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디스크리트 반도체(2909)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 최대	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	현재 - 최대	테스트 조건	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	다이오 구성	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	Td(켜기/끄기) @ 25°C	다이오드	전압 - 역방향(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	저항 @ If, F	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)
TPH3R003PL,LQ	0.9900	보상요청	3	도시바 및 저장	U-MOSIX-H	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		175°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN	TPH3R003		MOSFET(금속)		8-SOP 사전(5x5)	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	3,000			N채널			30V	88A(Tc)	4.5V, 10V	4.2m옴 @ 44A, 4.5V	300μA에서 2.1V	50nC @ 10V	±20V	3825pF @ 15V	-	90W(Tc)
TPH2010FNH,L1Q	1.6200	보상요청	10	도시바 및 저장	U-MOSVIII-H	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN	TPH2010		MOSFET(금속)		8-SOP 사전(5x5)	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	5,000			N채널			250V	5.6A(타)	10V	198m옴 @ 2.8A, 10V	4V @ 200μA	7nC @ 10V	±20V	100V에서 600pF	-	1.6W(Ta), 42W(Tc)
RN2904FE,LXHF(CT	0.3800	보상요청	8	도시바 및 저장	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	SOT-563, SOT-666	RN2904			100mW	ES6	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	4,000																										50V	100mA							500nA				2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)	250μA에서 300mV, 5mA	80 @ 10mA, 5V	200MHz	47k옴	47k옴
TPN2R503NC,L1Q	-	보상요청	1432	도시바 및 저장	U-MOSVIII	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN	TPN2R503		MOSFET(금속)		8-TSON 고급(3.1x3.1)	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	5,000			N채널			30V	40A(타)	4.5V, 10V	2.5m옴 @ 20A, 10V	500μA에서 2.3V	40nC @ 10V	±20V	2230pF @ 15V	-	700mW(Ta), 35W(Tc)
2SA1587-BL,LF	0.2700	보상요청	6	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		125°C (TJ)	표면 실장	SC-70, SOT-323	2SA1587			100mW	SC-70	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	3,000																										120V	100mA							100nA(ICBO)				PNP	300mV @ 1mA, 10mA	350 @ 2mA, 6V	100MHz
RN4984(T5L,F,T)	0.1400	보상요청	2	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			표면 실장	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4984			200mW	US6	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000																										50V	100mA							100μA(ICBO)				NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중)	250μA에서 300mV, 5mA	80 @ 10mA, 5V	250MHz, 200MHz	47k옴	47k옴
2SA1362-GR,LF	0.4000	보상요청	7	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SA1362			200mW	S-미니	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	3,000																										15V	800mA							100nA(ICBO)				PNP	200mV @ 8mA, 400mA	200 @ 100mA, 1V	120MHz
SSM6J206FE(TE85L,F	-	보상요청	3596	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	SOT-563, SOT-666	SSM6J206		MOSFET(금속)		ES6	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	4,000			P채널			20V	2A(타)	1.8V, 4V	130m옴 @ 1A, 4V	1V @ 1mA		±8V	10V에서 335pF	-	500mW(타)
SSM6N7002BFU(T5L,F	-	보상요청	3812	도시바 및 저장	-	컷테이프(CT)	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	표면 실장	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SSM6N7002		MOSFET(금속)	300mW	US6	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 N채널(듀얼)					60V	200mA		2.1옴 @ 500mA, 10V	250μA에서 3.1V	-		17pF @ 25V	게임 레벨 레벨
TK5R3E08QM,S1X	1.5800	보상요청	98	도시바 및 저장	U-MOSX-H	튜브	활동적인		175°C	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	50			N채널			80V	120A(Tc)	6V, 10V	5.3m옴 @ 50A, 10V	700μA에서 3.5V	55nC @ 10V	±20V	40V에서 3980pF	-	150W(Tc)
TRS12N65FB,S1Q	4.9600	보상요청	55	도시바 및 저장	-	튜브	활동적인			스루홀	TO-247-3	TRS12N65		SiC(탄화규소) 쇼트키		TO-247	-		1(무제한)	264-TRS12N65FBS1Q	EAR99	8541.10.0080	30		복구 시간 없음 > 500mA(Io)														1쌍의 세션이 시작됩니다	650V	6A(DC)	1.6V @ 6A	0ns	650V에서 30μA	175°C
JDH2S01FSTPL3	-	보상요청	7312	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		125°C (TJ)		2-SMD, 플랫 리드	JDH2S01				fSC	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.10.0070	10,000				25mA																				0.6pF @ 0.2V, 1MHz								쇼트키 - Single	4V				-
JDP4P02AT(TE85L)	-	보상요청	5762	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)		4-SMD, 무연	JDP4P02				CST4(1.2x0.8)	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.10.0070	4,000				50mA																				0.4pF @ 1V, 1MHz								PIN - 2면	30V				1.5옴 @ 10mA, 100MHz
TK72A12N1,S4X	3.0100	보상요청	20	도시바 및 저장	U-MOSVIII-H	튜브	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	TK72A12		MOSFET(금속)		TO-220SIS	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	50			N채널			120V	72A(Tc)	10V	4.5m옴 @ 36A, 10V	4V @ 1mA	130nC @ 10V	±20V	60V에서 8100pF	-	45W(Tc)
1SS387CT,L3F	0.2400	보상요청	129	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	SOD-882	1SS387		기준		중부표준시2	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.10.0070	10,000		작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도															80V		1.2V @ 100mA	4ns	500nA @ 80V	150°C(최대)	100mA	0.5pF @ 0V, 1MHz
CBS05F30,L3F	0.3900	보상요청	1	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	2-SMD, 무연	CBS05F30		쇼트키		CST2B	-	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.10.0070	10,000		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)															30V				30V에서 50μA	125°C(최대)	500mA	118pF @ 0V, 1MHz
GT50JR21(STA1,E,S)	4.7900	보상요청	6501	도시바 및 저장	-	튜브	활동적인		175°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3		기준		230W	TO-3P(엔)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	264-GT50JR21(STA1ES)	EAR99	8541.29.0095	25					-																				-	600V	50A	100A	2V @ 15V, 50A	-	-
2SK3309(TE24L,Q)	-	보상요청	7505	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	2SK3309		MOSFET(금속)		TO-220SM	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	1,000			N채널			450V	10A(타)	10V	650m옴 @ 5A, 10V	5V @ 1mA	23nC @ 10V	±30V	10V에서 920pF	-	65W(Tc)
CUS10I30A(TE85L,QM	-	보상요청	5115	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			표면 실장	SC-76, SOD-323	CUS10I30		쇼트키		US-FLAT(1.25x2.5)	다운로드	RoHS 준수		CUS10I30A(TE85LQM	EAR99	8541.10.0080	4,000		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)															30V		390mV @ 700mA		30V에서 60μA	150°C(최대)	1A	50pF @ 10V, 1MHz
CRY75(TE85L,Q,M)	-	보상요청	7359	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	±10%	-40°C ~ 150°C	표면 실장	SOD-123F	CRY75			700mW	S플랫(1.6x3.5)	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.10.0050	3,000																			1V @ 200mA		4.5V에서 10μA														7.5V	30옴
RN4982FE,LXHF(CT	0.3800	보상요청	6	도시바 및 저장	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	SOT-563, SOT-666	RN4982			100mW	ES6	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	4,000																										50V	100mA							500nA				NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중)	250μA에서 300mV, 5mA	50 @ 10mA, 5V	250MHz, 200MHz	10k옴	10k옴
TK4K1A60F,S4X	0.8300	보상요청	8560	도시바 및 저장	-	튜브	활동적인		150°C	스루홀	TO-220-3 풀팩	TK4K1A60		MOSFET(금속)		TO-220SIS	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	50			N채널			600V	2A(타)	10V	4.1옴 @ 1A, 10V	4V @ 190μA	8nC @ 10V	±30V	300V에서 270pF	-	30W(Tc)
RN2412,LXHF	0.0645	보상요청	2650	도시바 및 저장	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RN2412			200mW	S-미니	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000																										50V	100mA							100nA(ICBO)				PNP - 사전 바이어스됨	250μA에서 300mV, 5mA	120@1mA, 5V	200MHz	22kΩ
TPC6113(TE85L,F,M)	-	보상요청	4053	도시바 및 저장	유모스비	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	표면 실장	SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6	TPC6113		MOSFET(금속)		VS-6(2.9x2.8)	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000			P채널			20V	5A(타)	2.5V, 4.5V	55m옴 @ 2.5A, 4.5V	200μA에서 1.2V	10nC @ 5V	±12V	10V에서 690pF	-	700mW(타)
JDH2S02SL,L3F	0.4200	보상요청	7	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	2-SMD, 무연	JDH2S02		쇼트키		SL2	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.10.0070	10,000		작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도															10V				500mV에서 25μA	125°C(최대)	10mA	0.25pF @ 200mV, 1MHz
RN1131MFV,L3F	0.1800	보상요청	8	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	SOT-723	RN1131			150mW	베스엠	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	8,000																										50V	100mA							100nA(ICBO)				NPN - 사전 바이어스됨	500μA에서 300mV, 5mA	120@1mA, 5V		100kΩ
TK6R8A08QM,S4X	1.2100	보상요청	40	도시바 및 저장	U-MOSX-H	튜브	활동적인		175°C	스루홀	TO-220-3 풀팩			MOSFET(금속)		TO-220SIS	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	50			N채널			80V	58A(티씨)	6V, 10V	6.8m옴 @ 29A, 10V	500μA에서 3.5V	39nC @ 10V	±20V	40V에서 2700pF	-	41W(Tc)
RN1101CT(TPL3)	-	보상요청	2343	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			표면 실장	SC-101, SOT-883	RN1101			50mW	CST3	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	10,000																										20V	50mA							500nA				NPN - 사전 바이어스됨	250μA에서 150mV, 5mA	30 @ 10mA, 5V		4.7kΩ	4.7kΩ
RN2106MFV,L3XHF(CT	0.3400	보상요청	6	도시바 및 저장	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	SOT-723	RN2106			150mW	베스엠	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	8,000																										50V	100mA							500nA				PNP - 사전 바이어스됨	500μA에서 300mV, 5mA	80 @ 10mA, 5V	250MHz	4.7kΩ	47kΩ
TPH1R405PL,L1Q	1.5800	보상요청	9110	도시바 및 저장	U-MOSIX-H	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		175°C	표면 실장	8-PowerVDFN	TPH1R405		MOSFET(금속)		8-SOP 사전(5x5)	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	5,000			N채널			45V	120A(Tc)	4.5V, 10V	1.4m옴 @ 50A, 10V	500μA에서 2.4V	74nC @ 10V	±20V	6300pF @ 22.5V	-	960mW(Ta), 132W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²