 
       | 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 응용 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급업체 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 내구성 인증(암페어) | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 거주형태 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | ALD1101APAL | 9.8096 |  | 3107 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | - | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 스루홀 | 8-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD1101 | MOSFET(금속) | 500mW | 8-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1000 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N채널(이중)정확 | 10.6V | - | 75옴 @ 5V | 1V @ 10μA | - | 10pF @ 5V | - | |||||
|  | ALD310708APCL | 1814년 10월 |  | 2890 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD®, 소수값™ | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C | 스루홀 | 16-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD310708 | MOSFET(금속) | 500mW | 16-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1296 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 P 채널, 일치쌍 | 8V | - | - | 1μA에서 780mV | - | 2.5pF @ 5V | - | |||||
|  | ALD110914SAL | 4.7014 |  | 9699 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD110914 | MOSFET(금속) | 500mW | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1043 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N채널(이중)정확 | 10.6V | 12mA, 3mA | 500옴 @ 5.4V | 1.42V @ 1μA | - | 2.5pF @ 5V | - | |||||
|  | ALD110900APAL | 8.1500 |  | 34 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD®, 소수값™ | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 스루홀 | 8-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD110900 | MOSFET(금속) | 500mW | 8-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1030 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N채널(이중)정확 | 10.6V | - | 500옴 @ 4V | 10mV @ 1μA | - | 2.5pF @ 5V | - | |||||
|  | ALD114913PAL | 5.4888 |  | 6588 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 스루홀 | 8-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD114913 | MOSFET(금속) | 500mW | 8-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1065 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N채널(이중)정확 | 10.6V | 12mA, 3mA | 500옴 @ 2.7V | 1.26V @ 1μA | - | 2.5pF @ 5V | 고갈 모드 | |||||
|  | ALD114904PAL | 5.8118 |  | 4355 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 스루홀 | 8-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD114904 | MOSFET(금속) | 500mW | 8-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1063 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N채널(이중)정확 | 10.6V | 12mA, 3mA | 500옴 @ 3.6V | 1μA에서 360mV | - | 2.5pF @ 5V | 고갈 모드 | |||||
|  | ALD110904PAL | 5.6464 |  | 5212 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 스루홀 | 8-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD110904 | MOSFET(금속) | 500mW | 8-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1036 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N채널(이중)정확 | 10.6V | 12mA, 3mA | 500옴 @ 4.4V | 1μA에서 420mV | - | 2.5pF @ 5V | - | |||||
|  | ALD310704PCL | 8.6100 |  | 7235 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD®, 소수값™ | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C | 스루홀 | 16-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD310704 | MOSFET(금속) | 500mW | 16-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1293 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 P 채널, 일치쌍 | 8V | - | - | 1μA에서 380mV | - | 2.5pF @ 5V | - | |||||
|  | ALD1101SAL | 6.9000 |  | 36 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | - | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD1101 | MOSFET(금속) | 500mW | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1003 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N채널(이중)정확 | 10.6V | - | 75옴 @ 5V | 1V @ 10μA | - | - | - | |||||
|  | ALD1102ASAL | 9.4700 |  | 4188 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | - | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD1102 | MOSFET(금속) | 500mW | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1005 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 P채널(이중) 일치 | 10.6V | - | 270옴 @ 5V | 1.2V @ 10μA | - | - | - | |||||
|  | ALD910024SALI | 5.3628 |  | 8228 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD910024 | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 N채널(듀얼) | |||||||||||||
|  | ALD910021SAL | 4.2762 |  | 9094 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD910021 | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1281-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 N채널(듀얼) | ||||||||||||
|  | ALD810026SCL | 6.4800 |  | 50 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD810026 | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1260-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4N 채널 | ||||||||||||
|  | ALD810027SCL | 6.4800 |  | 9860 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD810027 | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1261-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4N 채널 | ||||||||||||
|  | ALD810026SCLI | 5.8548 |  | 4345 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD810026 | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4N 채널 | |||||||||||||
|  | ALD910020SALI | 5.3628 |  | 1692년 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD910020 | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 N채널(듀얼) | |||||||||||||
|  | ALD910019SALI | 5.3628 |  | 2632 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD910019 | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 N채널(듀얼) | |||||||||||||
|  | ALD910023SAL | 5.0400 |  | 51 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD910023 | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1263-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 N채널(듀얼) | ||||||||||||
|  | ALD810019SCLI | 6.4700 |  | 1 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD810019 | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 25 | 80mA | 4N 채널 | |||||||||||||
|  | ALD810024SCL | 4.7958 |  | 8235 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD810024 | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1258-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4N 채널 | ||||||||||||
|  | ALD810021SCL | 4.7958 |  | 5698 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD810021 | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1274-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4N 채널 | ||||||||||||
|  | ALD810021SCLI | 5.5750 |  | 5512 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD810021 | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4N 채널 | |||||||||||||
|  | ALD810028SCL | 5.5046 |  | 4021 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD810028 | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1262-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4N 채널 | ||||||||||||
|  | ALD110914PAL | 5.7472 |  | 7987 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 스루홀 | 8-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD110914 | MOSFET(금속) | 500mW | 8-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1042 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N채널(이중)정확 | 10.6V | 12mA, 3mA | 500옴 @ 5.4V | 1.42V @ 1μA | - | 2.5pF @ 5V | - | |||||
|  | ALD111933MAL | - |  | 8828 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 표면 실장 | 8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 너비) | ALD111933 | MOSFET(금속) | 500mW | 8-MSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1050 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N채널(이중)정확 | 10.6V | - | 500옴 @ 5.9V | 3.35V @ 1μA | - | 2.5pF @ 5V | - | |||||
|  | ALD210808SCL | 5.8118 |  | 8523 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD®, 소수값™ | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD210808 | MOSFET(금속) | 500mW | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N 채널, 일치쌍 | 10.6V | 80mA | - | 10μA에서 20mV | - | - | 게임 레벨 레벨 | ||||||
|  | ALD210814SCL | 5.7256 |  | 8896 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD®, 소수값™ | 튜브 | 활동적인 | - | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD210814 | MOSFET(금속) | 500mW | 16-SOIC | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N 채널, 일치쌍 | 10.6V | 80mA | - | 10μA에서 20mV | - | - | 게임 레벨 레벨 | ||||||
|  | ALD810020SCL | 4.7958 |  | 2200 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD810020 | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1273-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4N 채널 | ||||||||||||
|  | ALD212908SAL | 5.6228 |  | 5921 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD®, 소수값™ | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD212908 | MOSFET(금속) | 500mW | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N채널(이중)정확 | 10.6V | 80mA | - | 10μA에서 20mV | - | - | 게임 레벨 레벨 | ||||||
|  | ALD810019SCL | 4.7958 |  | 3693 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD810019 | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1272-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4N 채널 | 

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

전세계 제조업체

재고 창고