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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 현재 현재 (amp) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 트랜지스터 트랜지스터
ALD810026SCLI Advanced Linear Devices Inc. ALD810026SCLI 5.8548
RFQ
ECAD 4345 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD810026 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 4 n 채널
ALD210808SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210808SCL 5.8118
RFQ
ECAD 8523 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD210808 MOSFET (금속 (() 500MW 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v 80ma - 20MV @ 10µA - - 논리 논리 게이트
ALD810024SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD810024SCL 4.7958
RFQ
ECAD 8235 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD810024 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1258-5 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 4 n 채널
ALD1117SAL Advanced Linear Devices Inc. Ald1117sal 4.2600
RFQ
ECAD 574 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD1117 MOSFET (금속 (() 500MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1049 귀 99 8541.21.0095 50 2 p 채널 (채널) 일치 한 쌍 10.6v - 1800ohm @ 5V 1V @ 1µA - 3pf @ 5v -
ALD810021SCLI Advanced Linear Devices Inc. ALD810021SCLI 5.5750
RFQ
ECAD 5512 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD810021 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 4 n 채널
ALD110908ASAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110908ASAL 6.3400
RFQ
ECAD 2357 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD110908 MOSFET (금속 (() 500MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1039 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v 12MA, 3MA 500ohm @ 4.8V 810mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD910020SALI Advanced Linear Devices Inc. ALD910020SALI 5.3628
RFQ
ECAD 1692 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD910020 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 2 n 채널 (채널)
ALD1106SBL Advanced Linear Devices Inc. ALD1106SBL 6.0100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD1106 MOSFET (금속 (() 500MW 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1013 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v - 500ohm @ 5V 1V @ 1µA - 3pf @ 5v -
ALD212914SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD212914SAL 6.6728
RFQ
ECAD 4033 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD212914 MOSFET (금속 (() 500MW 8-SOIC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v 80ma - 20MV @ 10µA - - 논리 논리 게이트
ALD212900SAL Advanced Linear Devices Inc. Ald212900sal 5.6228
RFQ
ECAD 7016 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD212900 MOSFET (금속 (() 500MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1209 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v 80ma 14ohm 20mV @ 20µA - 30pf @ 5V 논리 논리 게이트
ALD110800ASCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110800ASCL 8.6000
RFQ
ECAD 436 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD110800 MOSFET (금속 (() 500MW 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1017 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v - 500ohm @ 4v 10MV@ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD111910SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD111910SAL -
RFQ
ECAD 9116 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 - - - ALD111910 MOSFET (금속 (() - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1221 귀 99 8541.29.0095 50 - - - - - - - -
ALD210804PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210804PCL 6.3498
RFQ
ECAD 7102 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD210804 MOSFET (금속 (() 500MW 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v 80ma - 20MV @ 10µA - - 논리 논리 게이트
ALD110900PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110900PAL 6.4900
RFQ
ECAD 53 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD110900 MOSFET (금속 (() 500MW 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1032 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v - 500ohm @ 4v 20mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD110908PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110908PAL 5.7472
RFQ
ECAD 9978 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD110908 MOSFET (금속 (() 500MW 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1040 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v 12MA, 3MA 500ohm @ 4.8V 820mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD110808APCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110808APCL 9.9446
RFQ
ECAD 5951 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD110808 MOSFET (금속 (() 500MW 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1024 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v 12MA, 3MA 500ohm @ 4.8V 810mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD310704SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310704SCL 6.0054
RFQ
ECAD 9339 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD310704 MOSFET (금속 (() 500MW 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1295 귀 99 8541.21.0095 50 4 p 채널, 채널 쌍 8V - - 380mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD212902PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD212902PAL 5.6826
RFQ
ECAD 5658 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD212902 MOSFET (금속 (() 500MW 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v 80ma - 20MV @ 10µA - - 논리 논리 게이트
ALD210814SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210814SCL 5.7256
RFQ
ECAD 8896 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 - 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD210814 MOSFET (금속 (() 500MW 16- - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v 80ma - 20MV @ 10µA - - 논리 논리 게이트
ALD110904SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110904SAL 4.2288
RFQ
ECAD 7289 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD110904 MOSFET (금속 (() 500MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1037 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v 12MA, 3MA 500ohm @ 4.4v 420MV @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD910024SALI Advanced Linear Devices Inc. ALD910024SALI 5.3628
RFQ
ECAD 8228 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD910024 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 2 n 채널 (채널)
ALD111933PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD111933PAL 5.7644
RFQ
ECAD 7667 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD111933 MOSFET (금속 (() 500MW 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1051 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v - 500ohm @ 5.9v 3.35V @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD114835PCL Advanced Linear Devices Inc. Ald114835pcl 7.8996
RFQ
ECAD 4717 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD114835 MOSFET (금속 (() 500MW 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1059 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v 12MA, 3MA 540ohm @ 0v 3.45V @ 1µa - 2.5pf @ 5V 고갈 고갈
ALD111933SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD111933SAL 5.1400
RFQ
ECAD 250 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD111933 MOSFET (금속 (() 500MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v - 500ohm @ 5.9v 3.35V @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD110804PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110804PCL 6.5006
RFQ
ECAD 6154 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD110804 MOSFET (금속 (() 500MW 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1022 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v 12MA, 3MA 500ohm @ 4.4v 420MV @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD1106PBL Advanced Linear Devices Inc. Ald1106pbl 6.6500
RFQ
ECAD 634 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD1106 MOSFET (금속 (() 500MW 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1012 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v - 500ohm @ 5V 1V @ 1µA - 3pf @ 5v -
ALD810021SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD810021SCL 4.7958
RFQ
ECAD 5698 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD810021 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1274-5 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 4 n 채널
ALD212908PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD212908PAL 5.6826
RFQ
ECAD 7632 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD212908 MOSFET (금속 (() 500MW 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v 80ma - 20MV @ 10µA - - 논리 논리 게이트
ALD1116SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1116SAL 4.2600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD1116 MOSFET (금속 (() 500MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1047 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v - 500ohm @ 5V 1V @ 1µA - 3pf @ 5v -
ALD810027SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD810027SCL 6.4800
RFQ
ECAD 9860 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD810027 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1261-5 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 4 n 채널
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고