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불연속 불연속 제품 (2909)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
TPH1R403NL, L1Q	1.5500	RFQ	5	Toshiba 반도체 a 저장	U-Mosviii-H	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	TPH1R403	MOSFET (금속 (()		8-SOP Advance (5x5)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	5,000			n 채널	30 v	60A (TA)	4.5V, 10V	1.4mohm @ 30a, 10V	2.3V @ 500µA	46 NC @ 10 v	± 20V	4400 pf @ 15 v	-	1.6W (TA), 64W (TC)
RN1106MFV, L3XHF (CT	0.3400	RFQ	8	Toshiba 반도체 a 저장	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	SOT-723	RN1106		150 MW	VESM	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8541.21.0095	8,000																							50 v	100 MA	500NA	npn-사전-	300MV @ 500µA, 5MA	80 @ 1ma, 5V		4.7 Kohms	47 Kohms
1SS302A, LF	0.2200	RFQ	6	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	SC-70, SOT-323	1SS302	기준		SC-70	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												1 연결 연결 시리즈	80 v	100ma	1.2 v @ 100 ma	4 ns	500 NA @ 80 v	-55 ° C ~ 150 ° C
TPCA8009-H (TE12L, Q	-	RFQ	7100	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	TPCA8009	MOSFET (금속 (()		8-SOP Advance (5x5)	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널	150 v	7A (TA)	10V	350mohm @ 3.5a, 10V	4V @ 1MA	10 nc @ 10 v	± 20V	600 pf @ 10 v	-	1.6W (TA), 45W (TC)
2SC6139, T2F (m	-	RFQ	7133	Toshiba 반도체 a 저장	-	대부분	쓸모없는	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	SC-71	2SC6139		1 W.	MSTM	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8541.29.0075	1																							160 v	1.5 a	100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 50ma, 500ma	140 @ 100MA, 5V	100MHz
TPN1110ENH, L1Q	1.6800	RFQ	1291	Toshiba 반도체 a 저장	U-Mosviii-H	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	TPN1110	MOSFET (금속 (()		8 1 3. (3.1x3.1)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	5,000			n 채널	200 v	7.2A (TA)	10V	114mohm @ 3.6a, 10V	4V @ 200µA	7 nc @ 10 v	± 20V	600 pf @ 100 v	-	700MW (TA), 39W (TC)
RN2706JE (TE85L, F)	0.3900	RFQ	4	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	SOT-553	RN2706		100MW	ESV	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.21.0095	4,000																							50V	100ma	100NA (ICBO)	2 pnp--바이어스 (이중 이중) (이미 터 커플 링)	300MV @ 250µA, 5MA	80 @ 10ma, 5V	200MHz	4.7kohms	47kohms
RN1416, LXHF	0.3400	RFQ	6	Toshiba 반도체 a 저장	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RN1416		200 MW	S- 미니	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8541.21.0095	3,000																							50 v	100 MA	500NA	npn-사전-	300MV @ 250µA, 5MA	50 @ 10ma, 5V	250MHz	4.7 Kohms	10 KOHMS
TK12A60W, S4VX	3.9800	RFQ	50	Toshiba 반도체 a 저장	dtmosiv	튜브	활동적인	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	TK12A60	MOSFET (금속 (()		TO-220SIS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널	600 v	11.5A (TA)	10V	300mohm @ 5.8a, 10V	3.7V @ 600µA	25 nc @ 10 v	± 30V	890 pf @ 300 v	-	35W (TC)
RN2710, LF	0.3000	RFQ	6	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	RN2710		200MW	USV	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50V	100ma	100NA (ICBO)	2 pnp--바이어스 (듀얼)	300MV @ 250µA, 5MA	120 @ 1ma, 5V	200MHz	4.7kohms	-
TPH3R003PL, LQ	0.9900	RFQ	3	Toshiba 반도체 a 저장	U-Mosix-H	테이프 & tr (TR)	활동적인	175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	TPH3R003	MOSFET (금속 (()		8-SOP Advance (5x5)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널	30 v	88A (TC)	4.5V, 10V	4.2MOHM @ 44A, 4.5V	2.1V @ 300µA	50 nc @ 10 v	± 20V	3825 pf @ 15 v	-	90W (TC)
2SA1954-A (TE85L, F)	-	RFQ	8074	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	125 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	2SA1954		100MW	SC-70	-		1 (무제한)		귀 99	8541.21.0075	3,000																							12 v	500 MA	100NA (ICBO)	PNP	250mv @ 10ma, 200ma	300 @ 10ma, 2v	130MHz
SSM6J507NU, LF	0.4600	RFQ	50	Toshiba 반도체 a 저장	U-Mosvi	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	6-wdfn n 패드	SSM6J507	MOSFET (금속 (()		6-udfnb (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	3,000			p 채널	30 v	10A (TA)	4V, 10V	20mohm @ 4a, 10V	2.2V @ 250µA	20.4 NC @ 4.5 v	+20V, -25V	1150 pf @ 15 v	-	1.25W (TA)
RN1673 (TE85L, F)	-	RFQ	6017	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN1673		300MW	US6	-		1 (무제한)		귀 99	8541.21.0095	3,000																							50V	100ma	100NA (ICBO)	2 npn--바이어스 (듀얼)	300MV @ 250µA, 5MA	120 @ 1ma, 5V	-	47kohms	-
SSM3K35CT, L3F	0.3200	RFQ	13	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C	표면 표면	SC-101, SOT-883	SSM3K35	MOSFET (금속 (()		CST3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.21.0095	10,000			n 채널	20 v	180MA (TA)	1.2V, 4V	3ohm @ 50ma, 4v	1V @ 1mA		± 10V	9.5 pf @ 3 v	-	100MW (TA)
CUS05S40, H3F	0.3200	RFQ	105	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	SC-76, SOD-323	CUS05S40	Schottky		USC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		350 mv @ 100 ma		30 µa @ 10 v	125 ° C (°)	500ma	42pf @ 0V, 1MHz
SSM3K345R, LF	0.4300	RFQ	8	Toshiba 반도체 a 저장	U-Mosvi	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-3 3 리드	SSM3K345	MOSFET (금속 (()		SOT-23F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널	20 v	4A (TA)	1.5V, 4.5V	33mohm @ 4a, 4.5v	1V @ 1mA	3.6 NC @ 4.5 v	± 8V	410 pf @ 10 v	-	1W (TA)
RN4982FE, LXHF (Ct	0.3800	RFQ	6	Toshiba 반도체 a 저장	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	SOT-563, SOT-666	RN4982		100MW	ES6	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8541.21.0095	4,000																							50V	100ma	500NA	1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중)	300MV @ 250µA, 5MA	50 @ 10ma, 5V	250MHz, 200MHz	10kohms	10kohms
ssm6n48fu, rf (d	-	RFQ	1977	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SSM6N48	MOSFET (금속 (()	300MW	US6	다운로드		1 (무제한)	ssm6n48furf (d	귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)			30V	100MA (TA)		3.2ohm @ 10ma, 4v	1.5V @ 100µa	-		15.1pf @ 3v	로직 로직 게이트, 2.5V 드라이브
RN2104MFV, L3F	-	RFQ	2607	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	SOT-723	RN2104		150 MW	VESM	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	RN2104MFVL3F	귀 99	8541.21.0075	8,000																							50 v	100 MA	500NA	pnp- 사전-	300MV @ 500µA, 5MA	80 @ 10ma, 5V	250MHz	47 Kohms	47 Kohms
TPCA8023-H (TE12LQM	-	RFQ	3367	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	TPCA8023	MOSFET (금속 (()		8-SOP Advance (5x5)	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널	30 v	21A (TA)	4.5V, 10V	12.9mohm @ 11a, 10V	2.5V @ 1mA	21 NC @ 10 v	± 20V	2150 pf @ 10 v	-	1.6W (TA), 30W (TC)
1SS187, LF	0.2200	RFQ	4171	Toshiba 반도체 a 저장	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	1SS187	기준		S- 미니	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													80 v		1.2 v @ 100 ma	4 ns	500 NA @ 80 v	125 ° C (°)	100ma	4pf @ 0V, 1MHz
TPCA8045-H (T2L1, VM	-	RFQ	3369	Toshiba 반도체 a 저장	u-mosvi-h	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	TPCA8045	MOSFET (금속 (()		8-SOP Advance (5x5)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	5,000			n 채널	40 v	46A (TA)	4.5V, 10V	3.6mohm @ 23a, 10V	2.3v @ 1ma	90 NC @ 10 v	± 20V	7540 pf @ 10 v	-	1.6W (TA), 45W (TC)
TPN5900CNH, L1Q	1.3400	RFQ	5	Toshiba 반도체 a 저장	U-Mosviii-H	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	TPN5900	MOSFET (금속 (()		8 1 3. (3.1x3.1)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	5,000			n 채널	150 v	9A (TA)	10V	59mohm @ 4.5a, 10V	4V @ 200µA	7 nc @ 10 v	± 20V	600 pf @ 75 v	-	700MW (TA), 39W (TC)
2SK3700 (F)	2.5200	RFQ	100	Toshiba 반도체 a 저장	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-3P-3, SC-65-3	2SK3700	MOSFET (금속 (()		TO-3P (N)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널	900 v	5A (TA)		2.5ohm @ 3a, 10V	4V @ 1MA	28 nc @ 10 v		1150 pf @ 25 v	-	150W (TC)
TK12P50W, RQ	2.0000	RFQ	6704	Toshiba 반도체 a 저장	dtmosiv	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		MOSFET (금속 (()		DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	2,000			n 채널	500 v	11.5A (TA)	10V	340mohm @ 5.8a, 10V	3.7V @ 600µA	25 nc @ 10 v	± 30V	890 pf @ 300 v	-	100W (TC)
SSM6K403TU, LF	0.4900	RFQ	6811	Toshiba 반도체 a 저장	U-mosiii	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	6-SMD,, 리드	SSM6K403	MOSFET (금속 (()		UF6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널	20 v	4.2A (TA)	1.5V, 4V	28mohm @ 3a, 4v	1V @ 1mA	16.8 nc @ 4 v	± 10V	1050 pf @ 10 v	-	500MW (TA)
HN1B04FU-Y, LXHF	0.4200	RFQ	6	Toshiba 반도체 a 저장	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	HN1B04		200MW	US6	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8541.21.0075	3,000																							50V	150ma	100NA (ICBO)	NPN, PNP	250mv @ 10ma, 100ma / 300mv @ 10ma, 100ma	120 @ 2MA, 6V	150MHz, 120MHz
TPCC8136.LQ	-	RFQ	7165	Toshiba 반도체 a 저장	U-Mosvi	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C	표면 표면	8-powervdfn	TPCC8136	MOSFET (금속 (()		8 1 3. (3.1x3.1)	-		1 (무제한)	264-tpcc8136.lqtr	귀 99	8541.29.0095	3,000			p 채널	20 v	9.4A (TA)	1.8V, 4.5V	16mohm @ 9.4a, 4.5v	1.2v @ 1ma	36 nc @ 5 v	± 12V	2350 pf @ 10 v	-	700MW (TA), 18W (TC)
RN2106MFV, L3XHF (CT	0.3400	RFQ	6	Toshiba 반도체 a 저장	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	SOT-723	RN2106		150 MW	VESM	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8541.21.0095	8,000																							50 v	100 MA	500NA	pnp- 사전-	300MV @ 500µA, 5MA	80 @ 10ma, 5V	250MHz	4.7 Kohms	47 Kohms

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²