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불연속 불연속 제품 (2909)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 현재 - 최대 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 저항 @ if, f 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 조건 Q @ vr, f
RN2316,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2316, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN2316 100MW SC-70 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
RN2410,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2410, LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 7556 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2410 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 4.7 Kohms
1SS301,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS301, LF 0.2100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 1SS301 기준 SC-70 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 v 125 ° C (°)
JDH2S02FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage JDH2S02FSTPL3 0.4600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 125 ° C (TJ) 2-SMD,, 리드 JDH2S02 FSC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 10,000 10 MA 0.3pf @ 0.2v, 1MHz Schottky- 싱글 10V -
TK9A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK9A65W, S5X 2.2200
RFQ
 ECAD 1169 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK9A65 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 9.3A (TA) 10V 500mohm @ 4.6a, 10V 3.5V @ 350µA 20 nc @ 10 v ± 30V 700 pf @ 300 v - 30W (TC)
SSM3J56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56ACT, L3F 0.3900
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SC-101, SOT-883 SSM3J56 MOSFET (금속 (() CST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 1.4A (TA) 1.2V, 4.5V 390mohm @ 800ma, 4.5v 1V @ 1mA 1.6 NC @ 4.5 v ± 8V 100 pf @ 10 v - 500MW (TA)
TK31N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60X, S1F 5.9700
RFQ
 ECAD 9517 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv-h 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 TK31N60 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 30.8A (TA) 10V 88mohm @ 9.4a, 10V 3.5v @ 1.5ma 65 nc @ 10 v ± 30V 3000 pf @ 300 v - 230W (TC)
TK12E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK12E80W, S1X 3.6100
RFQ
 ECAD 4687 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 TK12E80 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 11.5A (TA) 10V 450mohm @ 5.8a, 10V 4V @ 570µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 300 v - 165W (TC)
TPCA8031-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8031-H (TE12L, q -
RFQ
 ECAD 8993 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSV-H 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPCA8031 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 24A (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 1mA 21 NC @ 10 v ± 20V 2150 pf @ 10 v - 1.6W (TA), 30W (TC)
TW083Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW083Z65C, S1F 11.4500
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-247-4 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) TO-247-4L (X) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 30A (TC) 18V 118mohm @ 15a, 18V 5V @ 600µA 28 nc @ 18 v +25V, -10V 873 pf @ 400 v - 111W (TC)
1SV229TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV229TPH3F 0.3800
RFQ
 ECAD 9260 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 1SV229 USC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 6.5pf @ 10V, 1MHz 하나의 15 v 2.5 C2/C10 -
TK31V60X,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60X, LQ 5.3300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv-h 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-vSfn s 패드 TK31V60 MOSFET (금속 (() 4-DFN-EP (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 30.8A (TA) 10V 98mohm @ 9.4a, 10V 3.5v @ 1.5ma 65 nc @ 10 v ± 30V 3000 pf @ 300 v - 240W (TC)
RN2966FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2966FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 3228 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN2966 100MW ES6 - 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7kohms 47kohms
XPH2R106NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH2R106NC, L1XHQ 2.1700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVIII-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비) XPH2R106 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 110A (TA) 2.1MOHM @ 55A, 10V 2.5V @ 1mA 104 NC @ 10 v ± 20V 6900 pf @ 10 v - 960MW (TA), 170W (TC)
TPW4R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R008NH, L1Q 2.7900
RFQ
 ECAD 4510 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn TPW4R008 MOSFET (금속 (() 8-DSOP 발전 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 80 v 116A (TC) 10V 4mohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 59 NC @ 10 v ± 20V 5300 pf @ 40 v - 800MW (TA), 142W (TC)
TK5P53D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage Tk5p53d (T6RSS-Q) 1.3400
RFQ
 ECAD 4199 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Tk5p53 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 525 v 5A (TA) 10V 1.5ohm @ 2.5a, 10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 v ± 30V 540 pf @ 25 v - 80W (TC)
RN2607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2607 (TE85L, F) 0.4800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 RN2607 300MW sm6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 10kohms 47kohms
SSM3J144TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J144TU, LXHF 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 3-smd,, 리드 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 3.2A (TA) 1.5V, 4.5V 93mohm @ 1.5a, 4.5v 1V @ 1mA 4.7 NC @ 4.5 v +6V, -8V 290 pf @ 10 v - 500MW (TA)
RN2401,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2401, LF 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2401 200 MW S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 30 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
1SV279,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV279, H3F 0.4800
RFQ
 ECAD 1082 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 1SV279 ESC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 4,000 6.5pf @ 10V, 1MHz 하나의 15 v 2.5 C2/C10 -
RN1401,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1401, LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1401 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
2SK2962,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962, T6F (J. -
RFQ
 ECAD 4247 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SK2962 TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 1A (TJ)
RN1106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV, L3XHF (CT 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN1106 150 MW VESM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 5MA 80 @ 1ma, 5V 4.7 Kohms 47 Kohms
SSM3J15FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15FS, LF 0.2500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SC-75, SOT-416 SSM3J15 MOSFET (금속 (() SSM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 100MA (TA) 2.5V, 4V 12ohm @ 10ma, 4v 1.7V @ 100µA ± 20V 9.1 pf @ 3 v - 100MW (TA)
RN1309,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1309, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN1309 100MW SC-70 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 22 KOHMS
CRY75(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Cry75 (Te85L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 7359 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F Cry75 700 MW S-FLAT (1.6x3.5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 v @ 200 ma 10 µa @ 4.5 v 7.5 v 30 옴
CMF02(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF02 (TE12L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 3945 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOD-128 CMF02 기준 M-FLAT (2.4x3.8) - rohs 준수 1 (무제한) CMF02 (TE12LQM) 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 600 v 2 v @ 1 a 50 µa @ 600 v -40 ° C ~ 150 ° C 1A -
1SV271TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV271TPH3F -
RFQ
 ECAD 8514 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 125 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 1SV271 USC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 50 MA 0.4pf @ 50V, 1MHz 핀 - 단일 50V 4.5ohm @ 10ma, 100MHz
TPCC8A01-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8A01-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 4142 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSV-H 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 TPCC8A01 MOSFET (금속 (() 8 3 3. (3.3x3.3) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 21A (TA) 4.5V, 10V 9.9mohm @ 10.5a, 10v 2.3v @ 1ma 20 nc @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 10 v - 700MW (TA), 30W (TC)
2SK2989(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989 (T6Cano, A, f -
RFQ
 ECAD 8088 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SK2989 TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 5A (TJ)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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