SIC
close

디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) ECCN HTSUS 세트 세트 속도 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
TK090Z65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK090Z65Z,S1F 6.3200
보상요청
 ECAD 25 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSVI 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-247-4 MOSFET(금속) TO-247-4L(T) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 25 N채널 650V 30A(타) 10V 90m옴 @ 15A, 10V 4V @ 1.27mA 47nC @ 10V ±30V 300V에서 2780pF - 230W(Tc)
RN4984,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984,LF(CT 0.3500
보상요청
 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4984 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 47k옴 47k옴
RN1910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE,LF(CT 0.2700
보상요청
 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1910 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz 4.7k옴 -
2SC5354,TOJSQ(O Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5354,TOJSQ(O -
보상요청
 ECAD 2914 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 활동적인 2SC5354 다운로드 RoHS 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0095 50
CRS14(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS14(TE85L,Q,M) 0.1462
보상요청
 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-123F CRS14 쇼트키 S플랫(1.6x3.5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 490mV @ 2A 30V에서 50μA -40°C ~ 150°C 2A 90pF @ 10V, 1MHz
TJ20S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ20S04M3L(T6L1,NQ 1.3300
보상요청
 ECAD 9822 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TJ20S04 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 P채널 40V 20A(타) 6V, 10V 22.2m옴 @ 10A, 10V 3V @ 1mA 37nC @ 10V +10V, -20V 10V에서 1850pF - 41W(Tc)
RN2301,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301,LXHF 0.3900
보상요청
 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2301 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
TPC8092,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8092, LQ(에스 -
보상요청
 ECAD 8376 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) TPC8092 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 15A(타) 4.5V, 10V 9m옴 @ 7.5A, 10V 2.3V @ 200μA 25nC @ 10V ±20V 10V에서 1800pF - 1W(타)
2SC6042,T2WNLQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6042,T2WNLQ(J -
보상요청
 ECAD 6294 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-71 2SC6042 1W MSTM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 375V 1A 100μA(ICBO) NPN 1V @ 100mA, 800mA 100 @ 100mA, 5V -
2SK2962,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962,T6F(M -
보상요청
 ECAD 4332 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SK2962 TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 1A(티제이)
RN4904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4904,LXHF(CT 0.4400
보상요청
 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4904 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 47k옴 47k옴
HN1B04F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04F(TE85L,F) -
보상요청
 ECAD 3334 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 HN1B04 300mW SM6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 500mA 100nA(ICBO) NPN, PNP 250mV @ 10mA, 100mA 70 @ 100mA, 1V 200MHz
RN4987FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987FE,LF(CT 0.2700
보상요청
 ECAD 32 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4987 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 10k옴 47k옴
TMBT3906,LM Toshiba Semiconductor and Storage TMBT3906,LM 0.1800
보상요청
 ECAD 15 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TMBT3906 320mW SOT-23-3 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) PNP 400mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250MHz
CMS10(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS10(TE12L,Q,M) 0.4600
보상요청
 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 CMS10 쇼트키 M플랫(2.4x3.8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 550mV @ 1A 40V에서 500μA -40°C ~ 150°C 1A 50pF @ 10V, 1MHz
TPC8134,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8134, LQ(에스 0.7300
보상요청
 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) TPC8134 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 40V 5A(타) 4.5V, 10V 52m옴 @ 2.5A, 10V 100μA에서 2V 20nC @ 10V +20V, -25V 10V에서 890pF - 1W(타)
TK110A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK110A10PL,S4X 1.0900
보상요청
 ECAD 328 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK110A10 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 36A(티씨) 4.5V, 10V 10.8m옴 @ 18A, 10V 300μA에서 2.5V 33nC @ 10V ±20V 2040pF @ 50V - 36W(Tc)
RN2703,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2703,LF 0.2900
보상요청
 ECAD 5173 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2703 200mW USV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22kΩ 22kΩ
RN1310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1310(TE85L,F) 0.2600
보상요청
 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1310 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz 4.7kΩ
TPWR8004PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPWR8004PL,L1Q 2.9700
보상요청
 ECAD 1220 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN TPWR8004 MOSFET(금속) 8-DSOP 어드밴스 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 40V 150A(Tc) 4.5V, 10V 0.8m옴 @ 50A, 10V 2.4V @ 1mA 103nC @ 10V ±20V 20V에서 9600pF - 1W(Ta), 170W(Tc)
SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K211FE,LF 0.5400
보상요청
 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6K211 MOSFET(금속) ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 N채널 20V 3.2A(타) 1.5V, 4.5V 47m옴 @ 2A, 4.5V 1V @ 1mA 10.8nC @ 4.5V ±10V 10V에서 510pF - 500mW(타)
TPHR9203PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9203PL,L1Q 1.6300
보상요청
 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPHR9203 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 150A(Tc) 4.5V, 10V 500μA에서 2.1V 80nC @ 10V ±20V 7540pF @ 15V - 132W(Tc)
RN1418(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1418(TE85L,F) 0.3400
보상요청
 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1418 200mW S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 10kΩ
2SC3326-A,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326-A,LF 0.4000
보상요청
 ECAD 78 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3326 150mW TO-236 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 20V 300mA 100nA(ICBO) NPN 100mV @ 3mA, 30mA 200 @ 4mA, 2V 30MHz
TK14A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK14A45D(STA4,Q,M) 3.0300
보상요청
 ECAD 4530 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 - 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK14A45 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 450V 14A 340m옴 @ 7A, 10V - - -
RN2708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2708JE(TE85L,F) 0.4800
보상요청
 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-553 RN2708 100mW ESV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22kΩ 47k옴
RN1903FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903FE,LXHF(CT 0.3800
보상요청
 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1903 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22kΩ 22kΩ
HN1D03FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1D03FU,LF 0.3700
보상요청
 ECAD 35 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1D03 기준 US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 2쌍 CA + CC 80V 80mA 1.2V @ 100mA 4ns 500nA @ 80V 125°C(최대)
2SK2145-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145-BL(TE85L,F 0.6800
보상요청
 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-74A, SOT-753 2SK2145 300mW SMV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 13pF @ 10V 10V에서 6mA 200mV @ 100nA
SSM3K341TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K341TU,LF 0.4400
보상요청
 ECAD 19 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 SSM3K341 MOSFET(금속) UFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 60V 6A(타) 4V, 10V 36m옴 @ 4A, 10V 100μA에서 2.5V 9.3nC @ 10V ±20V 10V에서 550pF - 1.8W(타)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

견적요청 목록 (0개 항목)
장바구니 목록 (0개 품목)
Wishlist위시리스트(0개 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량: 1

비교 목록(0개 항목)
검색하려면 Enter 키를 누르고 닫으려면 ESC 키를 누르세요.