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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RN4991FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4991FE,LF(CT 0.2500
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 ECAD 2649 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4991 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 250MHz, 200MHz 10kΩ -
2SA1020-Y(T6FJT,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y(T6FJT,AF -
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 ECAD 7274 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1020 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN1409,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1409,LXHF 0.0645
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1409 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 22kΩ
CUHS20S60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20S60,H3F 0.3600
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 쇼트키 US2H 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 60V 530mV @ 2A 650μA @ 60V 150°C 2A 290pF @ 0V, 1MHz
RN2104(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2104(T5L,F,T) 0.2800
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 ECAD 727 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2104 100mW SSM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47kΩ 47kΩ
2SC5171,MATUDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171,MATUDQ(J -
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 ECAD 1872년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC5171 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 180V 2A 5μA(ICBO) NPN 1V @ 100mA, 1A 100 @ 100mA, 5V 200MHz
TK16C60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16C60W,S1VQ -
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 ECAD 7901 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA TK16C60 MOSFET(금속) I2PAK 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 15.8A(타) 10V 190m옴 @ 7.9A, 10V 790μA에서 3.7V 38nC @ 10V ±30V 300V에서 1350pF - 130W(Tc)
TPN1600ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1600ANH,L1Q 0.8800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPN1600 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 100V 17A(TC) 10V 16m옴 @ 8.5A, 10V 4V @ 200μA 19nC @ 10V ±20V 50V에서 1600pF - 700mW(Ta), 42W(Tc)
TK5A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A60D(STA4,Q,M) 1.5700
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 ECAD 3980 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK5A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 5A(타) 10V 1.43옴 @ 2.5A, 10V 4.4V @ 1mA 16nC @ 10V ±30V 25V에서 700pF - 35W(Tc)
TK8A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK8A60W,S4VX 2.6600
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 ECAD 4513 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK8A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 8A(타) 10V 500m옴 @ 4A, 10V 400μA에서 3.7V 18.5nC @ 10V ±30V 300V에서 570pF - 30W(Tc)
TPW4R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R008NH,L1Q 2.7900
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 ECAD 4510 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN TPW4R008 MOSFET(금속) 8-DSOP 어드밴스 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 80V 116A(Tc) 10V 4m옴 @ 50A, 10V 4V @ 1mA 59nC @ 10V ±20V 40V에서 5300pF - 800mW(Ta), 142W(Tc)
SSM3K17SU,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K17SU,LF(D -
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 ECAD 9558 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 SSM3K17 - 1(무제한) SSM3K17SULF(D EAR99 8541.21.0095 3,000 100mA(타)
TK35E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK35E08N1,S1X 1.1500
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK35E08 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 80V 55A(Tc) 10V 12.2m옴 @ 17.5A, 10V 300μA에서 4V 25nC @ 10V ±20V 40V에서 1700pF - 72W(Tc)
RN1706,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1706,LF 0.3000
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 ECAD 939 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1706 200mW USV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7k옴 47k옴
CRZ24(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ24(TE85L,Q,M) 0.1740
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 ECAD 1286 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±10% -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-123F CRZ24 700mW S플랫(1.6x3.5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0050 3,000 1V @ 200mA 17V에서 10μA 24V 30옴
RN2707,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2707,LF 0.2900
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2707 200mW USV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10kΩ 47k옴
RN4991FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4991FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4991 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 250MHz, 200MHz 10kΩ -
SSM6N67NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N67NU,LF 0.5000
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-WDFN옆패드 SSM6N67 MOSFET(금속) 2W(타) 6-μDFN(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 30V 4A(타) 39.1m옴 @ 2A, 4.5V 1V @ 1mA 3.2nC @ 4.5V 310pF @ 15V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.8V 드라이브
2SA2059(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2059(TE12L,F) 0.6300
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 1W PW-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1,000 20V 3A 100nA(ICBO) PNP 190mV @ 53mA, 1.6A 200 @ 500mA, 2V -
2SC2235-Y(T6CN,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y(T6CN,A,F -
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 ECAD 3118 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2235 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
2SC4793,HFEF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793,HFEF(J -
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 ECAD 2472 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC4793 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 230V 1A 1μA(ICBO) NPN 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 100MHz
2SK2995(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2995(F) -
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 ECAD 9943 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 2SK2995 MOSFET(금속) TO-3P(N)IS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 250V 30A(타) 10V 68m옴 @ 15A, 10V 3.5V @ 1mA 132nC @ 10V ±20V 10V에서 5400pF - 90W(Tc)
SSM3K44MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K44MFV,L3F 0.2500
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 ECAD 19 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-723 SSM3K44 MOSFET(금속) 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 N채널 30V 100mA(타) 2.5V, 4V 4옴 @ 10mA, 4V 1.5V @ 100μA ±20V 8.5pF @ 3V - 150mW(타)
2SC2655-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y,T6KEHF(M -
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 ECAD 1327 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2655 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
CMH02A(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH02A(TE12L,Q,M) -
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 ECAD 2840 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOD-128 CMH02A 기준 M플랫(2.4x3.8) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) CMH02A(TE12LQM) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 400V 1.8V @ 3A 100ns 400V에서 10μA -40°C ~ 150°C 3A -
RN1906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1906FE,LF(CT 0.2400
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1906 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7k옴 47k옴
TPN11006PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN11006PL,LQ 0.6400
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 ECAD 18 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPN11006 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 60V 26A(TC) 4.5V, 10V 11.4m옴 @ 13A, 10V 2.5V @ 200μA 17nC @ 10V ±20V 30V에서 1625pF - 610mW(Ta), 61W(Tc)
2SC4738-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4738-Y,LF 0.2000
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 2SC4738 100mW SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 80MHz
CCS15S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CCS15S30,L3F 0.3800
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 ECAD 51 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 2-SMD, 무연 CCS15S30 쇼트키 CST2C 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 20V 400mV @ 1A 30V에서 500μA 125°C(최대) 1.5A 200pF @ 0V, 1MHz
2SA949-Y,ONK-1F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y,ONK-1F(J -
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 ECAD 3985 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA949 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) PNP 800mV @ 1mA, 10A 70 @ 10mA, 5V 120MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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