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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 내구성 인증(암페어) 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RN2704JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2704JE(TE85L,F) 0.4800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-553 RN2704 100mW ESV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47k옴 47k옴
RN2407,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2407,LF 0.1900
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 ECAD 2430 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2407 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10kΩ 47kΩ
RN2910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2910,LF(CT 0.2800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-61AA RN2910 200mW SMQ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 4.7k옴 -
2SK3662(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3662(F) -
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 ECAD 1045 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SK3662 MOSFET(금속) TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 35A(타) 4V, 10V 12.5m옴 @ 18A, 10V 2.5V @ 1mA 91nC @ 10V ±20V 10V에서 5120pF - 35W(Tc)
2SC5200-O(S1,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5200-O(S1,F 3.0100
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 ECAD 21 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3PL 150W TO-3P(L) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 25 230V 15A 5μA(ICBO) NPN 3V @ 800mA, 8A 55 @ 1A, 5V 30MHz
2SC2235-Y(MBSH1,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y(MBSH1,FM -
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 ECAD 5908 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2235 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
TP86R203NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TP86R203NL, LQ 0.9000
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 ECAD 19 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) TP86R203 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 19A(타) 4.5V, 10V 6.2m옴 @ 9A, 10V 2.3V @ 200μA 17nC @ 10V ±20V 15V에서 1400pF - 1W(Tc)
RN4987,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987,LXHF(CT 0.4400
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4987 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 10k옴 47k옴
2SC4207-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4207-Y(TE85L,F) 0.3500
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 ECAD 49 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-74A, SOT-753 2SC4207 300mW SMV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 일치쌍, 예비 이미터 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 80MHz
RN2307,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2307,LXHF 0.3900
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 ECAD 2595 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2307 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10kΩ 47kΩ
TK65S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK65S04N1L,LQ 2.0100
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK65S04 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 40V 65A(타) 10V 4.3m옴 @ 32.5A, 10V 300μA에서 2.5V 39nC @ 10V ±20V 10V에서 2550pF - 107W(Tc)
TK099V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK099V65Z,LQ 5.5600
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSVI 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 4-VSFN 옆형 패드 TK099V65 MOSFET(금속) 5-DFN(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 650V 30A(타) 10V 99m옴 @ 15A, 10V 4V @ 1.27mA 47nC @ 10V ±30V 300V에서 2780pF - 230W(Tc)
RN2102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2102MFV,L3XHF(CT 0.3400
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2102 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
RN4991(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4991(T5L,F,T) 0.0394
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4991 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100μA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz, 200MHz 10k옴 -
2SA1761,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1761,T6F(J -
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 ECAD 8513 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1761 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 3A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 75mA, 1.5A 120 @ 100mA, 2V 100MHz
RN1306,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1306,LXHF 0.3900
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1306 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 47kΩ
TPH3R704PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R704PL,L1Q 0.9400
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 ECAD 60 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPH3R704 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 40V 92A(Tc) 4.5V, 10V 3.7m옴 @ 46A, 10V 2.4V @ 200μA 27nC @ 10V ±20V 20V에서 2500pF - 960mW(Ta), 81W(Tc)
CBS10F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS10F40,L3F 0.4300
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 ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-882 CBS10F40 쇼트키 CST2B 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 700mV @ 1A 40V에서 20μA 150°C(최대) 1A 74pF @ 0V, 1MHz
CLH02(TE16L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH02(TE16L,Q) -
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 ECAD 5715 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 L-플랫™ CLH02 기준 L-FLAT™(4x5.5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 300V 1.3V @ 3A 35ns 300V에서 10μA -40°C ~ 150°C 3A -
1SS187,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS187,LF 0.2200
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 ECAD 4171 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS187 기준 S-미니 - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 80V 1.2V @ 100mA 4ns 500nA @ 80V 125°C(최대) 100mA 4pF @ 0V, 1MHz
RN2904,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2904,LF(CT 0.2800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2904 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47k옴 47k옴
2SA1020-Y,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y,T6WNLF(J -
보상요청
 ECAD 2798 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1020 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) 2SA1020-YT6WNLF(J EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TK25A20D,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK25A20D,S5X 1.7900
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 ECAD 40 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 200V 25A(타) 10V 70m옴 @ 12.5A, 10V 3.5V @ 1mA 60nC @ 10V ±20V 100V에서 2550pF - 45W(Tc)
TPH1110FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1110FNH,L1Q 1.8400
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPH1110 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 250V 10A(타) 10V 112m옴 @ 5A, 10V 300μA에서 4V 11nC @ 10V ±20V 100V에서 1100pF - 1.6W(Ta), 57W(Tc)
TPCA8031-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8031-H(TE12L,Q -
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 ECAD 8993 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSV-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8031 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 24A(타) 4.5V, 10V 11m옴 @ 12A, 10V 2.5V @ 1mA 21nC @ 10V ±20V 10V에서 2150pF - 1.6W(Ta), 30W(Tc)
TK80S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK80S06K3L(T6L1,NQ -
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 ECAD 7483 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK80S06 MOSFET(금속) DPAK+ - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 60V 80A(타) 6V, 10V 5.5m옴 @ 40A, 10V 3V @ 1mA 85nC @ 10V ±20V 10V에서 4200pF - 100W(Tc)
TK3A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65D(STA4,Q,M) 1.6100
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK3A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 3A(타) 10V 2.25옴 @ 1.5A, 10V 4.4V @ 1mA 11nC @ 10V ±30V 25V에서 540pF - 35W(Tc)
1SS319(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS319(TE85L,F) 0.4000
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-61AA 1SS319 쇼트키 SC-61B 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 2개의 면 40V 100mA 600mV @ 100mA 40V에서 5μA 125°C(최대)
RN1417(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1417(TE85L,F) 0.3500
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 ECAD 384 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1417 200mW S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 4.7kΩ
3SK294(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK294(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 12.5V 표면 실장 SC-82A, SOT-343 3SK294 500MHz MOSFET USQ 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30mA 10mA - 26dB 1.4dB 6V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

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