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불연속 불연속 제품 (2909)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
RN2965(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2965 (TE85L, F) 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2965 200MW US6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 2.2kohms 47kohms
2SC5886A,L1XHQ(O Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5886A, L1XHQ (o -
RFQ
 ECAD 7632 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 2SC5886 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000
2SA949-Y,ONK-1F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y, ONK-1F (J. -
RFQ
 ECAD 3985 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA949 800MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 150 v 50 MA 100NA (ICBO) PNP 800mv @ 1ma, 10a 70 @ 10ma, 5V 120MHz
SSM6K781G,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K781G, LF 0.5100
RFQ
 ECAD 850 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosvii-h 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-UFBGA, WLCSP SSM6K781 MOSFET (금속 (() 6-WCSPC (1.5x1.0) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 7A (TA) 1.5V, 4.5V 18mohm @ 1.5a, 4.5v 1V @ 250µA 5.4 NC @ 4.5 v ± 8V 600 pf @ 6 v - 1.6W (TA)
TK20J60U(F) Toshiba Semiconductor and Storage tk20J60U (F) -
RFQ
 ECAD 2851 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosii 쟁반 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 Tk20J60 MOSFET (금속 (() TO-3P (N) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 20A (TA) 10V 190mohm @ 10a, 10V 5V @ 1MA 27 NC @ 10 v ± 30V 1470 pf @ 10 v - 190W (TC)
2SK2145-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145-BL (TE85L, f 0.6800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 2SK2145 300MW SMV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 13pf @ 10V 6 ma @ 10 v 200 MV @ 100 NA
TK5P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P60W5, RVQ 1.3300
RFQ
 ECAD 1789 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 4.5A (TA) 10V 990mohm @ 2.3a, 10V 4.5V @ 230µA 11.5 nc @ 10 v ± 30V 370 pf @ 300 v - 60W (TC)
TK160F10N1,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1, LXGQ 3.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 175 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB TK160F10 MOSFET (금속 (() TO-220SM (W) 다운로드 3 (168 시간) 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 100 v 160A (TA) 10V 2.4mohm @ 80a, 10V 4V @ 1MA 121 NC @ 10 v ± 20V 8510 pf @ 10 v - 375W (TC)
CMS08(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS08 (TE12L, Q, M) 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 CMS08 Schottky M-FLAT (2.4x3.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 370 mV @ 3 a 1.5 ma @ 30 v -40 ° C ~ 125 ° C 1A 70pf @ 10V, 1MHz
2SC6076(TE16L1,NV) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6076 (TE16L1, NV) 0.6300
RFQ
 ECAD 7769 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SC6076 10 W. PW-Mold 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 2,000 80 v 3 a 1µA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 1a 180 @ 500ma, 2V 150MHz
RN1415(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1415 (TE85L, F) 0.3400
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1415 200 MW S- 미니 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
RN2102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2102MFV, L3XHF (CT 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN2102 150 MW VESM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
TK15A60U(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk15a60u (sta4, q, m) -
RFQ
 ECAD 1261 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosii 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK15A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 15A (TA) 10V 300mohm @ 7.5a, 10V 5V @ 1MA 17 nc @ 10 v ± 30V 950 pf @ 10 v - 40W (TC)
2SC6010(T2MITUM,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6010 (T2Mitum, FM -
RFQ
 ECAD 5872 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-71 2SC6010 1 W. MSTM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 600 v 1 a 100µA (ICBO) NPN 1V @ 75MA, 600MA 100 @ 100ma, 5V -
2SA1429-Y(T2OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1429-Y (T2OMI, FM -
RFQ
 ECAD 3230 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-71 2SA1429 1 W. MSTM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 80 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 80MHz
CUS10F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10F40, H3F 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 CUS10F40 Schottky USC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 670 mV @ 1 a 20 µa @ 40 v 150 ° C (°) 1A 74pf @ 0v, 1MHz
2SK2989,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989, T6F (J. -
RFQ
 ECAD 7347 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SK2989 TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 5A (TJ)
RN2504(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2504 (TE85L, F) 0.4800
RFQ
 ECAD 247 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RN2504 300MW SMV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (이중 이중) (이미 터 커플 링) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 47kohms 47kohms
RN2303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2303 (TE85L, F) 0.2700
RFQ
 ECAD 367 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN2303 100MW SC-70 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 200MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
TPCC8005-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8005-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 7033 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u-mosvi-h 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 TPCC8005 MOSFET (금속 (() 8 3 3. (3.3x3.3) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 26A (TA) 4.5V, 10V 6.4mohm @ 13a, 10V 2.3V @ 500µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2900 pf @ 10 v - 700MW (TA), 30W (TC)
RN2904,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2904, LF (Ct 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2904 200MW US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 47kohms 47kohms
2SC4915-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4915-Y, LF 0.4400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 2SC4915 100MW SSM 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 17dB ~ 23dB 30V 20MA NPN 100 @ 1ma, 6v 550MHz 2.3db ~ 5db @ 100MHz
TK6A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk6a65d (sta4, q, m) 1.9400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK6A65 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 6A (TA) 10V 1.11ohm @ 3a, 10V 4V @ 1MA 20 nc @ 10 v ± 30V 1050 pf @ 25 v - 45W (TC)
TK72A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK72A08N1, S4X 2.2300
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK72A08 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 80A (TA) 10V 40a, 40a, 10V 4.5mohm 4V @ 1MA 175 NC @ 10 v ± 20V 8200 pf @ 10 v - 45W (TC)
2SA1943-O(S1,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1943-O (S1, f 2.9200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-3pl 150 W. TO-3P (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 230 v 15 a 5µA (ICBO) PNP 3V @ 800ma, 8a 80 @ 1a, 5V 30MHz
TRS4A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS4A65F, S1Q 2.3700
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 TRS4A65 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220F-2L - 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.6 V @ 4 a 0 ns 20 µa @ 650 v 175 ° C (°) 4a 16pf @ 650V, 1MHz
SSM6J507NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J507NU, LF 0.4600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 SSM6J507 MOSFET (금속 (() 6-udfnb (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 10A (TA) 4V, 10V 20mohm @ 4a, 10V 2.2V @ 250µA 20.4 NC @ 4.5 v +20V, -25V 1150 pf @ 15 v - 1.25W (TA)
TPCA8016-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8016-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 6814 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - Digi-Reel® 쓸모없는 표면 표면 8-powervdfn TPCA8016 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 25A (TA) 21mohm @ 13a, 10V 2.3v @ 1ma 22 nc @ 10 v 1375 pf @ 10 v -
TBAT54,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAT54, LM 0.2100
RFQ
 ECAD 545 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TBAT54 Schottky SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 580 mV @ 100 ma 1.5 ns 2 µa @ 25 v 150 ° C (°) 140ma -
2SC2712-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-Y, LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 80MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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