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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 조건 Q @ vr, f
CRZ27(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ27 (TE85L, Q, M) 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F CRZ27 700 MW S-FLAT (1.6x3.5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 v @ 200 ma 10 µa @ 19 v 27 v 30 옴
RN1108,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1108, LXHF (Ct 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN1108 100MW SSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 22 KOHMS 47 Kohms
TRS8E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65H, S1Q 2.7600
RFQ
 ECAD 395 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2L - Rohs3 준수 1 (무제한) 264-TRS8E65H, S1Q 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.35 V @ 8 a 0 ns 90 µa @ 650 v 175 ° C 8a 520pf @ 1v, 1MHz
TDTC124E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC124E, LM 0.1800
RFQ
 ECAD 4840 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTC124 320 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 49 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS
SSM3J307T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J307T (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 9193 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSV 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J307 MOSFET (금속 (() TSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 5A (TA) 1.5V, 4.5V 31mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 1mA 19 NC @ 4.5 v ± 8V 1170 pf @ 10 v - 700MW (TA)
SSM6J53FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm6j53fe (te85l, f) -
RFQ
 ECAD 2682 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SSM6J53 MOSFET (금속 (() ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 p 채널 20 v 1.8A (TA) 1.5V, 2.5V 1A 1A, 2.5V 136MOHM 1V @ 1mA 10.6 NC @ 4 v ± 8V 568 pf @ 10 v - 500MW (TA)
SSM3H137TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3H137TU, LF 0.4500
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u- 모시브 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 3-smd,, 리드 SSM3H137 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 34 v 2A (TA) 4V, 10V 240mohm @ 1a, 10V 1.7v @ 1ma 3 NC @ 10 v ± 20V 119 pf @ 10 v - 800MW (TA)
TK4P55D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P55D (T6RSS-Q) -
RFQ
 ECAD 5025 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Tk4p55 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) Tk4p55dt6rssq 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 550 v 4A (TA) 10V 1.88ohm @ 2a, 10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 v ± 30V 490 pf @ 25 v - 80W (TC)
2SA1832-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-Y, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 690 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 SC-75, SOT-416 120 MW SSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 80MHz
2SC5459(TOJS,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5459 (TOJS, Q, M) -
RFQ
 ECAD 5031 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SC5459 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 400 v 3 a 100µA (ICBO) NPN 1V @ 150MA, 1.2A 20 @ 300ma, 5V -
RN1706,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1706, LF 0.3000
RFQ
 ECAD 939 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1706 200MW USV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
SSM3K361TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361TU, LXHF 0.6200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVIII-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 3-smd,, 리드 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 3.5A (TA) 4.5V, 10V 69mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 100µa 3.2 NC @ 4.5 v ± 20V 430 pf @ 15 v - 1W (TA)
RN2709,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2709, LF 0.3100
RFQ
 ECAD 8528 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2709 200MW USV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 200MHz 47kohms 22kohms
RN4901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4901FE, LXHF (Ct 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN4901 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 30 @ 10ma, 5V 200MHz, 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN2704,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2704, LF 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2704 200MW USV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 47kohms 47kohms
SSM3J140TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J140TU, LF 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 3-smd,, 리드 SSM3J140 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 4.4A (TA) 1.5V, 4.5V 25.8mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 1mA 24.8 nc @ 4.5 v +6V, -8V 1800 pf @ 10 v - 500MW (TA)
TK17A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK17A80W, S4X 3.8400
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK17A80 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 17A (TA) 10V 290mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 850µA 32 NC @ 10 v ± 20V 2050 pf @ 300 v - 45W (TC)
TK16G60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16G60W5, RVQ 3.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 15.8A (TA) 10V 230mohm @ 7.9a, 10V 4.5V @ 790µA 43 NC @ 10 v ± 30V 1350 pf @ 300 v - 130W (TC)
SSM3K7002KF,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KF, LXHF 0.4000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 400MA (TA) 4.5V, 10V 1.5ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 20V 40 pf @ 10 v - 270MW (TA)
TK5R3E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage Tk5R3E08QM, S1X 1.5800
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSX-H 튜브 활동적인 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 120A (TC) 6V, 10V 5.3mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 700µA 55 NC @ 10 v ± 20V 3980 pf @ 40 v - 150W (TC)
SSM6K405TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K405TU, LF 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 SSM6K405 MOSFET (금속 (() UF6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2A (TA) 1.5V, 4V 126mohm @ 1a, 4v 1V @ 1mA 3.4 NC @ 4 v ± 10V 195 pf @ 10 v - 500MW (TA)
TK5A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk5a60d (sta4, q, m) 1.5700
RFQ
 ECAD 3980 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK5A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 5A (TA) 10V 1.43ohm @ 2.5a, 10V 4.4V @ 1mA 16 nc @ 10 v ± 30V 700 pf @ 25 v - 35W (TC)
RN2117(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2117 (TE85L, F) 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN2117 100MW SSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 30 @ 10ma, 5V 200MHz 10 KOHMS 4.7 Kohms
TRS10E65C,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10E65C, S1Q -
RFQ
 ECAD 8191 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 TRS10E65 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2L - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 10 a 0 ns 90 µa @ 650 v 175 ° C (°) 10A -
SSM6L12TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L12TU, LF 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 SSM6L12 MOSFET (금속 (() 500MW UF6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 30V, 20V 500MA (TA) 145mohm @ 500ma, 4.5v, 260mohm @ 250ma, 4v 1.1V @ 100µa - 245pf @ 10V, 218pf @ 10V -
RN1903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903, LXHF (Ct 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1903 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
SSM3J304T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J304T (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 9160 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J304 MOSFET (금속 (() TSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2.3A (TA) 1.8V, 4V 127mohm @ 1a, 4v - 6.1 NC @ 4 v ± 8V 335 pf @ 10 v - 700MW (TA)
1SV324TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV324TPH3F 0.4200
RFQ
 ECAD 972 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 1SV324 USC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 12pf @ 4V, 1MHz 하나의 10 v 4.3 C1/C4 -
TPCA8109(TE12L1,V Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8109 (TE12L1, v -
RFQ
 ECAD 3844 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 8-powervdfn TPCA8109 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) - 1 (무제한) 264-TPCA8109 (TE12L1VTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 30 v 24A (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 12a, 10V 2V @ 500µA 56 NC @ 10 v +20V, -25V 2400 pf @ 10 v - 1.6W (TA), 30W (TC)
TPH1110FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1110FNH, L1Q 1.8400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPH1110 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 250 v 10A (TA) 10V 112mohm @ 5a, 10V 4V @ 300µA 11 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 100 v - 1.6W (TA), 57W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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