| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 응용 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 내구성 인증(암페어) | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 거주형태 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ALD810022SCLI | 5.5750 | ![]() | 4876 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD810022 | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4N 채널 | |||||||||||||
![]() | ALD1105SBL | 5.9800 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | - | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 표면 실장 | 14-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD1105 | MOSFET(금속) | 500mW | 14-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1011 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N 및 2 P 채널 일치 | 10.6V | - | 500옴 @ 5V | 1V @ 1μA | - | 3pF @ 5V | - | |||||
![]() | ALD810028SCLI | 5.8548 | ![]() | 8470 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD810028 | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4N 채널 | |||||||||||||
![]() | ALD810029SCLI | 5.7432 | ![]() | 1062 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | - | 튜브 | 활동적인 | - | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD810029 | 16-SOIC | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-ALD810029SCLI | 50 | - | 4N 채널 | |||||||||||||||
![]() | ALD810020SCLI | 5.5750 | ![]() | 7088 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD810020 | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4N 채널 | |||||||||||||
![]() | ALD910027SALI | 5.3812 | ![]() | 2901 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD910027 | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 N채널(듀얼) | |||||||||||||
![]() | ALD910029SALI | 5.7854 | ![]() | 5798 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | - | 튜브 | 활동적인 | - | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD910029 | 8-SOIC | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-ALD910029살리 | 50 | - | 2 N채널(듀얼) | |||||||||||||||
![]() | ALD210800PCL | 6.9310 | ![]() | 4458 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD®, 소수값™ | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 스루홀 | 16-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD210800 | MOSFET(금속) | 500mW | 16-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1213 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N 채널, 일치쌍 | 10.6V | 80mA | 25옴 | 10μA에서 20mV | - | 15pF @ 5V | 게임 레벨 레벨 | |||||
![]() | ALD1101ASAL | 9.4700 | ![]() | 46 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | - | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD1101 | MOSFET(금속) | 500mW | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1001 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N채널(이중)정확 | 10.6V | - | 75옴 @ 5V | 1V @ 10μA | - | - | - | |||||
![]() | ALD810030SCLI | 6.8000 | ![]() | 34 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | - | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD810030 | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 80mA | 4N 채널 | |||||||||||||
![]() | ALD910019SAL | 5.0400 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD910019 | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1279-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 N채널(듀얼) | ||||||||||||
![]() | ALD910025SAL | 4.2762 | ![]() | 3443 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD910025 | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1265-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 N채널(듀얼) | ||||||||||||
![]() | ALD910016SAL | 4.2762 | ![]() | 2329 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD910016 | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1276-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 N채널(듀얼) | ||||||||||||
![]() | ALD910023SALI | 5.3628 | ![]() | 4517 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD910023 | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 N채널(듀얼) | |||||||||||||
![]() | ALD910030SALI | 5.7854 | ![]() | 5473 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | - | 튜브 | 활동적인 | - | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD910030 | 8-SOIC | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-ALD910030살리 | 50 | - | 2 N채널(듀얼) | |||||||||||||||
![]() | ALD810016SCLI | 5.5750 | ![]() | 9144 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD810016 | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4N 채널 | |||||||||||||
![]() | ALD910017SALI | 5.3628 | ![]() | 7115 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD910017 | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 N채널(듀얼) | |||||||||||||
![]() | ALD110802PCL | 6.5006 | ![]() | 2566 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 스루홀 | 16-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD110802 | MOSFET(금속) | 500mW | 16-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1020 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N 채널, 일치쌍 | 10.6V | - | 500옴 @ 4.2V | 1μA에서 220mV | - | 2.5pF @ 5V | - | |||||
![]() | ALD212904PAL | 5.6826 | ![]() | 2870 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD®, 소수값™ | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 스루홀 | 8-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD212904 | MOSFET(금속) | 500mW | 8-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N채널(이중)정확 | 10.6V | 80mA | - | 10μA에서 20mV | - | - | 게임 레벨 레벨 | ||||||
![]() | ALD212908APAL | 8.6100 | ![]() | 1848년 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD®, 소수값™ | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 스루홀 | 8-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD212908 | MOSFET(금속) | 500mW | 8-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N채널(이중)정확 | 10.6V | 80mA | - | 10μA에서 20mV | - | - | 게임 레벨 레벨 | ||||||
![]() | ALD212908ASAL | 7.7706 | ![]() | 7134 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD®, 소수값™ | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD212908 | MOSFET(금속) | 500mW | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N채널(이중)정확 | 10.6V | 80mA | - | 10μA에서 20mV | - | - | 게임 레벨 레벨 | ||||||
![]() | ALD210802PCL | 6.3498 | ![]() | 1824년 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD®, 소수값™ | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 스루홀 | 16-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD210802 | MOSFET(금속) | 500mW | 16-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N 채널, 일치쌍 | 10.6V | 80mA | - | 10μA에서 20mV | - | - | 게임 레벨 레벨 | ||||||
![]() | ALD212900ASAL | 6.1776 | ![]() | 1333 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD®, 소수값™ | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD212900 | MOSFET(금속) | 500mW | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1211 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N채널(이중)정확 | 10.6V | 80mA | 14옴 | 20μA에서 10mV | - | 30pF @ 5V | 게임 레벨 레벨 | |||||
![]() | ALD1102APAL | 9.8096 | ![]() | 3830 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | - | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 스루홀 | 8-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD1102 | MOSFET(금속) | 500mW | 8-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1004 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 P채널(이중) 일치 | 10.6V | - | 270옴 @ 5V | 1.2V @ 10μA | - | - | - | |||||
![]() | ALD1108EPCL | - | ![]() | 2223 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 스루홀 | 16-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD1108 | MOSFET(금속) | 600mW | 16-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N 채널, 일치쌍 | 10V | - | 500옴 @ 5V | 1.01V @ 1μA | - | 25pF @ 5V | - | ||||||
![]() | ALD310702PCL | 7.1248 | ![]() | 4744 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD®, 소수값™ | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C | 스루홀 | 16-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD310702 | MOSFET(금속) | 500mW | 16-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1289 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 P 채널, 일치쌍 | 8V | - | - | 1μA에서 180mV | - | 2.5pF @ 5V | - | |||||
![]() | ALD910028SALI | 5.3812 | ![]() | 4378 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD910028 | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 N채널(듀얼) | |||||||||||||
![]() | ALD1102SAL | 6.9000 | ![]() | 54 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | - | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD1102 | MOSFET(금속) | 500mW | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1007 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 P채널(이중) 일치 | 10.6V | - | 270옴 @ 5V | 1.2V @ 10μA | - | 10pF @ 5V | - | |||||
![]() | ALD210808PCL | 5.8764 | ![]() | 1991년 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD®, 소수값™ | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 스루홀 | 16-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD210808 | MOSFET(금속) | 500mW | 16-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N 채널, 일치쌍 | 10.6V | 80mA | - | 10μA에서 20mV | - | - | 게임 레벨 레벨 | ||||||
![]() | ALD114935PAL | 6.0054 | ![]() | 3158 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 스루홀 | 8-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD114935 | MOSFET(금속) | 500mW | 8-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1067 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N채널(이중)정확 | 10.6V | 12mA, 3mA | 540옴 @ 0V | 3.45V @ 1μA | - | 2.5pF @ 5V | 고갈 모드 |

일일 평균 견적 요청량

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