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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 그들 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 내구성 인증(암페어) 현재 - 최대 테스트 조건 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 Td(켜기/끄기) @ 25°C 전압 - 테스트 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 저항 @ If, F 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
TPH1R403NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R403NL,L1Q 1.5500
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPH1R403 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 60A(타) 4.5V, 10V 1.4m옴 @ 30A, 10V 500μA에서 2.3V 46nC @ 10V ±20V 4400pF @ 15V - 1.6W(Ta), 64W(Tc)
TK100S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L,LXHQ 1.7200
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 ECAD 8020 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK100S04 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 40V 100A(타) 4.5V, 10V 2.3m옴 @ 50A, 10V 500μA에서 2.5V 76nC @ 10V ±20V 5490pF @ 10V - 180W(Tc)
RN1903FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903FE,LF(CT 0.2500
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1903 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22k옴 22k옴
RN1101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101,LF(CT 0.2000
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1101 100mW SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
TK7E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK7E80W,S1X 2.8500
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 ECAD 8245 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 TK7E80 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 800V 6.5A(타) 10V 950m옴 @ 3.3A, 10V 4V @ 280μA 13nC @ 10V ±20V 300V에서 700pF - 110W(Tc)
SSM3J358R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J358R,LF 0.4700
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 SSM3J358 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 6A(타) 1.8V, 8V 22.1m옴 @ 6A, 8V 1V @ 1mA 38.5nC @ 8V ±10V 10V에서 1331pF - 1W(타)
TK28A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK28A65W,S5X 5.0100
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 ECAD 34 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK28A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 27.6A(타) 10V 110m옴 @ 13.8A, 10V 3.5V @ 1.6mA 75nC @ 10V ±30V 300V에서 3000pF - 45W(Tc)
TPH7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R506NH,L1Q 1.4700
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 ECAD 26 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPH7R506 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 60V 22A(타) 10V 7.5m옴 @ 11A, 10V 300μA에서 4V 31nC @ 10V ±20V 30V에서 2320pF - 1.6W(Ta), 45W(Tc)
RN2113,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2113,LXHF(CT 0.0624
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 ECAD 9067 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2113 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 200MHz 47kΩ
TK7P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7P60W,RVQ 1.8400
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 ECAD 9031 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK7P60 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 600V 7A(타) 10V 600m옴 @ 3.5A, 10V 3.7V @ 350μA 15nC @ 10V ±30V 300V에서 490pF - 60W(Tc)
GT40WR21,Q Toshiba Semiconductor and Storage GT40WR21,Q 11.0200
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 ECAD 7358 0.00000000 도시바 및 저장 - 쟁반 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 기준 375W TO-3P(엔) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 100 - - 1350V 40A 80A 5.9V @ 15V, 40A - -
HN1C03F-B(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03F-B(TE85L,F) 0.1485
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 ECAD 6796 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 HN1C03 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 20V 300mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 100mV @ 3mA, 30mA 350 @ 4mA, 2V 30MHz
TBAV70,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAV70,LM 0.2100
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 ECAD 280 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 TBAV70 기준 SOT-23-3 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 1쌍씩 시작됩니다 80V 215mA -
RN1132MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1132MFV,L3F 0.1800
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 ECAD 2506 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1132 150mW 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200kΩ
TK13A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A45D(STA4,Q,M) 2.4700
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 ECAD 9513 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK13A45 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 450V 13A(타) 10V 460m옴 @ 6.5A, 10V 4V @ 1mA 25nC @ 10V ±30V 1350pF @ 25V - 45W(Tc)
TK62N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60W5,S1VF 11.3800
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 ECAD 18 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 61.8A(타) 10V 45m옴 @ 30.9A, 10V 4.5V @ 3.1mA 205nC @ 10V ±30V 300V에서 6500pF - 400W(Tc)
RN4902FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4902 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 50 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 10kΩ 10kΩ
TPH2010FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2010FNH,L1Q 1.6200
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 ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPH2010 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 250V 5.6A(타) 10V 198m옴 @ 2.8A, 10V 4V @ 200μA 7nC @ 10V ±20V 100V에서 600pF - 1.6W(Ta), 42W(Tc)
HN1A01F-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01F-Y(TE85L,F) -
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 ECAD 3952 0.00000000 도시바 및 저장 - 컷테이프(CT) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 HN1A01 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 PNP(이중) 300mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 80MHz
CRY91(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY91(TE85L,Q,M) -
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 ECAD 2201 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±10% -40°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-123F CRY91 700mW S플랫(1.6x3.5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.10.0050 3,000 1V @ 200mA 5.5V에서 10μA 9.1V 30옴
TPH1R204PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R204PL1,LQ 1.6600
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 ECAD 16 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 8-SOP 고급(5x5.75) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 40V 150A(Tc) 4.5V, 10V 1.24m옴 @ 50A, 10V 500μA에서 2.4V 74nC @ 10V ±20V 20V에서 7200pF - 960mW(Ta), 170W(Tc)
RN2308(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2308(TE85L,F) 0.2700
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2308 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22kΩ 47kΩ
TK40E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK40E06N1,S1X 1.0400
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 ECAD 9091 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK40E06 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 40A(타) 10V 10.4m옴 @ 20A, 10V 300μA에서 4V 23nC @ 10V ±20V 30V에서 1700pF - 67W(Tc)
JDH2S02FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage JDH2S02FSTPL3 0.4600
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 ECAD 15 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 125°C (TJ) 2-SMD, 플랫 리드 JDH2S02 fSC 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 10,000 10mA 0.3pF @ 0.2V, 1MHz 쇼트키 - Single 10V -
3SK294(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK294(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 12.5V 표면 실장 SC-82A, SOT-343 3SK294 500MHz MOSFET USQ 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30mA 10mA - 26dB 1.4dB 6V
TPCA8009-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8009-H(TE12L,Q -
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 ECAD 7100 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8009 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 150V 7A(타) 10V 350m옴 @ 3.5A, 10V 4V @ 1mA 10nC @ 10V ±20V 10V에서 600pF - 1.6W(Ta), 45W(Tc)
TK4A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4A80E,S4X 1.2300
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 ECAD 9274 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 800V 4A(타) 10V 3.5옴 @ 2A, 10V 4V @ 400μA 15nC @ 10V ±30V 25V에서 650pF - 35W(Tc)
2SK2962,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962,T6F(M -
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 ECAD 4332 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SK2962 TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 1A(티제이)
TW027N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW027N65C,S1F 22.7000
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 ECAD 4982 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-247-3 SiCFET(탄화규소) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 58A(티씨) 18V 37m옴 @ 29A, 18V 5V @ 3mA 65nC @ 18V +25V, -10V 400V에서 2288pF - 156W(Tc)
CMZ20(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ20(TE12L,Q,M) 0.5400
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±10% -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-128 CMZ20 2W M플랫(2.4x3.8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0050 3,000 1.2V @ 200mA 10μA @ 14V 20V 30옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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