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불연속 불연속 제품 (2909)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
TPN1200APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1200APL, L1Q 0.8500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8 1 3. (3.1x3.1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 40A (TC) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 300µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1855 PF @ 50 v - 630MW (TA), 104W (TC)
RN1418(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1418 (TE85L, F) 0.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1418 200 MW S- 미니 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 47 Kohms 10 KOHMS
RN4905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4905FE, LXHF (Ct 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN4905 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz, 250MHz 2.2kohms 47kohms
2SC2655-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-y, T6KEHF (m -
RFQ
 ECAD 1327 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2655 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
HN1D03FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1D03FU, LF 0.3700
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1D03 기준 US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2. CA + CC 80 v 80ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 v 125 ° C (°)
1SS427,L3M Toshiba Semiconductor and Storage 1SS427, L3M 0.2700
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-923 1SS427 기준 SOD-923 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 80 v 1.2 v @ 100 ma 1.6 ns 500 NA @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C 100ma 0.3pf @ 0V, 1MHz
TPH1R306PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306PL1, LQ 2.4200
RFQ
 ECAD 9668 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5.75) - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.34mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 1mA 91 NC @ 10 v ± 20V 8100 pf @ 30 v - 960MW (TA), 210W (TC)
2SC3324GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3324GRE85LF -
RFQ
 ECAD 3943 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3324 150 MW TO-236 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 120 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 1ma, 10ma 200 @ 2ma, 6v 100MHz
RN1909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1909 (T5L, F, T) 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1909 200MW US6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 250MHz 47kohms 22kohms
1SS387CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS387CT, L3F 0.2400
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-882 1SS387 기준 CST2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 80 v 1.2 v @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°) 100ma 0.5pf @ 0V, 1MHz
RN1909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909, LXHF (Ct 0.3500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1909 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 250MHz 47kohms 22kohms
TPCC8065-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8065-H, LQ (s -
RFQ
 ECAD 2198 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosvii-h 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPCC8065 MOSFET (금속 (() 8 1 3. (3.1x3.1) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 13A (TA) 4.5V, 10V 11.4mohm @ 6.5a, 10V 2.3V @ 200µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 10 v - 700MW (TA), 18W (TC)
SSM5H12TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H12TU (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 5864 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD (5 d), 플랫 리드 SSM5H12 MOSFET (금속 (() UFV 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.9A (TA) 1.8V, 4V 133mohm @ 1a, 4v 1V @ 1mA 1.9 NC @ 4 v ± 12V 123 pf @ 15 v Schottky 분리 (다이오드) 500MW (TA)
TPH3R203NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R203NL, L1Q 1.2500
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPH3R203 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 47A (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 23.5a, 10V 2.3V @ 300µA 21 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 15 v - 1.6W (TA), 44W (TC)
RN1903FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903FE, LF (Ct 0.2500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN1903 100MW ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 4,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
RN1409,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1409, LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1409 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 250MHz 47 Kohms 22 KOHMS
RN1315,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1315, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 8527 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN1315 100MW SC-70 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
RN1409,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1409, LF 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1409 200 MW S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 250MHz 47 Kohms 22 KOHMS
CRG05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG05 (TE85L, Q, M) 0.4600
RFQ
 ECAD 6290 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F CRG05 기준 S-FLAT (1.6x3.5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 800 v 1.2 v @ 1 a 10 µa @ 800 v -40 ° C ~ 150 ° C 1A -
2SC5930(T2MITUM,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5930 (T2Mitum, FM -
RFQ
 ECAD 5521 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-71 2SC5930 1 W. MSTM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 600 v 1 a 100µA (ICBO) NPN 1V @ 75MA, 600MA 40 @ 200ma, 5V -
2SC3665-Y,T2YNSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3665-Y, T2YNSF (J. -
RFQ
 ECAD 2332 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-71 2SC3665 1 W. MSTM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 120 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 80 @ 100MA, 5V 120MHz
TPCA8009-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8009-H (TE12L, Q -
RFQ
 ECAD 7100 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPCA8009 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 7A (TA) 10V 350mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 1MA 10 nc @ 10 v ± 20V 600 pf @ 10 v - 1.6W (TA), 45W (TC)
RN4982FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4982FE, LF (Ct 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN4982 100MW ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
RN2412,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2412, LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 2650 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2412 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 22 KOHMS
RN2307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2307 (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 3221 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN2307 100MW SC-70 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 10 KOHMS 47 Kohms
CMH08(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH08 (TE12L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 9412 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOD-128 CMH08 기준 M-FLAT (2.4x3.8) 다운로드 rohs 준수 CMH08 (TE12LQM) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 2 a 100 ns 10 µa @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C 2A -
RN4910,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4910, LF 0.2800
RFQ
 ECAD 7429 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4910 200MW US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 4.7kohms -
TW048N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW048N65C, S1F 16.3200
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 40A (TC) 18V 65mohm @ 20a, 18V 5V @ 1.6MA 41 NC @ 18 v +25V, -10V 1362 pf @ 400 v - 132W (TC)
RN1705JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1705JE (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 769 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-553 RN1705 100MW ESV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (이중 이중) (이미 터 커플 링) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
RN1414,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1414, LF 0.1900
RFQ
 ECAD 4137 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1414 200 MW S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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