 
       | 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 응용 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 내구성 인증(암페어) | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 거주형태 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | ALD310702APCL | 1814년 10월 |  | 7292 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD®, 소수값™ | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C | 스루홀 | 16-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD310702 | MOSFET(금속) | 500mW | 16-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1288 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 P 채널, 일치쌍 | 8V | - | - | 1μA에서 180mV | - | 2.5pF @ 5V | - | |||||
|  | ALD210800ASCL | 8.7200 |  | 30 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD®, 소수값™ | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD210800 | MOSFET(금속) | 500mW | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1214 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N 채널, 일치쌍 | 10.6V | 80mA | 25옴 | 10mV @ 10μA | - | 15pF @ 5V | 게임 레벨 레벨 | |||||
|  | ALD114935SAL | 4.9612 |  | 1067 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD114935 | MOSFET(금속) | 500mW | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1068 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N채널(이중)정확 | 10.6V | 12mA, 3mA | 540옴 @ 0V | 3.45V @ 1μA | - | 2.5pF @ 5V | 고갈 모드 | |||||
|  | ALD110908SAL | 4.7014 |  | 2643 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD110908 | MOSFET(금속) | 500mW | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1041 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N채널(이중)정확 | 10.6V | 12mA, 3mA | 500옴 @ 4.8V | 1μA에서 820mV | - | 2.5pF @ 5V | - | |||||
|  | ALD110808PCL | 5.9624 |  | 8290 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 스루홀 | 16-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD110808 | MOSFET(금속) | 500mW | 16-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1026 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N 채널, 일치쌍 | 10.6V | 12mA, 3mA | 500옴 @ 4.8V | 1μA에서 820mV | - | 2.5pF @ 5V | - | |||||
|  | ALD810024SCLI | 5.5750 |  | 5356 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD810024 | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4N 채널 | |||||||||||||
| ALD310702ASCL | 7.4692 |  | 5116 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD®, 소수값™ | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD310702 | MOSFET(금속) | 500mW | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1290 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 P 채널, 일치쌍 | 8V | - | - | 1μA에서 180mV | - | 2.5pF @ 5V | - | ||||||
|  | ALD810023SCL | 5.6500 |  | 3 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD810023 | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1257-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4N 채널 | ||||||||||||
|  | ALD310700APCL | 9.7700 |  | 76 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD®, 소수값™ | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C | 스루홀 | 16-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD310700 | MOSFET(금속) | 500mW | 16-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1284 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 P 채널, 일치쌍 | 8V | - | - | 1μA에서 20mV | - | 2.5pF @ 5V | - | |||||
|  | ALD110814PCL | 6.5006 |  | 2638 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 스루홀 | 16-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD110814 | MOSFET(금속) | 500mW | 16-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1028 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N 채널, 일치쌍 | 10.6V | 12mA, 3mA | 500옴 @ 5.4V | 1.42V @ 1μA | - | 2.5pF @ 5V | - | |||||
|  | ALD910027SAL | 4.7014 |  | 4008 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD910027 | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1267-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 N채널(듀얼) | ||||||||||||
|  | ALD114904ASAL | 6.1776 |  | 6987 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD114904 | MOSFET(금속) | 500mW | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1062 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N채널(이중)정확 | 10.6V | 12mA, 3mA | 500옴 @ 3.6V | 1μA에서 380mV | - | 2.5pF @ 5V | 고갈 모드 | |||||
|  | ALD111910MAL | - |  | 8551 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | - | - | ALD111910 | - | - | - | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1219 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||
|  | ALD1103PBL | 9.2600 |  | 535 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | - | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 스루홀 | 14-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD1103 | MOSFET(금속) | 500mW | 14-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1008 | EAR99 | 8541.21.0095 | 25 | 2 N 및 2 P 채널 일치 | 10.6V | 40mA, 16mA | 75옴 @ 5V | 1V @ 10μA | - | 10pF @ 5V | - | |||||
|  | ALD1110EPAL | 6.8234 |  | 6708 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 스루홀 | 8-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD1110 | MOSFET(금속) | 600mW | 8-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N채널(이중)정확 | 10V | - | 500옴 @ 5V | 1.01V @ 1μA | - | 2.5pF @ 5V | - | ||||||
|  | ALD810018SCLI | 5.5750 |  | 4536 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD810018 | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4N 채널 | |||||||||||||
|  | ALD210808APCL | 8.3302 |  | 7246 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD®, 소수값™ | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 스루홀 | 16-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD210808 | MOSFET(금속) | 500mW | 16-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N 채널, 일치쌍 | 10.6V | 80mA | - | 10μA에서 20mV | - | - | 게임 레벨 레벨 | ||||||
|  | ALD110814SCL | 6.2900 |  | 10 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD110814 | MOSFET(금속) | 500mW | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1029 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N 채널, 일치쌍 | 10.6V | 12mA, 3mA | 500옴 @ 5.4V | 1.42V @ 1μA | - | 2.5pF @ 5V | - | |||||
|  | ALD910016SALI | 5.3628 |  | 9212 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD910016 | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 N채널(듀얼) | |||||||||||||
|  | ALD110800PCL | 6.3700 |  | 6 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD®, 소수값™ | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 스루홀 | 16-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD110800 | MOSFET(금속) | 500mW | 16-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1018 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N 채널, 일치쌍 | 10.6V | - | 500옴 @ 4V | 1μA에서 20mV | - | 2.5pF @ 5V | - | |||||
|  | ALD210802SCL | 5.7256 |  | 7560 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD®, 소수값™ | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD210802 | MOSFET(금속) | 500mW | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N 채널, 일치쌍 | 10.6V | 80mA | - | 10μA에서 20mV | - | - | 게임 레벨 레벨 | ||||||
|  | ALD210804SCL | 5.7256 |  | 6540 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD®, 소수값™ | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD210804 | MOSFET(금속) | 500mW | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N 채널, 일치쌍 | 10.6V | 80mA | - | 10μA에서 20mV | - | - | 게임 레벨 레벨 | ||||||
|  | ALD212902SAL | 5.6228 |  | 6120 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD®, 소수값™ | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD212902 | MOSFET(금속) | 500mW | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N채널(이중)정확 | 10.6V | 80mA | - | 10μA에서 20mV | - | - | 게임 레벨 레벨 | ||||||
|  | ALD1117PAL | 5.7000 |  | 54 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | - | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 스루홀 | 8-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD1117 | MOSFET(금속) | 500mW | 8-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1048 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 P채널(이중) 일치 | 10.6V | - | 1800옴 @ 5V | 1V @ 1μA | - | 3pF @ 5V | - | |||||
|  | ALD114913SAL | 5.3400 |  | 242 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ALD114913 | MOSFET(금속) | 500mW | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1066 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N채널(이중)정확 | 10.6V | 12mA, 3mA | 500옴 @ 2.7V | 1.26V @ 1μA | - | 2.5pF @ 5V | 고갈 모드 | |||||
|  | ALD110808ASCL | 8.9544 |  | 6140 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD110808 | MOSFET(금속) | 500mW | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1025 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N 채널, 일치쌍 | 10.6V | 12mA, 3mA | 500옴 @ 4.8V | 810mV @ 1μA | - | 2.5pF @ 5V | - | |||||
|  | ALD1102BPAL | 8.8038 |  | 8398 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | - | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 스루홀 | 8-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD1102 | MOSFET(금속) | 500mW | 8-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 P채널(이중) 일치 | 10.6V | - | 270옴 @ 5V | 1.2V @ 10μA | - | 10pF @ 5V | - | ||||||
|  | ALD114813PCL | 7.1248 |  | 6043 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 스루홀 | 16-DIP(0.300", 7.62mm) | ALD114813 | MOSFET(금속) | 500mW | 16-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1057 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N 채널, 일치쌍 | 10.6V | 12mA, 3mA | 500옴 @ 2.7V | 1.26V @ 1μA | - | 2.5pF @ 5V | 고갈 모드 | |||||
|  | ALD810028SCLI | 5.8548 |  | 8470 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | SAB™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6V | 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD810028 | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4N 채널 | |||||||||||||
|  | ALD114804SCL | 5.7644 |  | 1045 | 0.00000000 | 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | ALD114804 | MOSFET(금속) | 500mW | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1014-1056 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N 채널, 일치쌍 | 10.6V | 12mA, 3mA | 500옴 @ 3.6V | 1μA에서 360mV | - | 2.5pF @ 5V | 고갈 모드 | 

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

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