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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 속도 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 냄비에 냄비를 조건으로 Q@VR, F
TK5P53D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK5P53D(T6RSS-Q) 1.3400
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 ECAD 4199 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK5P53 MOSFET(금속) D-박 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 525V 5A(타) 10V 1.5옴 @ 2.5A, 10V 4.4V @ 1mA 11nC @ 10V ±30V 25V에서 540pF - 80W(Tc)
TK4P60DB(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60DB(T6RSS-Q) -
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 ECAD 1320 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK4P60 MOSFET(금속) D-박 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TK4P60DBT6RSSQ EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 600V 3.7A(타) 10V 2옴 @ 1.9A, 10V 4.4V @ 1mA 11nC @ 10V ±30V 25V에서 540pF - 80W(Tc)
SSM3J16FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J16FU(TE85L,F) 0.3700
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 ECAD 9188 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SC-70, SOT-323 MOSFET(금속) USM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 100mA(타) 1.5V, 4V 8옴 @ 10mA, 4V 1.1V @ 100μA ±10V 11pF @ 3V - 150mW(타)
RN2113MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2113MFV,L3F 0.1800
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2113 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 47kΩ
TPCA8062-H,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8062-H,LQ(CM -
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 ECAD 4497 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8062 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 28A(타) 4.5V, 10V 5.6m옴 @ 14A, 10V 300μA에서 2.3V 34nC @ 10V ±20V 2900pF @ 10V - 1.6W(Ta), 42W(Tc)
TK560A60Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK560A60Y,S4X 1.5300
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 ECAD 1059 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK560A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 7A(TC) 10V 560m옴 @ 3.5A, 10V 4V @ 240μA 14.5nC @ 10V ±30V 300V에서 380pF - 30W
RN2704,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2704,LF 0.3100
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2704 200mW USV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47k옴 47k옴
TK35N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W5,S1F 9.0900
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 ECAD 7466 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 TK35N65 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 35A(타) 10V 95m옴 @ 17.5A, 10V 4.5V @ 2.1mA 115nC @ 10V ±30V 300V에서 4100pF - 270W(Tc)
TK125V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK125V65Z,LQ 4.9000
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 ECAD 7993 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSVI 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 4-VSFN 옆형 패드 TK125V65 MOSFET(금속) 4-DFN-EP(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 650V 24A(타) 10V 125m옴 @ 12A, 10V 4V @ 1.02mA 40nC @ 10V ±30V 300V에서 2250pF - 190W(Tc)
1SV279,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV279,H3F 0.4800
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 ECAD 1082 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-79, SOD-523 1SV279 ESC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 4,000 6.5pF @ 10V, 1MHz 하나의 15V 2.5 C2/C10 -
CMF02(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF02(TE12L,Q,M) -
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 ECAD 3945 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOD-128 CMF02 기준 M플랫(2.4x3.8) - RoHS 준수 1(무제한) CMF02(TE12LQM) EAR99 8541.10.0080 3,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 600V 2V @ 1A 600V에서 50μA -40°C ~ 150°C 1A -
TK3P80E,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK3P80E,RQ 1.1500
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 ECAD 4414 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 800V 3A(타) 10V 4.9옴 @ 1.5A, 10V 300μA에서 4V 12nC @ 10V ±30V 25V에서 500pF - 80W(Tc)
RN1108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1108,LF(CT 0.2000
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1108 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22kΩ 47kΩ
RN4984,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984,LXHF(CT 0.4400
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4984 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 47k옴 47k옴
TPH9R00CQH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R00CQH,LQ 2.0000
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 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) 264-TPH9R00CQHLQTR EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 150V 64A(티씨) 8V, 10V 9m옴 @ 32A, 10V 4.3V @ 1mA 44nC @ 10V ±20V 75V에서 5400pF - 960mW(Ta), 210W(Tc)
RN2409,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2409,LXHF 0.3400
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2409 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 47kΩ 22kΩ
SSM6K217FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K217FE,LF 0.3700
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 ECAD 37 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6K217 MOSFET(금속) ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 N채널 40V 1.8A(타) 1.8V, 8V 195m옴 @ 1A, 8V 1.2V @ 1mA 1.1nC @ 4.2V ±12V 10V에서 130pF - 500mW(타)
RN1405,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1405,LXHF 0.3400
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1405 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 47kΩ
RN2101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101,LXHF(CT 0.3300
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2101 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
HN1B04FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU-Y,LF 0.2700
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 ECAD 12 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1B04 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN, PNP 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 150MHz
RN2404,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2404,LXHF 0.0645
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 ECAD 7148 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2404 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47kΩ 47kΩ
2SC6100,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6100,LF 0.5300
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 ECAD 42 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 2SC6100 500mW UFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 2.5A 100nA(ICBO) NPN 140mV @ 20mA, 1A 400 @ 300mA, 2V -
1SV277TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV277TPH3F 0.3800
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-76, SOD-323 1SV277 USC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 2.35pF @ 4V, 1MHz 하나의 10V 2.3 C1/C4 -
RN2905,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905,LXHF(CT 0.4400
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2905 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 2.2k옴 47k옴
CUS10F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10F40,H3F 0.3300
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-76, SOD-323 CUS10F40 쇼트키 USC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 670mV @ 1A 40V에서 20μA 150°C(최대) 1A 74pF @ 0V, 1MHz
SSM3K316T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K316T(TE85L,F) -
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 ECAD 3620 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K316 MOSFET(금속) TSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 4A(타) 1.8V, 10V 53m옴 @ 3A, 10V 1V @ 1mA 4.3nC @ 4V ±12V 10V에서 270pF - 700mW(타)
RN1403,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1403,LF 0.2200
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1403 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22kΩ 22kΩ
TK30E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK30E06N1,S1X 0.9400
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 ECAD 6995 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK30E06 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 43A(타) 10V 15m옴 @ 15A, 10V 4V @ 200μA 16nC @ 10V ±20V 30V에서 1050pF - 53W(Tc)
RN2424(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2424(TE85L,F) 0.4100
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2424 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 800mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250mV @ 1mA, 50mA 90 @ 100mA, 1V 200MHz 10kΩ 10kΩ
TK40S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK40S06N1L,LXHQ 1.0700
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 ECAD 20 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK40S06 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 60V 40A(타) 4.5V, 10V 18m옴 @ 20A, 10V 2.5V @ 200μA 26nC @ 10V ±20V 10V에서 1650pF - 88.2W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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