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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
TPH1R403NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R403NL,L1Q 1.5500
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPH1R403 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 60A(타) 4.5V, 10V 1.4m옴 @ 30A, 10V 500μA에서 2.3V 46nC @ 10V ±20V 4400pF @ 15V - 1.6W(Ta), 64W(Tc)
RN2401,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2401,LF 0.2200
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2401 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
1SS427,L3M Toshiba Semiconductor and Storage 1SS427,L3M 0.2700
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 ECAD 55 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-923 1SS427 기준 SOD-923 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 10,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 80V 1.2V @ 100mA 1.6ns 80V에서 500nA -55°C ~ 150°C 100mA 0.3pF @ 0V, 1MHz
2SC3074-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3074-O(Q) -
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 ECAD 3255 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SC3074 1W PW-MOLD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 200 50V 5A 1μA(ICBO) NPN 400mV @ 150mA, 3A 70 @ 1A, 1V 120MHz
RN1131MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1131MFV(TL3,T) 0.2100
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1131 150mW 베스엠 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 100kΩ
RN2418,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2418,LF 0.1800
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 ECAD 7742 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2418 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 47kΩ 10kΩ
RN1903FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903FE,LF(CT 0.2500
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1903 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22k옴 22k옴
RN1971TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1971TE85LF 0.0618
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 ECAD 6883 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1971 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz 10kΩ -
RN4986(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4986(T5L,F,T) 0.3000
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 ECAD 483 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4986 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100μA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7kΩ 47k옴
RN2714,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2714,LF -
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 ECAD 5528 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2714 200mW USV 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V - 1kΩ 10kΩ
2SK3700(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3700(F) 2.5200
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 ECAD 100 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 2SK3700 MOSFET(금속) TO-3P(엔) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 900V 5A(타) 2.5옴 @ 3A, 10V 4V @ 1mA 28nC @ 10V 25V에서 1150pF - 150W(Tc)
RN4603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4603(TE85L,F) 0.3800
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 ECAD 7481 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN4603 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 22k옴 22k옴
RN1113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1113CT(TPL3) -
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 ECAD 5999 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN1113 50mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 300@1mA, 5V 47kΩ
SSM3J144TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J144TU,LF 0.4100
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 SSM3J144 MOSFET(금속) UFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 3.2A(타) 1.5V, 4.5V 93m옴 @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1mA 4.7nC @ 4.5V +6V, -8V 10V에서 290pF - 500mW(타)
TPCP8103-H(TE85LFM Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8103-H(TE85LFM -
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 ECAD 9306 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TCPP8103 MOSFET(금속) PS-8(2.9x2.4) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 40V 4.8A(타) 4.5V, 10V 40m옴 @ 2.4A, 10V 2V @ 1mA 19nC @ 10V ±20V 10V에서 800pF - 840mW(타)
TPN5R203PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN5R203PL,LQ 0.6400
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 ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPN5R203 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 38A(Tc) 4.5V, 10V 5.2m옴 @ 19A, 10V 2.1V @ 200μA 22nC @ 10V ±20V 1975pF @ 15V - 610mW(Ta), 61W(Tc)
TK20C60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20C60W,S1VQ -
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 ECAD 8691 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA TK20C60 MOSFET(금속) I2PAK 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 20A(타) 10V 155m옴 @ 10A, 10V 3.7V @ 1mA 48nC @ 10V ±30V 300V에서 1680pF - 165W(Tc)
TK10A60E,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60E,S5X -
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 ECAD 2076 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK10A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 10A(타) 10V 750m옴 @ 5A, 10V 4V @ 1mA 40nC @ 10V ±30V 25V에서 1300pF - 45W(Tc)
TJ30S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ30S06M3L(T6L1,NQ 0.7102
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 ECAD 2570 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TJ30S06 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 P채널 60V 30A(타) 6V, 10V 21.8m옴 @ 15A, 10V 3V @ 1mA 80nC @ 10V +10V, -20V 3950pF @ 10V - 68W(Tc)
RN1909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909,LF(CT 0.2700
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1909 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 47k옴 22k옴
TK3R3E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R3E08QM,S1X 2.3500
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 ECAD 82 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSX-H 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 80V 120A(Tc) 6V, 10V 3.3m옴 @ 50A, 10V 3.5V @ 1.3mA 110nC @ 10V ±20V 40V에서 7670pF - 230W(Tc)
RN1118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1118(T5L,F,T) -
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 ECAD 3198 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1118 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 10kΩ
TK7P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7P60W,RVQ 1.8400
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 ECAD 9031 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK7P60 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 600V 7A(타) 10V 600m옴 @ 3.5A, 10V 3.7V @ 350μA 15nC @ 10V ±30V 300V에서 490pF - 60W(Tc)
SSM6N55NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N55NU,LF 0.4400
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-WDFN옆패드 SSM6N55 MOSFET(금속) 1W 6-μDFN(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 30V 4A 46m옴 @ 4A, 10V 100μA에서 2.5V 2.5nC @ 4.5V 280pF @ 15V 게임 레벨 레벨
2SB1495,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1495,Q(J -
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 ECAD 9035 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SB1495 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 100V 3A 10μA(ICBO) PNP 1.5V @ 1.5mA, 1.5A 2000 @ 2A, 2V -
RN1968FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1968FE(TE85L,F) -
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 ECAD 5591 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1968 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22k옴 47k옴
RN4903FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4903FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4903 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 22k옴 22k옴
SSM3K37FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K37FS,LF 0.2300
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 ECAD 122 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C(타) 표면 실장 SC-75, SOT-416 SSM3K37 MOSFET(금속) SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 200mA(타) 1.5V, 4.5V 2.2옴 @ 100mA, 4.5V 1V @ 1mA ±10V 12pF @ 10V - 100mW(타)
TPN1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1110ENH,L1Q 1.6800
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 ECAD 1291 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPN1110 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 200V 7.2A(타) 10V 114m옴 @ 3.6A, 10V 4V @ 200μA 7nC @ 10V ±20V 100V에서 600pF - 700mW(Ta), 39W(Tc)
TRS10E65C,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10E65C,S1Q -
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 ECAD 8191 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-220-2 TRS10E65 SiC(탄화규소) 쇼트키 TO-220-2L - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 50 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 650V 1.7V @ 10A 0ns 650V에서 90μA 175°C(최대) 10A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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