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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 응용 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 내구성 인증(암페어) 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 거주형태
ALD310702APCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310702APCL 1814년 10월
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ECAD 7292 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD®, 소수값™ 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C 스루홀 16-DIP(0.300", 7.62mm) ALD310702 MOSFET(금속) 500mW 16-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1288 EAR99 8541.21.0095 50 4 P 채널, 일치쌍 8V - - 1μA에서 180mV - 2.5pF @ 5V -
ALD210800ASCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210800ASCL 8.7200
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ECAD 30 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD®, 소수값™ 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 표면 실장 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) ALD210800 MOSFET(금속) 500mW 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1214 EAR99 8541.21.0095 50 4 N 채널, 일치쌍 10.6V 80mA 25옴 10mV @ 10μA - 15pF @ 5V 게임 레벨 레벨
ALD114935SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD114935SAL 4.9612
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ECAD 1067 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD® 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) ALD114935 MOSFET(금속) 500mW 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1068 EAR99 8541.21.0095 50 2 N채널(이중)정확 10.6V 12mA, 3mA 540옴 @ 0V 3.45V @ 1μA - 2.5pF @ 5V 고갈 모드
ALD110908SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110908SAL 4.7014
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ECAD 2643 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD® 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) ALD110908 MOSFET(금속) 500mW 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1041 EAR99 8541.21.0095 50 2 N채널(이중)정확 10.6V 12mA, 3mA 500옴 @ 4.8V 1μA에서 820mV - 2.5pF @ 5V -
ALD110808PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110808PCL 5.9624
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ECAD 8290 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD® 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 스루홀 16-DIP(0.300", 7.62mm) ALD110808 MOSFET(금속) 500mW 16-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1026 EAR99 8541.21.0095 50 4 N 채널, 일치쌍 10.6V 12mA, 3mA 500옴 @ 4.8V 1μA에서 820mV - 2.5pF @ 5V -
ALD810024SCLI Advanced Linear Devices Inc. ALD810024SCLI 5.5750
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ECAD 5356 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 SAB™ 튜브 활동적인 10.6V 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 표면 실장 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) ALD810024 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 50 80mA 4N 채널
ALD310702ASCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310702ASCL 7.4692
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ECAD 5116 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD®, 소수값™ 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C 표면 실장 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) ALD310702 MOSFET(금속) 500mW 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1290 EAR99 8541.21.0095 50 4 P 채널, 일치쌍 8V - - 1μA에서 180mV - 2.5pF @ 5V -
ALD810023SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD810023SCL 5.6500
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ECAD 3 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 SAB™ 튜브 활동적인 10.6V 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 표면 실장 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) ALD810023 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1257-5 EAR99 8541.21.0095 50 80mA 4N 채널
ALD310700APCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310700APCL 9.7700
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ECAD 76 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD®, 소수값™ 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C 스루홀 16-DIP(0.300", 7.62mm) ALD310700 MOSFET(금속) 500mW 16-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1284 EAR99 8541.21.0095 50 4 P 채널, 일치쌍 8V - - 1μA에서 20mV - 2.5pF @ 5V -
ALD110814PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110814PCL 6.5006
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ECAD 2638 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD® 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 스루홀 16-DIP(0.300", 7.62mm) ALD110814 MOSFET(금속) 500mW 16-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1028 EAR99 8541.21.0095 50 4 N 채널, 일치쌍 10.6V 12mA, 3mA 500옴 @ 5.4V 1.42V @ 1μA - 2.5pF @ 5V -
ALD910027SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD910027SAL 4.7014
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ECAD 4008 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 SAB™ 튜브 활동적인 10.6V 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) ALD910027 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1267-5 EAR99 8541.21.0095 50 80mA 2 N채널(듀얼)
ALD114904ASAL Advanced Linear Devices Inc. ALD114904ASAL 6.1776
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ECAD 6987 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD® 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) ALD114904 MOSFET(금속) 500mW 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1062 EAR99 8541.21.0095 50 2 N채널(이중)정확 10.6V 12mA, 3mA 500옴 @ 3.6V 1μA에서 380mV - 2.5pF @ 5V 고갈 모드
ALD111910MAL Advanced Linear Devices Inc. ALD111910MAL -
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ECAD 8551 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 - - - ALD111910 - - - - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1219 EAR99 8541.29.0095 50 - - - - - - - -
ALD1103PBL Advanced Linear Devices Inc. ALD1103PBL 9.2600
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ECAD 535 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 - 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 스루홀 14-DIP(0.300", 7.62mm) ALD1103 MOSFET(금속) 500mW 14-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1008 EAR99 8541.21.0095 25 2 N 및 2 P 채널 일치 10.6V 40mA, 16mA 75옴 @ 5V 1V @ 10μA - 10pF @ 5V -
ALD1110EPAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1110EPAL 6.8234
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ECAD 6708 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD® 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) ALD1110 MOSFET(금속) 600mW 8-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 50 2 N채널(이중)정확 10V - 500옴 @ 5V 1.01V @ 1μA - 2.5pF @ 5V -
ALD810018SCLI Advanced Linear Devices Inc. ALD810018SCLI 5.5750
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ECAD 4536 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 SAB™ 튜브 활동적인 10.6V 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 표면 실장 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) ALD810018 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 50 80mA 4N 채널
ALD210808APCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210808APCL 8.3302
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ECAD 7246 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD®, 소수값™ 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 스루홀 16-DIP(0.300", 7.62mm) ALD210808 MOSFET(금속) 500mW 16-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 50 4 N 채널, 일치쌍 10.6V 80mA - 10μA에서 20mV - - 게임 레벨 레벨
ALD110814SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110814SCL 6.2900
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ECAD 10 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD® 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 표면 실장 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) ALD110814 MOSFET(금속) 500mW 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1029 EAR99 8541.21.0095 50 4 N 채널, 일치쌍 10.6V 12mA, 3mA 500옴 @ 5.4V 1.42V @ 1μA - 2.5pF @ 5V -
ALD910016SALI Advanced Linear Devices Inc. ALD910016SALI 5.3628
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ECAD 9212 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 SAB™ 튜브 활동적인 10.6V 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) ALD910016 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 50 80mA 2 N채널(듀얼)
ALD110800PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110800PCL 6.3700
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ECAD 6 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD®, 소수값™ 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 스루홀 16-DIP(0.300", 7.62mm) ALD110800 MOSFET(금속) 500mW 16-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1018 EAR99 8541.21.0095 50 4 N 채널, 일치쌍 10.6V - 500옴 @ 4V 1μA에서 20mV - 2.5pF @ 5V -
ALD210802SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210802SCL 5.7256
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ECAD 7560 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD®, 소수값™ 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 표면 실장 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) ALD210802 MOSFET(금속) 500mW 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 50 4 N 채널, 일치쌍 10.6V 80mA - 10μA에서 20mV - - 게임 레벨 레벨
ALD210804SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210804SCL 5.7256
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ECAD 6540 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD®, 소수값™ 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 표면 실장 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) ALD210804 MOSFET(금속) 500mW 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 50 4 N 채널, 일치쌍 10.6V 80mA - 10μA에서 20mV - - 게임 레벨 레벨
ALD212902SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD212902SAL 5.6228
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ECAD 6120 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD®, 소수값™ 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) ALD212902 MOSFET(금속) 500mW 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 50 2 N채널(이중)정확 10.6V 80mA - 10μA에서 20mV - - 게임 레벨 레벨
ALD1117PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1117PAL 5.7000
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ECAD 54 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 - 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) ALD1117 MOSFET(금속) 500mW 8-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1048 EAR99 8541.21.0095 50 2 P채널(이중) 일치 10.6V - 1800옴 @ 5V 1V @ 1μA - 3pF @ 5V -
ALD114913SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD114913SAL 5.3400
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ECAD 242 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD® 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) ALD114913 MOSFET(금속) 500mW 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1066 EAR99 8541.21.0095 50 2 N채널(이중)정확 10.6V 12mA, 3mA 500옴 @ 2.7V 1.26V @ 1μA - 2.5pF @ 5V 고갈 모드
ALD110808ASCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110808ASCL 8.9544
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ECAD 6140 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD® 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 표면 실장 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) ALD110808 MOSFET(금속) 500mW 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1025 EAR99 8541.21.0095 50 4 N 채널, 일치쌍 10.6V 12mA, 3mA 500옴 @ 4.8V 810mV @ 1μA - 2.5pF @ 5V -
ALD1102BPAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1102BPAL 8.8038
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ECAD 8398 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 - 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) ALD1102 MOSFET(금속) 500mW 8-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 50 2 P채널(이중) 일치 10.6V - 270옴 @ 5V 1.2V @ 10μA - 10pF @ 5V -
ALD114813PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD114813PCL 7.1248
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ECAD 6043 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD® 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 스루홀 16-DIP(0.300", 7.62mm) ALD114813 MOSFET(금속) 500mW 16-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1057 EAR99 8541.21.0095 50 4 N 채널, 일치쌍 10.6V 12mA, 3mA 500옴 @ 2.7V 1.26V @ 1μA - 2.5pF @ 5V 고갈 모드
ALD810028SCLI Advanced Linear Devices Inc. ALD810028SCLI 5.8548
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ECAD 8470 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 SAB™ 튜브 활동적인 10.6V 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 표면 실장 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) ALD810028 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 50 80mA 4N 채널
ALD114804SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD114804SCL 5.7644
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ECAD 1045 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD® 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 표면 실장 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) ALD114804 MOSFET(금속) 500mW 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1056 EAR99 8541.21.0095 50 4 N 채널, 일치쌍 10.6V 12mA, 3mA 500옴 @ 3.6V 1μA에서 360mV - 2.5pF @ 5V 고갈 모드
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고