SIC
close

불연속 불연속 제품 (2909)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
SSM3J358R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J358R, LF 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSVII 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 SSM3J358 MOSFET (금속 (() SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6A (TA) 1.8V, 8V 22.1MOHM @ 6A, 8V 1V @ 1mA 38.5 nc @ 8 v ± 10V 1331 pf @ 10 v - 1W (TA)
RN1705,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1705, LF 0.3000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1705 200MW USV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
TPCC8002-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8002-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 2576 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSV-H 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 TPCC8002 MOSFET (금속 (() 8 3 3. (3.3x3.3) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 22A (TA) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 11a, 10V 2.5V @ 1mA 27 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 10 v - 700MW (TA), 30W (TC)
2SC4793,YHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, YHF (J. -
RFQ
 ECAD 4612 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SC4793 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µA (ICBO) NPN 1.5V @ 50MA, 500MA 100 @ 100ma, 5V 100MHz
TPCA8A02-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8A02-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 8734 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSV-H 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPCA8A02 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 34A (TA) 4.5V, 10V 5.3mohm @ 17a, 10V 2.3v @ 1ma 36 nc @ 10 v ± 20V 3430 pf @ 10 v - 1.6W (TA), 45W (TC)
RN2964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2964FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 1932 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN2964 100MW ES6 - 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 47kohms 47kohms
RN2109ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2109ACT (TPL3) 0.3400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN2109 100MW CST3 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 MA 500NA pnp- 사전- 150mv @ 250µa, 5mA 70 @ 10ma, 5V 47 Kohms 22 KOHMS
TPC8110(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8110 (TE12L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 6368 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TPC8110 MOSFET (금속 (() 8-SOP (5.5x6.0) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 8A (TA) 4V, 10V 25mohm @ 4a, 10V 2V @ 1mA 48 NC @ 10 v ± 20V 2180 pf @ 10 v - 1W (TA)
2SA1425-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1425-Y, T2F (J. -
RFQ
 ECAD 5109 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-71 2SA1425 1 W. MSTM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 120 v 800 MA 100NA (ICBO) PNP 1V @ 50MA, 500MA 80 @ 100MA, 5V 120MHz
TPH2010FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2010FNH, L1Q 1.6200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPH2010 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 250 v 5.6A (TA) 10V 198mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 200µA 7 nc @ 10 v ± 20V 600 pf @ 100 v - 1.6W (TA), 42W (TC)
TPN30008NH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN30008NH, LQ 0.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPN30008 MOSFET (금속 (() 8 3 3. (3.3x3.3) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 9.6A (TC) 10V 30mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 100µa 11 NC @ 10 v ± 20V 920 pf @ 40 v - 700MW (TA), 27W (TC)
RN2971(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2971 (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2971 200MW US6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 10kohms -
CRS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40A (TE85L, QM 0.4700
RFQ
 ECAD 3740 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F CRS10I40 기준 S-FLAT (1.6x3.5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 40 v 490 mV @ 700 mA 60 µa @ 40 v 150 ° C (°) 1A 35pf @ 10V, 1MHz
RN2703,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2703, LF 0.2900
RFQ
 ECAD 5173 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2703 200MW USV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 200MHz 22kohms 22kohms
RN1103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103, LF (Ct 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN1103 100MW SSM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
RN2116,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2116, LF (Ct 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN2116 100MW SSM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
2SA1972,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1972, F (J. -
RFQ
 ECAD 7950 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1972 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 400 v 500 MA 10µA (ICBO) PNP 1V @ 10MA, 100MA 140 @ 20MA, 5V 35MHz
TK9P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK9P65W, RQ 0.8760
RFQ
 ECAD 2610 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Tk9p65 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 650 v 9.3A (TA) 10V 560mohm @ 4.6a, 10V 3.5V @ 350µA 20 nc @ 10 v ± 30V 700 pf @ 300 v - 80W (TC)
CRG01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG01 (TE85L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 9551 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOD-123F CRG01 기준 S-FLAT (1.6x3.5) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 100 v 1.1 v @ 700 ma 10 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C 700ma -
TPH3R10AQM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R10AQM, LQ 1.7000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powertdfn TPH3R10 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5.75) 다운로드 1 (무제한) 5,000 n 채널 100 v 180A (TA), 120A (TC) 6V, 10V 3.1mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 500µA 83 NC @ 10 v ± 20V 7400 pf @ 50 v - 3W (TA), 210W (TC)
RN2714,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2714, LF -
RFQ
 ECAD 5528 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2714 200MW USV 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V - 1kohms 10kohms
DSF01S30SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DSF01S30SC, L3F -
RFQ
 ECAD 4466 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 0201 (0603 메트릭) DSF01S30 Schottky SC2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) DSF01S30SCL3F 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 500 mV @ 100 ma 50 µa @ 30 v 125 ° C (°) 100ma 9.3pf @ 0V, 1MHz
TTA1452B,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TTA1452B, S4X 1.9800
RFQ
 ECAD 9235 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2 w TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 80 v 12 a 5µA (ICBO) PNP 400mv @ 300ma, 6a 120 @ 1a, 1v 50MHz
SSM3K341R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K341R, LXHF 0.6000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVIII-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 MOSFET (금속 (() SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 6A (TA) 4V, 10V 36mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 100µa 9.3 NC @ 10 v ± 20V 550 pf @ 10 v - 1.2W (TA)
HN2D02FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2D02FU, LF 0.4000
RFQ
 ECAD 310 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN2D02 기준 US6 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 3 독립 80 v 80ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 v 125 ° C (°)
TPH7R204PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R204PL, LQ 0.6500
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPH7R204 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 48A (TC) 4.5V, 10V 9.7mohm @ 15a, 4.5v 2.4V @ 200µA 24 nc @ 10 v ± 20V 2040 pf @ 20 v - 69W (TC)
TK32E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK32E12N1, S1X 1.5300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TK32E12 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 120 v 60A (TC) 10V 13.8mohm @ 16a, 10V 4V @ 500µA 34 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 60 v - 98W (TC)
TPN6R003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN6R003NL, LQ 0.8800
RFQ
 ECAD 9982 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPN6R003 MOSFET (금속 (() 8 1 3. (3.1x3.1) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 27A (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 13.5a, 10V 2.3V @ 200µA 17 nc @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 15 v - 700MW (TA), 32W (TC)
TK4A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4A80E, S4X 1.2300
RFQ
 ECAD 9274 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 4A (TA) 10V 3.5ohm @ 2a, 10V 4v @ 400µa 15 nc @ 10 v ± 30V 650 pf @ 25 v - 35W (TC)
RN1309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1309 (TE85L, F) 0.2700
RFQ
 ECAD 895 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN1309 100MW SC-70 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 250MHz 47 Kohms 22 KOHMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다