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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 냄비에 냄비를 조건으로 Q@VR, F
1SV282TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV282TPH3F 0.0886
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 ECAD 1657년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 125°C (TJ) 표면 실장 SC-79, SOD-523 1SV282 ESC - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 4,000 3pF @ 25V, 1MHz 하나의 34V 12.5 C2/C25 -
TK3R2A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R2A10PL,S4X 2.9400
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 ECAD 99 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK3R2A10 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 100A(Tc) 4.5V, 10V 3.2m옴 @ 50A, 10V 2.5V @ 1mA 161nC @ 10V ±20V 50V에서 9500pF - 54W(Tc)
CES520,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CES520,L3F 0.1800
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 ECAD 16 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-79, SOD-523 CES520 쇼트키 ESC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 8,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 30V 600mV @ 200mA 30V에서 5μA 125°C(최대) 200mA 17pF @ 0V, 1MHz
SSM3J307T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J307T(TE85L,F) -
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 ECAD 9193 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSV 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J307 MOSFET(금속) TSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 5A(타) 1.5V, 4.5V 31m옴 @ 4A, 4.5V 1V @ 1mA 19nC @ 4.5V ±8V 1170pF @ 10V - 700mW(타)
CMF05(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF05(TE12L,Q,M) 0.5300
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 ECAD 25 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 CMF05 기준 M플랫(2.4x3.8) 다운로드 ROHS3 준수 4(72시간) EAR99 8541.10.0070 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1000V 2.7V @ 500mA 100ns 800V에서 50μA -40°C ~ 125°C 500mA -
SSM6L14FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L14FE(TE85L,F) 0.4300
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 ECAD 35 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6L14 MOSFET(금속) 150mW(타) ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 N 및 P 채널 20V 800mA(타), 720mA(타) 240m옴 @ 500mA, 4.5V, 300m옴 @ 400mA, 4.5V 1V @ 1mA 2nC @ 4.5V, 1.76nC @ 4.5V 90pF @ 10V, 110pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.5V 드라이브
1SV279,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV279,H3F 0.4800
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 ECAD 1082 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-79, SOD-523 1SV279 ESC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 4,000 6.5pF @ 10V, 1MHz 하나의 15V 2.5 C2/C10 -
CMF02(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF02(TE12L,Q,M) -
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 ECAD 3945 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOD-128 CMF02 기준 M플랫(2.4x3.8) - RoHS 준수 1(무제한) CMF02(TE12LQM) EAR99 8541.10.0080 3,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 600V 2V @ 1A 600V에서 50μA -40°C ~ 150°C 1A -
TK125V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK125V65Z,LQ 4.9000
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 ECAD 7993 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSVI 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 4-VSFN 옆형 패드 TK125V65 MOSFET(금속) 4-DFN-EP(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 650V 24A(타) 10V 125m옴 @ 12A, 10V 4V @ 1.02mA 40nC @ 10V ±30V 300V에서 2250pF - 190W(Tc)
TK35N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W5,S1F 9.0900
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 ECAD 7466 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 TK35N65 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 35A(타) 10V 95m옴 @ 17.5A, 10V 4.5V @ 2.1mA 115nC @ 10V ±30V 300V에서 4100pF - 270W(Tc)
TPH9R00CQH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R00CQH,LQ 2.0000
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 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) 264-TPH9R00CQHLQTR EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 150V 64A(티씨) 8V, 10V 9m옴 @ 32A, 10V 4.3V @ 1mA 44nC @ 10V ±20V 75V에서 5400pF - 960mW(Ta), 210W(Tc)
RN2409,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2409,LXHF 0.3400
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2409 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 47kΩ 22kΩ
RN1405,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1405,LXHF 0.3400
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1405 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 47kΩ
RN2101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101,LXHF(CT 0.3300
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2101 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
RN2404,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2404,LXHF 0.0645
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 ECAD 7148 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2404 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47kΩ 47kΩ
SSM6L36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L36TU,LF 0.3800
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 ECAD 14 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6L36 MOSFET(금속) 500mW(타) UF6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N 및 P 채널 20V 500mA(타), 330mA(타) 630m옴 @ 200mA, 5V, 1.31옴 @ 100mA, 4.5V 1V @ 1mA 1.23nC @ 4V, 1.2nC @ 4V 46pF @ 10V, 43pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.5V 드라이브
2SC6100,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6100,LF 0.5300
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 ECAD 42 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 2SC6100 500mW UFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 2.5A 100nA(ICBO) NPN 140mV @ 20mA, 1A 400 @ 300mA, 2V -
RN4984,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984,LXHF(CT 0.4400
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4984 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 47k옴 47k옴
TK40S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK40S06N1L,LXHQ 1.0700
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 ECAD 20 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK40S06 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 60V 40A(타) 4.5V, 10V 18m옴 @ 20A, 10V 2.5V @ 200μA 26nC @ 10V ±20V 10V에서 1650pF - 88.2W(Tc)
RN2424(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2424(TE85L,F) 0.4100
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2424 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 800mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250mV @ 1mA, 50mA 90 @ 100mA, 1V 200MHz 10kΩ 10kΩ
TK30E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK30E06N1,S1X 0.9400
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 ECAD 6995 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK30E06 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 43A(타) 10V 15m옴 @ 15A, 10V 4V @ 200μA 16nC @ 10V ±20V 30V에서 1050pF - 53W(Tc)
1SV277TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV277TPH3F 0.3800
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-76, SOD-323 1SV277 USC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 2.35pF @ 4V, 1MHz 하나의 10V 2.3 C1/C4 -
TK3P80E,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK3P80E,RQ 1.1500
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 ECAD 4414 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 800V 3A(타) 10V 4.9옴 @ 1.5A, 10V 300μA에서 4V 12nC @ 10V ±30V 25V에서 500pF - 80W(Tc)
RN1108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1108,LF(CT 0.2000
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1108 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22kΩ 47kΩ
RN1101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101,LXHF(CT 0.3300
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 ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1101 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
RN2905,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905,LXHF(CT 0.4400
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2905 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 2.2kΩ 47k옴
RN2422TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2422TE85LF 0.4200
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 ECAD 4270 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2422 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 800mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250mV @ 1mA, 50mA 65 @ 100mA, 1V 200MHz 2.2kΩ 2.2kΩ
CUS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CUS10I40A(TE85L,QM -
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 ECAD 1671년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-76, SOD-323 CUS10I40 쇼트키 US-FLAT(1.25x2.5) 다운로드 RoHS 준수 CUS10I40A(TE85LQM EAR99 8541.10.0080 4,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 490mV @ 700mA 40V에서 60μA 150°C(최대) 1A 35pF @ 10V, 1MHz
TPH6400ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH6400ENH,L1Q 1.7300
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 ECAD 19 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPH6400 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 200V 13A(타) 10V 64m옴 @ 6.5A, 10V 300μA에서 4V 11.2nC @ 10V ±20V 100V에서 1100pF - 1.6W(Ta), 57W(Tc)
2SC2655-O(ND2,AF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-O(ND2,AF) -
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 ECAD 9458 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2655 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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