CST3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 MA 500NA npn-사전- 150mv @ 250µa, 5mA 30 @ 10ma, 5V 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TK22V65X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK22V65X5, LQ 5.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv-h 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 4-vSfn s 패드 MOSFET (금속 (() 4-DFN-EP (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 22A (TA) 10V 170mohm @ 11a, 10V 4.5V @ 1.1MA 50 nc @ 10 v ± 30V 2400 pf @ 300 v - 180W (TC)
CMZ16(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ16 (TE12L, Q, M) 0.5400
RFQ
 ECAD 4384 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-128 CMZ16 2 w M-FLAT (2.4x3.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 11 v 16 v 30 옴
RN2709,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2709, LF 0.3100
RFQ
 ECAD 8528 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2709 200MW USV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 200MHz 47kohms 22kohms
GT50JR21(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage gt50jr21 (sta1, e, s) 4.7900
RFQ
 ECAD 6501 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 기준 230 w TO-3P (N) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 264-GT50JR21 (STA1ES) 귀 99 8541.29.0095 25 - - 600 v 50 a 100 a 2V @ 15V, 50A - -
2SC4207-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4207-Y (TE85L, F) 0.3500
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 2SC4207 300MW SMV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 npn ((() 일치 한 쌍, 공통 이미 터 250mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 80MHz
SSM3J140TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J140TU, LF 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 3-smd,, 리드 SSM3J140 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 4.4A (TA) 1.5V, 4.5V 25.8mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 1mA 24.8 nc @ 4.5 v +6V, -8V 1800 pf @ 10 v - 500MW (TA)
SSM3K318R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K318R, LF 0.4300
RFQ
 ECAD 710 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u- 모시브 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 SSM3K318 MOSFET (금속 (() SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 2.5A (TA) 4.5V, 10V 107mohm @ 2a, 10v 2.8V @ 1MA 7 nc @ 10 v ± 20V 235 pf @ 30 v - 1W (TA)
TK14E65W5,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK14E65W5, S1X 3.0200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TK14E65 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 13.7A (TA) 10V 300mohm @ 6.9a, 10V 4.5V @ 690µA 40 nc @ 10 v ± 30V 1300 pf @ 300 v - 130W (TC)
RN1113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1113CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 5999 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN1113 50 MW CST3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 150mv @ 250µa, 5mA 300 @ 1ma, 5V 47 Kohms
RN2314(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2314 (TE85L, F) 0.2800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN2314 100MW SC-70 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 200MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
SSM3K7002CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002CFU, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosvii-h 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 SSM3K7002 MOSFET (금속 (() USM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 170ma (TA) 4.5V, 10V 3.9ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.35 nc @ 4.5 v ± 20V 17 pf @ 10 v - 150MW (TA)
RN2313,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2313, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 4580 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN2313 100MW SC-70 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 47 Kohms
TK4A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk4a60d (sta4, q, m) -
RFQ
 ECAD 6275 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK4A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 4A (TA) 10V 1.7ohm @ 2a, 10V 4.4V @ 1mA 12 nc @ 10 v ± 30V 600 pf @ 25 v - 35W (TC)
TK8A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK8A65W, S5X 1.7800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 tk8a65 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 7.8A (TA) 10V 650mohm @ 3.9a, 10V 3.5V @ 300µA 16 nc @ 10 v ± 30V 570 pf @ 300 v - 30W (TC)
2SJ380(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ380 (F) -
RFQ
 ECAD 1045 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SJ380 MOSFET (금속 (() TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 12A (TA) 4V, 10V 210mohm @ 6a, 10V 2V @ 1mA 48 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 10 v - 35W (TC)
2SK2962,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962, T6f (m -
RFQ
 ECAD 4332 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SK2962 TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 1A (TJ)
RN1417(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1417 (TE85L, F) 0.3500
RFQ
 ECAD 384 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1417 200 MW S- 미니 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 10 KOHMS 4.7 Kohms
2SA1020-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y, T6F (J. -
RFQ
 ECAD 9446 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1020 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
RN4908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4908 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 6703 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4908 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 22kohms 47kohms
RN2109,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2109, LF (Ct 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN2109 100MW SSM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 200MHz 47 Kohms 22 KOHMS
SSM3J358R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J358R, LF 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSVII 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 SSM3J358 MOSFET (금속 (() SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6A (TA) 1.8V, 8V 22.1MOHM @ 6A, 8V 1V @ 1mA 38.5 nc @ 8 v ± 10V 1331 pf @ 10 v - 1W (TA)
RN2404TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2404TE85LF -
RFQ
 ECAD 6084 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2404 200 MW S- 미니 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 47 Kohms 47 Kohms
2SA1020-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6Canofm -
RFQ
 ECAD 6361 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1020 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 2sa1020yt6canofm 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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