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불연속 불연속 제품 제품 (181)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 현재 현재 (amp) | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 트랜지스터 트랜지스터 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ALD210800ASCL | 8.7200 |  | 30 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD210800 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1214 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | 80ma | 25ohm | 10MV@ 10µA | - | 15pf @ 5V | 논리 논리 게이트 | |||||
| ALD110800SCL | 4.5124 | | 7900 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD110800 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1019 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | - | 500ohm @ 4v | 20mv @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD810018SCL | 4.7958 | | 8086 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | SAB ™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6v | 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD810018 | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1271-5 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 80ma | 4 n 채널 | ||||||||||||
 | ALD310700APCL | 9.7700 | | 76 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD310700 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1284 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 p 채널, 채널 쌍 | 8V | - | - | 20mv @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| Ald310708pcl | 8.6100 | | 3247 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD310708 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1297 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 p 채널, 채널 쌍 | 8V | - | - | 780mv @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
 | Ald910018sal | 4.2762 | | 4256 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | SAB ™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6v | 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD910018 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1278-5 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 80ma | 2 n 채널 (채널) | ||||||||||||
 | ALD1103SBL | 8.2500 | | 105 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD1103 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 14 -Soic | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1009 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 및 2 p 및 일치 쌍 | 10.6v | 40MA, 16MA | 75ohm @ 5v | 1V @ 10µA | - | 10pf @ 5V | - | |||||
| ALD210804SCL | 5.7256 | | 6540 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD210804 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | 80ma | - | 20MV @ 10µA | - | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
| ALD212902SAL | 5.6228 | | 6120 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD212902 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 | 10.6v | 80ma | - | 20MV @ 10µA | - | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
| Ald114813pcl | 7.1248 | | 6043 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD114813 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1057 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | 12MA, 3MA | 500ohm @ 2.7v | 1.26V @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | 고갈 고갈 | |||||
| ALD910022SAL | 5.0400 | | 594 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | SAB ™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6v | 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD910022 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1282-5 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 80ma | 2 n 채널 (채널) | ||||||||||||
| ALD210808ASCL | 7.5122 | | 5149 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD210808 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | 80ma | - | 20MV @ 10µA | - | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
| ALD110900ASAL | 6.8200 | | 22 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD110900 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1031 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 | 10.6v | - | 500ohm @ 4v | 10MV@ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD910020SAL | 4.2762 | | 1448 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | SAB ™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6v | 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD910020 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1280-5 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 80ma | 2 n 채널 (채널) | ||||||||||||
| Ald114935sal | 4.9612 | | 1067 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD114935 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1068 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 | 10.6v | 12MA, 3MA | 540ohm @ 0v | 3.45V @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | 고갈 고갈 | |||||
| ALD910016SALI | 5.3628 | | 9212 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | SAB ™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6v | 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD910016 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 80ma | 2 n 채널 (채널) | |||||||||||||
| ALD110802SCL | 5.8548 | | 7664 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD110802 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1021 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | - | 500ohm @ 4.2v | 220MV @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD110814PCL | 6.5006 | | 2638 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD110814 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1028 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | 12MA, 3MA | 500ohm @ 5.4v | 1.42V @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD110808SCL | 4.9140 | | 1445 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD110808 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1027 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | 12MA, 3MA | 500ohm @ 4.8V | 820mv @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD110808ASCL | 8.9544 | | 6140 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD110808 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1025 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | 12MA, 3MA | 500ohm @ 4.8V | 810mv @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD114804PCL | 6.9740 | | 3506 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD114804 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1055 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | 12MA, 3MA | 500ohm @ 3.6v | 360mv @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | 고갈 고갈 | |||||
 | ALD1103PBL | 9.2600 | | 535 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD1103 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 14-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1008 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 25 | 2 n 및 2 p 및 일치 쌍 | 10.6v | 40MA, 16MA | 75ohm @ 5v | 1V @ 10µA | - | 10pf @ 5V | - | |||||
| ALD114904ASAL | 6.1776 | | 6987 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD114904 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1062 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 | 10.6v | 12MA, 3MA | 500ohm @ 3.6v | 380mv @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | 고갈 고갈 | |||||
| ALD110814SCL | 6.2900 | | 10 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD110814 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1029 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | 12MA, 3MA | 500ohm @ 5.4v | 1.42V @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD910025 SALI | 5.3628 | | 9819 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | SAB ™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6v | 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD910025 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 80ma | 2 n 채널 (채널) | |||||||||||||
| ALD810018SCLI | 5.5750 | | 4536 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | SAB ™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6v | 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD810018 | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 80ma | 4 n 채널 | |||||||||||||
 | ALD1102BPAL | 8.8038 | | 8398 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD1102 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 p 채널 (채널) 일치 한 쌍 | 10.6v | - | 270ohm @ 5V | 1.2V @ 10µA | - | 10pf @ 5V | - | ||||||
| Ald114904apal | 6.8234 | | 7241 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD114904 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1061 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 | 10.6v | 12MA, 3MA | 500ohm @ 3.6v | 380mv @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | 고갈 고갈 | |||||
| ALD810017SCLI | 5.5750 | | 5175 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | SAB ™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6v | 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD810017 | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 80ma | 4 n 채널 | |||||||||||||
| ALD810023SCLI | 5.5750 | | 9679 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | SAB ™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6v | 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD810023 | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 80ma | 4 n 채널 |
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