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디스크리트 반도체(2909)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	속도	FET 종류	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	다이오 구성	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)
TPCP8005-H(TE85L,F	-	보상요청	2162	도시바 및 저장	U-MOSV-H	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	8-SMD, 플랫 리드	TCPP8005	MOSFET(금속)		PS-8(2.9x2.4)	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000		N채널	30V	11A(타)	4.5V, 10V	12.9m옴 @ 5.5A, 10V	2.5V @ 1mA	20nC @ 10V	±20V	10V에서 2150pF	-	840mW(타)
SSM3J140TU,LXHF	0.5500	보상요청	126	도시바 및 저장	자동차, AEC-Q101, U-MOSVI	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C	표면 실장	3-SMD, 플랫 리드		MOSFET(금속)		UFM	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000		P채널	20V	4.4A(타)	1.5V, 4.5V	25.8m옴 @ 4A, 4.5V	1V @ 1mA	24.8nC @ 4.5V	+6V, -8V	10V에서 1800pF	-	500mW(타)
TBAV70,LM	0.2100	보상요청	280	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	SOT-23-3 플랫 리드	TBAV70	기준		SOT-23-3	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.10.0070	3,000	표준 복구 >500ns, > 200mA(Io)												1쌍의 세션이 시작됩니다	80V	215mA			-
RN2971FE(TE85L,F)	-	보상요청	5969	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		표면 실장	SOT-563, SOT-666	RN2971		100mW	ES6	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	4,000																					50V	100mA	100nA(ICBO)	2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)	250μA에서 300mV, 5mA	120@1mA, 5V	200MHz	10kΩ	-
SSM6J503NU,LF	0.4600	보상요청	2	도시바 및 저장	유모스비	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	6-WDFN옆패드	SSM6J503	MOSFET(금속)		6-UDFNB(2x2)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	3,000		P채널	20V	6A(타)	1.5V, 4.5V	32.4m옴 @ 3A, 4.5V	1V @ 1mA	12.8nC @ 10V	±8V	10V에서 840pF	-	1W(타)
TK14N65W5,S1F	4.3100	보상요청	4776	도시바 및 저장	DTMOSIV	튜브	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3	TK14N65	MOSFET(금속)		TO-247	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	30		N채널	650V	13.7A(타)	10V	300m옴 @ 6.9A, 10V	690μA에서 4.5V	40nC @ 10V	±30V	300V에서 1300pF	-	130W(Tc)
RN4609(TE85L,F)	0.4800	보상요청	1	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	SC-74, SOT-457	RN4609		300mW	SM6	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000																					50V	100mA	100nA(ICBO)	NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중)	250μA에서 300mV, 5mA	70 @ 10mA, 5V	200MHz	47k옴	22k옴
2SK3068(TE24L,Q)	-	보상요청	7876	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	2SK3068	MOSFET(금속)		TO-220SM	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널	500V	12A(타)	10V	520m옴 @ 6A, 10V	4V @ 1mA	45nC @ 10V	±30V	2040pF @ 10V	-	100W(Tc)
TDTC114Y,LM	0.1800	보상요청	3	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TDTC114		320mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	100mA	500nA	NPN - 사전 바이어스됨	500μA, 10mA에서 300mV	79 @ 5mA, 5V	250MHz	10kΩ
RN1102ACT(TPL3)	-	보상요청	6140	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		표면 실장	SC-101, SOT-883	RN1102		100mW	CST3	-		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	10,000																					50V	80mA	500nA	NPN - 사전 바이어스됨	250μA에서 150mV, 5mA	50 @ 10mA, 5V		10kΩ	10kΩ
1SS372(TE85L,F)	0.3700	보상요청	13	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	SC-70, SOT-323	1SS372	쇼트키		USM	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.10.0070	3,000	작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도													10V		500mV @ 100mA	10V에서 20μA	125°C(최대)	100mA	20pF @ 0V, 1MHz
RN2711(TE85L,F)	-	보상요청	1334	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	RN2711		200mW	5-SSOP	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000																					50V	100mA	100nA(ICBO)	2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터)	250μA에서 300mV, 5mA	400 @ 1mA, 5V	200MHz	10kΩ	-
RN1962TE85LF	-	보상요청	5519	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		표면 실장	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN1962		500mW	US6	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000																					50V	100mA	100nA(ICBO)	2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)	250μA에서 300mV, 5mA	50 @ 10mA, 5V	250MHz	10kΩ	10kΩ
2SA1930,CKQ(J	-	보상요청	9881	도시바 및 저장	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	2SA1930		2W	TO-220NIS	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.29.0075	1																					180V	2A	5μA(ICBO)	PNP	1V @ 100mA, 1A	100 @ 100mA, 5V	200MHz
TK110E10PL,S1X	1.3400	보상요청	78	도시바 및 저장	-	튜브	활동적인	175°C	스루홀	TO-220-3	TK110E10	MOSFET(금속)		TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	50		N채널	100V	42A(Tc)	4.5V, 10V	10.7m옴 @ 21A, 10V	300μA에서 2.5V	33nC @ 10V	±20V	2040pF @ 50V	-	87W(Tc)
CRS10I40A(TE85L,QM	0.4700	보상요청	3740	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	SOD-123F	CRS10I40	기준		S플랫(1.6x3.5)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.10.0080	3,000	표준 복구 >500ns, > 200mA(Io)													40V		490mV @ 700mA	40V에서 60μA	150°C(최대)	1A	35pF @ 10V, 1MHz
TK7A60W5,S5VX	1.6400	보상요청	100	도시바 및 저장	DTMOSIV	튜브	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	TK7A60	MOSFET(금속)		TO-220SIS	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	50		N채널	600V	7A(타)	10V	650m옴 @ 3.5A, 10V	350μA에서 4.5V	16nC @ 10V	±30V	300V에서 490pF	-	30W(Tc)
TK3R1P04PL,RQ	1.1600	보상요청	14	도시바 및 저장	U-MOSIX-H	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	175°C	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	TK3R1P04	MOSFET(금속)		DPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널	40V	58A(티씨)	4.5V, 10V	3.1m옴 @ 29A, 10V	500μA에서 2.4V	60nC @ 10V	±20V	20V에서 4670pF	-	87W(Tc)
HN1B04FE-Y,LF	0.3000	보상요청	4	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	SOT-563, SOT-666	HN1B04		100mW	ES6	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	4,000																					50V	150mA	100nA(ICBO)	NPN, PNP	250mV @ 10mA, 100mA	120 @ 2mA, 6V	80MHz
TK14A65W,S5X	2.8200	보상요청	21	도시바 및 저장	DTMOSIV	튜브	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	TK14A65	MOSFET(금속)		TO-220SIS	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	50		N채널	650V	13.7A(타)	10V	250m옴 @ 6.9A, 10V	3.5V @ 690μA	35nC @ 10V	±30V	300V에서 1300pF	-	40W(Tc)
RN4904FE,LF(CT	0.2600	보상요청	1676년	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	SOT-563, SOT-666	RN4904		100mW	ES6	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	4,000																					50V	100mA	500nA	NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중)	250μA에서 300mV, 5mA	80 @ 10mA, 5V	250MHz, 200MHz	47k옴	47k옴
TPN30008NH,LQ	0.9000	보상요청	2	도시바 및 저장	U-MOSVIII-H	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN	TPN30008	MOSFET(금속)		8-TSON 고급(3.3x3.3)	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	80V	9.6A(Tc)	10V	30m옴 @ 4.8A, 10V	4V @ 100μA	11nC @ 10V	±20V	40V에서 920pF	-	700mW(Ta), 27W(Tc)
2SJ610(TE16L1,NQ)	-	보상요청	7676	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	2SJ610	MOSFET(금속)		PW-MOLD	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	2,000		P채널	250V	2A(타)	10V	2.55옴 @ 1A, 10V	3.5V @ 1mA	24nC @ 10V	±20V	10V에서 381pF	-	20W(타)
SSM6K781G,LF	0.5100	보상요청	850	도시바 및 저장	U-MOSVII-H	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	6-UFBGA, WLCSP	SSM6K781	MOSFET(금속)		6-WCSPC(1.5x1.0)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	12V	7A(타)	1.5V, 4.5V	18m옴 @ 1.5A, 4.5V	1V @ 250μA	5.4nC @ 4.5V	±8V	600pF @ 6V	-	1.6W(타)
2SC6010(T2MITUM,FM	-	보상요청	5872	도시바 및 저장	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	SC-71	2SC6010		1W	MSTM	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	1																					600V	1A	100μA(ICBO)	NPN	1V @ 75mA, 600mA	100 @ 100mA, 5V	-
TPCA8003-H(TE12LQM	-	보상요청	4120	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN	TPCA8003	MOSFET(금속)		8-SOP 사전(5x5)	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	30V	35A(타)	4.5V, 10V	6.6m옴 @ 18A, 10V	2.3V @ 1mA	25nC @ 10V	±20V	1465pF @ 10V	-	1.6W(Ta), 45W(Tc)
TK10A60W,S4VX	2.7800	보상요청	50	도시바 및 저장	DTMOSIV	튜브	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	TK10A60	MOSFET(금속)		TO-220SIS	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	50		N채널	600V	9.7A(타)	10V	380m옴 @ 4.9A, 10V	500μA에서 3.7V	20nC @ 10V	±30V	300V에서 700pF	-	30W(Tc)
TPC6107(TE85L,F,M)	-	보상요청	1647년	도시바 및 저장	유모스크롤(U-MOSIV)	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6	TPC6107	MOSFET(금속)		VS-6(2.9x2.8)	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000		P채널	20V	4.5A(타)	2V, 4.5V	55m옴 @ 2.2A, 4.5V	200μA에서 1.2V	9.8nC @ 5V	±12V	10V에서 680pF	-	700mW(타)
RN2104MFV,L3F	-	보상요청	2607	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	SOT-723	RN2104		150mW	베스엠	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)	RN2104MFVL3F	EAR99	8541.21.0075	8,000																					50V	100mA	500nA	PNP - 사전 바이어스됨	500μA에서 300mV, 5mA	80 @ 10mA, 5V	250MHz	47kΩ	47kΩ
RN2965FE(TE85L,F)	-	보상요청	7583	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		표면 실장	SOT-563, SOT-666	RN2965		100mW	ES6	-		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	4,000																					50V	100mA	100nA(ICBO)	2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)	250μA에서 300mV, 5mA	80 @ 10mA, 5V	200MHz	2.2kΩ	47k옴

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²