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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
2SC6026CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026CT-Y(TPL3) -
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 ECAD 7438 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-101, SOT-883 2SC6026 100mW CST3 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 60MHz
SSM3J372R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J372R,LXHF 0.4600
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 ECAD 20 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 6A(타) 1.8V, 10V 42m옴 @ 5A, 10V 1.2V @ 1mA 8.2nC @ 4.5V +6V, -12V 15V에서 560pF - 1W(타)
2SJ380(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ380(F) -
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 ECAD 1045 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SJ380 MOSFET(금속) TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 P채널 100V 12A(타) 4V, 10V 210m옴 @ 6A, 10V 2V @ 1mA 48nC @ 10V ±20V 1100pF @ 10V - 35W(Tc)
TTA004B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTA004B,Q 0.4500
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-225AA, TO-126-3 TTA004 10W TO-126N 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 250 160V 1.5A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 500mA 140 @ 100mA, 5V 100MHz
RN2607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2607(TE85L,F) 0.4800
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN2607 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10kΩ 47k옴
TK25V60X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25V60X5,LQ 5.0300
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 ECAD 8257 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 4-VSFN 옆형 패드 MOSFET(금속) 4-DFN-EP(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 25A(타) 10V 150m옴 @ 7.5A, 10V 4.5V @ 1.2mA 60nC @ 10V ±30V 300V에서 2400pF - 180W(Tc)
SSM6K403TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K403TU,LF 0.4900
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 ECAD 6811 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6K403 MOSFET(금속) UF6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 4.2A(타) 1.5V, 4V 28m옴 @ 3A, 4V 1V @ 1mA 16.8nC @ 4V ±10V 1050pF @ 10V - 500mW(타)
TK090U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK090U65Z,RQ 5.5000
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSVI 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 8-PowerSFN MOSFET(금속) 힘 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 650V 30A(타) 10V 90m옴 @ 15A, 10V 4V @ 1.27mA 47nC @ 10V ±30V 300V에서 2780pF - 230W(Tc)
RN1103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103,LF(CT 0.2000
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1103 100mW SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22kΩ 22kΩ
RN1427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1427TE85LF 0.3900
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1427 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 800mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250mV @ 1mA, 50mA 90 @ 100mA, 1V 300MHz 2.2kΩ 10kΩ
SSM6P47NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P47NU,LF 0.4200
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-WDFN옆패드 SSM6P47 MOSFET(금속) 1W 6-μDFN(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 20V 4A 95m옴 @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1mA 4.6nC @ 4.5V 290pF @ 10V 게임 레벨 레벨
2SA1425-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1425-Y,T2F(J -
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 ECAD 5109 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-71 2SA1425 1W MSTM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) PNP 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
RN1401,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1401,LXHF 0.3400
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1401 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
2SC5930(T2MITUM,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5930(T2미텀,FM -
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 ECAD 5521 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-71 2SC5930 1W MSTM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 600V 1A 100μA(ICBO) NPN 1V @ 75mA, 600mA 40 @ 200mA, 5V -
2SC4793,YHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793,YHF(J -
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 ECAD 4612 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC4793 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 230V 1A 1μA(ICBO) NPN 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 100MHz
TK11A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A45D(STA4,Q,M) 1.8600
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK11A45 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 450V 11A(타) 10V 620m옴 @ 5.5A, 10V 4V @ 1mA 20nC @ 10V ±30V 25V에서 1050pF - 40W(Tc)
CLH06(TE16L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH06(TE16L,Q) -
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 ECAD 9941 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 L-플랫™ CLH06 기준 L-FLAT™(4x5.5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 300V 35ns - 5A -
SSM6P35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35AFE,LF 0.4200
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 ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6P35 MOSFET(금속) 150mW(타) ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 2 P채널(듀얼) 20V 250mA(타) 1.4옴 @ 150mA, 4.5V 1V @ 100μA - 42pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.2V 드라이브
CRG02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG02(TE85L,Q,M) -
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 ECAD 1132 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOD-123F CRG02 기준 S플랫(1.6x3.5) - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 400V 1.1V @ 700mA 400V에서 10μA -40°C ~ 150°C 700mA -
RN2971FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2971FE(TE85L,F) -
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 ECAD 5969 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2971 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 10kΩ -
2SA1020-Y(T6TR1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y(T6TR1,AF -
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 ECAD 8896 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1020 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TK7A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK7A60W5,S5VX 1.6400
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 ECAD 100 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK7A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 7A(타) 10V 650m옴 @ 3.5A, 10V 350μA에서 4.5V 16nC @ 10V ±30V 300V에서 490pF - 30W(Tc)
SSM6K781G,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K781G,LF 0.5100
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 ECAD 850 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-UFBGA, WLCSP SSM6K781 MOSFET(금속) 6-WCSPC(1.5x1.0) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 12V 7A(타) 1.5V, 4.5V 18m옴 @ 1.5A, 4.5V 1V @ 250μA 5.4nC @ 4.5V ±8V 600pF @ 6V - 1.6W(타)
TK3R1P04PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK3R1P04PL,RQ 1.1600
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 ECAD 14 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK3R1P04 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 40V 58A(티씨) 4.5V, 10V 3.1m옴 @ 29A, 10V 500μA에서 2.4V 60nC @ 10V ±20V 20V에서 4670pF - 87W(Tc)
2SC6010(T2MITUM,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6010(T2MITUM,FM -
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 ECAD 5872 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-71 2SC6010 1W MSTM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 600V 1A 100μA(ICBO) NPN 1V @ 75mA, 600mA 100 @ 100mA, 5V -
RN4904FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4904FE,LF(CT 0.2600
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 ECAD 1676년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4904 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 47k옴 47k옴
RN4609(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4609(TE85L,F) 0.4800
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN4609 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 47k옴 22k옴
1SS372(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS372(TE85L,F) 0.3700
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 ECAD 13 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 1SS372 쇼트키 USM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 10V 500mV @ 100mA 10V에서 20μA 125°C(최대) 100mA 20pF @ 0V, 1MHz
TK14A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK14A65W,S5X 2.8200
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 ECAD 21 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK14A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 13.7A(타) 10V 250m옴 @ 6.9A, 10V 3.5V @ 690μA 35nC @ 10V ±30V 300V에서 1300pF - 40W(Tc)
RN2711(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2711(TE85L,F) -
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 ECAD 1334 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2711 200mW 5-SSOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA에서 300mV, 5mA 400 @ 1mA, 5V 200MHz 10kΩ -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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